一种大容量环形储能磁体的真空壳体的制作方法

本发明涉一种真空壳体，尤其涉及一种大容量环形储能磁体的真空壳体。

背景技术：
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系统储能量的计算用于估算系统总体尺寸，高温超导带磁体一般采用单导体成型绕制的双饼线圈技术，为了实现大容量总储能磁体要求，主要是采用以双饼线圈为基础模块，采用多个双饼线圈并列合并成一组单元线圈绕组，储能磁体系统就是由多个单元线圈绕组沿环向对称而成，储能量的大小与线圈尺寸，线圈单元数量成正比，容量越大，线圈尺寸越大，线圈单元数越多，容纳其储能磁体的空间也越大，而现有技术中的真空壳体普遍存在空间小，强度低，结构复杂等不足，因此，发明一种大容量环形储能磁体的真空壳体就显得尤为重要。

技术实现要素：
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为解决上述现有技术的不足，本发明公开了一种大容量环形储能磁体的真空壳体，包括上、下壳体和上、下壳体轴心位置设置的支撑架，其特征在于，所述上、下壳体由卡钳紧固密封法兰连接，所述上壳体顶部设有圆形通孔。

第一优选方案为，所述上、下壳体均为单层不锈钢结构，所述上、下壳体的侧壁和底面过渡面均为弧面，所述上、下壳体外侧均阵列设置加强筋，所述下壳体底面内侧边缘环形阵列支撑块，外侧环形阵列设置支撑腿。

第二优选方案为，所述支撑架设于所述上、下壳体之间，由四根竖直平行设置的不锈钢条和内接于所述四根钢条水平设置的两个圆形不锈钢环组成。

第三优选方案为，所述圆形通孔处设有圆形顶板，所述上壳体外侧阵列所述加强筋的顶部设有圆形吊耳。

第四优选方案为，所述支撑块呈长方形且分内、外两层环形阵列排布。

第五优选方案为，所述不锈钢环由按质量百分比计的下述组份制得：C≤0.15％，Cr为17％～19％，Ni为8％～10％，Si≤1％，Mn≤2％，P≤0.035％，S≤0.030％，余量为Fe。

第六优选方案为，所述不锈钢条一端固定于所述下壳体上，另一端连接所述顶板。

第七优选方案为，所述顶板边缘环形阵列设有低温系统控制阀安装口，所述顶板上位于所述低温系统控制阀安装口内部设有电流引线安装口、低温管道进出口和数据采集系统接口，侧面为内连接卡钳紧固密封法兰。

综上所述，和最接近的技术方案比，本发明提供的技术方案具有以下优异效果：

1、本发明的真空壳体结构简单，可以降低系统在装配和检修过程中操作难度。

2、本发明的真空壳体的上、下壳体均为单层不锈钢结构，为内部环形储能磁体提供了较大空间。

3、本发明的真空壳体的上、下壳体外部均阵列有加强筋，保证了结构强度。

4、本发明的真空壳体中支撑架的设置，有利于加强结构强度并隔离开磁体与内部操作空间。

附图说明

图1为大容量环形储能磁体的真空壳体外部结构示意图；

图2为下壳体内部结构示意图。

图中，1-顶板，2-上壳体，3-下壳体，4-低温系统控制阀安装口，5-电流引线安装口，6-数据采集系统接口，7-低温管道进出口，8-支撑腿，9-加强筋，10-不锈钢条，11-不锈钢环，12-支撑块。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明中一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动的前提下所有获得的所有其他实施例，都属于本发明的保护范围。下面结合附图对本发明提供的技术方案做详细说明。

实施例一

如图1所示，为本发明提供的真空壳体的外部结构示意图，包括上壳体2、下壳体3和设置在上、下壳体轴心位置的支撑架，上、下壳体由卡钳紧固密封法兰连接，所述上壳体2顶部设有圆形通孔，圆形通孔处设有圆形顶板1，上壳体2外侧阵列加强筋9的顶部设有圆形吊耳，吊耳为吊装操作提供方便，上壳体2、下壳体3均为单层不锈钢结构，其侧壁和底面过渡面均为弧面，外侧均阵列设置加强筋9，加强筋9的设置保证了真空壳体整体的结构强度，如图2所示，下壳体3底面内侧边缘环形阵列支撑块12，外侧环形阵列设置支撑腿8，支撑块12呈长方形且分内、外两层环形阵列排布，用于支撑安装于真空壳体内部的大容量环形储能磁体，和热屏蔽，能够很好的保证磁体阵列的角度和位置，且支撑时两者间为点接触，这种点接触方式减少了两者之间的热传递。

如图2所示，为本发明的真空壳体的下壳体3的结构示意图，下壳体3底面内侧固定有支撑架，支撑架由四根竖直平行设置的不锈钢条10和内接于四根钢条水平设置的两个圆形不锈钢环11组成，不锈钢条10一端固定于下壳体3底面内侧，另一端连接顶板1，顶板1呈圆形，通过设于其侧面的卡钳紧固密封法兰将其固定于上壳体2的圆形通孔处，顶板1边缘环形阵列设有低温系统控制阀安装口4，顶板1上位于低温系统控制阀安装口4内部设有电流引线安装口5、低温管道进出口7和数据采集系统接口6，用于实现真空壳体的内外部信息等的交换和传递。

其中，不锈钢环11由按质量百分比计的下述组份制得：C≤0.15％，Cr为17％～19％，Ni为8％～10％，Si≤1％，Mn≤2％，P≤0.035％，S≤0.030％，余量为Fe，大大加强了结构强度并隔离开了磁体与内部操作的空间，有利于热量的散发。

以下实施例中只改变不锈钢环的组份配比，其他工艺条件不变，具体改变参数见下表：

最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本申请的技术方案而非对其保护范围的限制，尽管参照上述实施例对本申请进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：本领域技术人员阅读本申请后依然可以对申请的具体实施方式进行种种变更、修改或者等同替换，但这些变更、修改或者等同替换，均在申请待批的权利要求保护范围之内。