一种肖特基半导体装置的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明在肖特基半导体装置内设置半导体放电管，以此将过压保护装置与肖特基结并联，改善肖特基结反向可靠性，同时，通过半导体放电管在反向偏压下的电场分布，将峰值电场引入肖特基结漂移区中，降低肖特基结的导通电阻；本发明设置半导体放电管在器件正向偏压下为截止状态，不在正向导通时引入少子，因此本发明的半导体装置保持肖特基结快速开关特性。

技术研发人员：朱江
受保护的技术使用者：朱江
技术研发日：2016.10.30
技术公布日：2018.05.11