1.一种PMOS器件集成工艺方法，其特征在于包括：
第一步骤：在P型衬底中形成由浅沟槽隔离的高压N阱区与低压N阱区；
第二步骤：在高压N阱区与低压N阱区上分别形成高压栅极氧化层和低压栅氧化层，以及由栅极多晶硅组成的栅极结构；
第三步骤：涂覆第一光刻胶层，利用模板定义第一光刻胶图案，去除高压N阱区上方光刻胶，对高压N阱区执行离子注入以形成高压PMOS器件的轻掺杂扩散区；
第四步骤：去除光刻胶，形成高压N阱区与低压N阱区上的栅极结构的侧墙，涂覆第二光刻胶层，利用模板定义第二光刻胶图案，同时去除高压N阱区和低压N阱区上方光刻胶，对高压N阱区与低压N阱区执行以相对于衬底表面成倾斜角度的离子注入，以形成低压PMOS器件的轻掺杂扩散区，并且在高压PMOS器件的轻掺杂扩散区周围形成二次扩散注入区；
第五步骤：形成高压PMOS重掺杂的源漏区和低压PMOS重掺杂的源漏区。
2.根据权利要求1所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，在第三步骤，利用第一光刻胶图案对高压N阱区执行的离子注入是成倾斜角度的离子注入，其中离子注入方向与衬底表面法线之间的角度为10°～45°。
3.根据权利要求1或2所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，第四步骤的相对于衬底表面成倾斜角度的离子注入的方向与衬底表面法线之间的角度为5°～45°。
4.根据权利要求1或2所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，第四步骤的相对于衬底表面成倾斜角度的离子注入的P型离子注入能量为5～150keV。
5.根据权利要求1或2所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，高压PMOS器件的轻掺杂扩散注入区的掺杂体浓度为1e17～1e19cm-3。
6.根据权利要求1或2所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，所述P型衬底的掺杂体浓度为1e14～1e16cm-3，所述高压N阱区与低压N阱区的掺杂体浓度为1e16～1e18cm-3。
7.根据权利要求1或2所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，低压PMOS器件的轻掺杂扩散注入区的掺杂体浓度为1e17～1e19cm-3。
8.根据权利要求1或2所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，侧墙的成分为氧化硅或者氮化硅，侧墙的厚度为10A～1000A。
9.根据权利要求1或2所述的PMOS器件集成工艺方法，其特征在于，所述高压PMOS重掺杂的源漏区和低压PMOS重掺杂的源漏区体浓度为1e18～1e22cm-3。
10.一种采用根据权利要求1至9之一所述的PMOS器件集成工艺方法制成的PMOS器件。