技术特征：
技术总结
本发明涉及一种氮化物半导体装置，其具备导电性基板和氮化物半导体层。氮化物半导体层存在于导电性基板之上。氮化物半导体层包括横向型的第一晶体管结构和横向型的第二晶体管结构。导电性基板包括第一电位控制区和第二电位控制区，第二电位控制区能够相对于第一电位控制区而独立地进行电位控制。在对氮化物半导体层进行俯视观察时，第一晶体管结构与第一电位控制区重叠，并且第二晶体管结构与第二电位控制区重叠。
技术研发人员：长里喜隆;富田英幹;兼近将一
受保护的技术使用者：丰田自动车株式会社
技术研发日：2016.11.25
技术公布日：2017.08.04