技术总结
本发明属于半导体功率器件制备技术领域，特别涉及一种逆阻型氮化镓高电子迁移率晶体管。本发明主要是针对高效功率开关器件的主要性能指标(导通电阻、漏极开启电压、反向耐压、功耗)，提出了具有混合漏极的氮化镓新器件结构。本发明所提出的增强型AlGaN/GaN HEMT器件具有高反向阻断能力、低漏极开启电压、低导通电阻和低功耗等优点，尤其适用于双向开关中。
技术研发人员：陈万军;施宜军;崔兴涛;刘超;刘杰;胡官昊;周琦;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201611065159
技术研发日：2016.11.28
技术公布日：2017.02.22