本发明涉及一种集成电路装置,尤指涉及一种具有防止电磁干扰的天线装置。
背景技术:
无线电通信系统的发展导致接收机和/或发射机链以集成电路的形式实施。已知的例子是用于便携式的移动射频(RF)收发机电路,卫星通信微波接收机,无线局域网射频(WLAN RF)电路等等。
典型的双极化接收机链具有射频发射机和接收机电路。因为两个接收机链需要同时操作,所以两个接收机链之间的干扰和电磁耦合应该最小化以免不需要的互调信号并实现最佳运行。
当以集成电路形式提供时,电路包含具有集成电感的振荡器。因为电感和线圈是电磁辐射元件,所以在它们之间可能有电磁耦合和干扰。为了减少集成电路的两个接收机链之间的耦合,已知使用:
在硅片上的大的距离以减少与振荡器的耦合;两个独立的电路;和倒装结构用于高频应用,因为这可以通过避免引线键合减少电磁耦合;然而,已知的方法通常导致集成电路的电路面积增加并因此需要更大的封装。
此外,由于工作频率增加,隔离被减弱。结果,对于一些高频应用的隔离要求,例如卫星通信,不能通过已知的方法容易地满足。例如,对于卫星通信,用于双极化的两个接收机链之间隔离应该至少是在 12GH60dB。然而,在传统的封装电路中的典型的隔离性能是在12GHz 大约45dB。
技术实现要素:
基于解决上述封装中的问题,本发明提供了一种具有电磁屏蔽的天线装置,包括:中介载板,具有相对的上表面和下表面;位于所述上表面的凹槽;位于所述凹槽中的倒装硅芯片,所述硅芯片具有两个射频元件;位于所述下表面的接地层,所述接地层由在所述下表面的下导电图案隔为两部分,所述两个射频元件分别电连接到所述接地层的两部分。
根据本发明的实施例,所述硅芯片具有隔离所述两个射频元件的隔离沟槽。
根据本发明的实施例,所述隔离沟槽大于所述两个射频元件的最大尺寸。
根据本发明的实施例,所述隔离沟槽填充有隔离物质。
根据本发明的实施例,所述凹槽底壁和侧壁具有导电图案,所述两个射频元件通过所述导电图案电连接至所述下表面的接地层和导电图案。
根据本发明的实施例,所述中介载板具有导电通孔。
根据本发明的实施例,所述凹槽的底壁的导电图案与所述导电通孔电连接,所述导电通孔与所述下表面的导电图案电连接。
根据本发明的实施例,所述中介载板的侧面具有导电层,电连接至所述接地层。
本发明的技术方案,利用隔开的接地层可最大程度的减小两射频元件间的电磁干扰,并且利用载板的侧面的导电层进行二次电磁屏蔽,进一步弱化外界的电磁干扰;在硅芯片设置隔离沟槽,防止两射频元件内部的电磁耦合。
附图说明
图1为本发明天线装置的剖面图;
图2为本发明天线装置的俯视图。
具体实施方式
参见图1,本发明提供了一种具有电磁屏蔽的天线装置,包括:中介载板1,具有相对的上表面和下表面;位于所述上表面的凹槽2;位于所述凹槽2中的倒装硅芯片3,所述硅芯片3具有两个射频元件4、5;位于所述下表面的接地层,所述接地层由在所述下表面的下导电图案10隔为两部分,所述两个射频元件4、5分别电连接到所述接地层的两部分。
参见图2,所述硅芯片1具有隔离所述两个射频元件4、5的隔离沟槽8,所述隔离沟槽8大于所述两个射频元件的最大尺寸,所述隔离沟槽8填充有隔离物质。
所述凹槽2底壁和侧壁具有导电图案6,所述两个射频元件4、5通过导电球7和所述导电图案6电连接至所述下表面的接地层和导电图案10。
所述中介载板1具有导电通孔11。所述凹槽2的底壁的导电图案6与所述导电通孔11电连接,所述导电通孔11与所述下表面的导电图案10电连接。所述上表面具有上导电层12所述中介载板1的侧面具有导电层9,电连接至所述接地层。
最后应说明的是:显然,上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例,而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。