一种高纯度纳米氧化铝C基板的制作方法

本发明涉及高纯度氧化铝设备技术领域，具体为一种高纯度纳米氧化铝C基板。

背景技术：

纳米氧化铝是一种白色晶状粉末。一般应用于陶瓷、化妆品填料、精密抛光材料和一些涂料中。

现在市场上的电路基板一般都是用陶瓷制成。但是现有的陶瓷基板由于其氧化铝的密度和尺寸不够细致，其导热性能相对低下，一些电路负荷较大的电子设备在其工作时，会产生大量的热量，如果不能够及时传递、吸收热量后，这些热量就会对电子设备的电路芯片造成损坏，长时间处于高温状态下工作，甚至会烧断电路芯片，致使电子设备停止工作。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种高纯度纳米氧化铝C基板，以解决上述背景技术中提出的现有的氧化铝基板存在导热效率低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案，一种高纯度纳米氧化铝C基板，包括基板、水流管道、水泵存放室、检查盖板和旋转轴，所述基板上表面粘合有电路芯片，且电路芯片左右两端设有电路连接口，所述电路芯片下部镶嵌有水流通孔，所述基板四边角镶嵌有螺帽固定孔，所述水流管道通过连接管道连接蓄水室，且蓄水室右侧装设有注水口，所述水泵存放室内装设有水泵，且水泵通过连接管道连接蓄水室和水流管道，所述水泵通过导线与电路芯片相连接，所述检查盖板右侧安装有开关，且检查盖板左端连接旋转轴。

优选的，所述基板使用的材质为纳米氧化铝。

优选的，所述电路芯片下表面的基板层与水流管道之间为硅胶层。

优选的，所述水流管道采用“十”字交叉的方式排布，且其之间采用串联的方式相连通。

优选的，所述开关为内嵌式。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：该高纯度纳米氧化铝C基板采用高纯度的纳米氧化铝作为基板的原料，不仅能够提高基板的导热性能，还能提高基板的绝缘性能。该设备电路芯片下表面还安装有水流管道，利用水冷吸热对基板进行降温工作，大大提高了该基板的导热、吸热效率，电路芯片下表面的基板层与水流管道之间为硅胶层，硅胶能够快速传递热量，便于冷水溶液吸收热量，水流管道采用“十”字交叉的方式排布，且其之间采用串联的方式相连通，既能够增大水流管道与电路芯片下表面基板的接触面积，又能够提高水流的连通性和流速，开关为内嵌式，减少设备的占用面积。

附图说明

图1为本发明结构示意图；

图2为本发明内部结构示意图。

图中：1、基板，2、电路芯片，3、电路连接口，4、水流通孔，5、螺帽固定孔，6、硅胶层，7、水流管道，8、连接管道，9、蓄水室，10、注水口，11、水泵，12、导线，13、水泵存放室，14、检查盖板，15、开关，16、旋转轴。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-2，本发明提供一种技术方案：一种高纯度纳米氧化铝C基板，包括基板1、水流管道7、水泵存放室13、检查盖板14和旋转轴16，基板1上表面粘合有电路芯片2，且电路芯片2左右两端设有电路连接口3，基板1使用的材质为纳米氧化铝，高纯度的纳米氧化铝作为基板1的原料，不仅能够提高基板1的导热性能，还能提高基板1的绝缘性能，电路芯片2下表面的基板层与水流管道7之间为硅胶层6，硅胶能够快速传递热量，便于冷水溶液吸收热量，电路芯片2下部镶嵌有水流通孔4，用水冷吸热对基板1进行降温工作，大大提高了该基板1的导热、吸热效率，基板1四边角镶嵌有螺帽固定孔5，水流管道7通过连接管道8连接蓄水室9，且蓄水室9右侧装设有注水口10，水流管道7采用“十”字交叉的方式排布，且其之间采用串联的方式相连通，既能够增大水流管道7与电路芯片2下表面基板1的接触面积，又能够提高水流的连通性和流速，水泵存放室13内装设有水泵11，且水泵11通过连接管道8连接蓄水室9和水流管道7，水泵11通过导线12与电路芯片2相连接，检查盖板14右侧安装有开关15，且检查盖板14左端连接旋转轴16，检查盖板14为旋转结构，且其旋转角度为0-90°，开关15为内嵌式，减少设备的占用面积。

工作原理：在使用该高纯度纳米氧化铝C基板时，先通过注水口10给蓄水室9注入适量的清水，然后通过螺帽固定孔5把装置固定在电子设备内部，再通过电路连接口3与电子设备取得电路连接，在电子设备工作时，基板1上的电路芯片2会产生热量，产生的热量会通过基板1向下传递，利用硅胶层6的导热能力，把热量传递至水流管道7上，这时水泵存放室13内的水泵11开始工作，蓄水室9内的水溶液在水泵11的作用力下开始流动，通过连接管道8流进水流管道7内，利用冷水溶液吸收电路芯片2产生的热量，水溶液再通过连接管道8回流至蓄水室9内，以此循环对该设备进行降温工作。

尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，对于本领域的技术人员来说，其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。