技术总结
本发明公开了一种新型LED外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。所述新型LED外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；所述新型LED外延片还包括：覆盖在所述P型GaN载流子层上的GaN提亮层，所述GaN提亮层远离P型GaN载流子层的一面上均匀间隔分布有多个凸起，所述凸起的高度为0.2‑1.5μm。本发明通过设置GaN提亮层，提高了LED外延片的发光效率。
技术研发人员：孙玉芹;董彬忠;王江波
受保护的技术使用者：华灿光电(浙江)有限公司
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2019.12.31