阻气叠层、半导体装置、显示元件、显示装置和系统的制作方法

本公开总体上涉及一种阻气叠层、半导体装置、显示元件、显示装置和系统。

背景技术：

对于诸如显示器、照明装置以及太阳能电池等电子装置领域中的基板，除了包括透明度、耐热性、耐溶剂性和层间附着力的若干物理属性之外，还要求高水平的阻气性。为此，研究了在基板和半导体元件之间提供具有阻气性的阻挡层。

作为获得阻气性的示例，一种技术是将包含梯形聚有机硅倍半硅氧烷的主要成分的树脂层沉积在塑料膜的至少一个上以及将包括氧化硅、氧化硅/氮化硅、氧化硅碳化物、碳化硅、氮化硅和二氧化硅中的任一的无机化合物层形成在树脂层中，以便获得阻气叠层(例如，参见日本未审查专利申请公布号2006-123307)。

技术实现要素：

在一个实施例中，阻气叠层包括基板和形成在基板的表面中的至少一个上的阻挡层。该阻挡层包括含硅和碱土金属的复合氧化物。

附图说明

图1是在第一实施例中的阻气叠层的剖视图；

图2是在第一实施例中的场效应晶体管的剖视图；

图3a至图3e是制造第一实施例中的场效应晶体管的过程的视图；

图4是在第一实施例的变型例中的场效应晶体管的第一剖视图；

图5是在第一实施例的另一变型例中的场效应晶体管的第二剖视图；

图6是在第一实施例的又一变型例中的场效应晶体管的第三剖视图；

图7是在第二实施例中的电视设备的构造的框图；

图8示出第二实施例中的电视设备；

图9示出第二实施例中的电视设备；

图10示出第二实施例中的电视设备；

图11示出第二实施例中的显示元件；

图12示出第二实施例中的有机el元件；

图13示出第二实施例中的电视设备；

图14示出第二实施例中的另一显示元件；以及

图15示出第二实施例中的又一显示元件。

具体实施方式

本发明的至少一个实施例的总体目的是提供基本上消除由相关技术的局限和缺点导致的一个或多个问题的阻气叠层、半导体装置、显示元件、显示装置和系统。

下面，参考附图描述本发明的实施例。在附图中，相同的部件具有相同的附图标记，并在一些情况下省略了重复描述。

<第一实施例>

<阻气叠层>

图1是在第一实施例中，阻气叠层的剖视图。参考图1，阻气叠层10包括基板11和阻挡层12。

基板11是绝缘构件，并充当用于形成阻挡层12的基体。基板11的形状、结构和尺寸没有特别限制，可以根据需要为了目的进行选择。基板11的材料没有特别限制。基板11的材料可以是刚性材料或挠性材料(即具有挠性的材料)，并可以根据需要为了目的进行选择。下面给出特定示例。

例如，玻璃基板或塑料基板可以用于基板11。没有特别限制玻璃基板，可以根据需要为了目的选择任何玻璃基板。玻璃基板的示例可以包括但不限于无碱玻璃和二氧化硅玻璃。没有特别限制塑料基板，可以根据需要为了目的选择任何塑料基板。塑料基板的示例可以包括但不限于聚碳酸酯(pc)、聚酰亚胺(pi)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)和聚对萘二甲酸乙二醇酯(pen)。

阻挡层12形成在基板11的表面中的至少一个上。阻挡层12可以形成在基板11的两个表面上。阻挡层12是阻挡诸如氧气或水蒸汽的气流(即气体物质)的层。例如，当半导体元件安装在阻挡层12上时，阻挡层12防止氧气或水蒸汽从基板11侧到达半导体元件。没有特别限制平均厚度，可以根据需要为了目的选择阻挡层12的任何平均厚度。

阻挡层12包括含硅和碱土金属的复合氧化物。与包括sio2的已知阻挡层的线性膨胀系数相比，这种阻挡层12更多地提高了线性膨胀系数。因此，阻挡层12实现为几乎不会遭受例如由基板11随着温度变化的膨胀和收缩导致的细微缺陷，比如裂纹、脱皮和针孔。此外，由于在透明度和耐热性方面很好，含硅和碱土金属的复合氧化物可应用于半导体装置，例如薄膜晶体管。

包含在复合氧化物中的碱土金属可以是例如al、b、mg、ca、sr和ba中的至少一个。或者，复合氧化物可以包括一些(或全部)al、b、mg、ca、sr和ba。复合氧化物可包括al和b中的至少一个。

<场效应晶体管>

在本文中，作为使用阻气叠层的示例，描述在阻气叠层上制作的场效应晶体管。

图2是在第一实施例中的场效应晶体管的剖视图。参见图2，场效应晶体管20包括阻气叠层10、活性层21、源极22、漏极23、栅绝缘层24和栅极25。场效应晶体管20是顶栅顶接触场效应晶体管(top-gatetop-contactfield-effecttransistor)。注意的是，在一个或多个实施例中，场效应晶体管20是半导体装置的代表示例。

在场效应晶体管20中，在阻气叠层10中，活性层21形成在具有绝缘属性的阻挡层12上。源极22和漏极23形成在活性层21上，以在活性层21中形成通道。栅绝缘层24形成为覆盖活性层21、源极22和漏极23。栅极25形成在栅绝缘层24上。在下文中，详细描述场效应晶体管20的构成元件。

在本实施例中，为了简明，栅极25侧称为顶侧或第一侧，而基板11侧称为底侧或第二侧。此外，在每个层中，栅极25侧上的表面称为顶侧或第一侧，而基板11侧上的表面称为底侧或第二侧。场效应晶体管20还可颠倒使用，或者可以任意角度布置。此外，平面视图意味着当在基板11的上表面的正交方向上观看目标对象时的视图。平面形状意味着当在基板11的上表面的正交方向上观看目标对象时的形状。另外，纵向区段意味着沿各层在基板11上的堆叠方向截取的区段。横向区段意味着沿各层在基板11上的堆叠方向(即，平行于基板11的顶表面的方向)截取的区段。

活性层21形成在阻挡层12的给定区域中。活性层21可以是包括例如氧化物半导体的层。关于氧化物半导体，例如可以使用n型氧化物半导体。在该情况下，没有特别限制n型氧化物半导体，可以根据需要为了目的选择任意n型氧化物半导体。n型氧化物半导体的示例可以包括但并不限于基于mg-in的氧化物半导体和基于in的氧化物半导体。没有特别限制平均厚度，可以根据需要为了目的选择活性层21的任意平均厚度。活性层21的平均厚度可以是1纳米至200纳米。活性层21的平均厚度可以是5纳米至100纳米。

源极22和漏极23形成在阻挡层12上。源极22和漏极23部分地覆盖活性层21。源极22和漏极23以用于通道区域的给定间隔彼此分隔开。源极22和漏极23根据施加到栅极25的栅压使电流可用。与源极22和漏极23一起，分别联接到源极22和漏极23的互连件形成在相同层上。

没有特别限制用于源极22、漏极23和互连件的材料，可以根据需要为了目的选择任意材料。材料的示例可以包括但不限于诸如al、au、pt、pd、ag、cu、zn、ni、cr、ta、mb、ti的金属、这些金属的合金以及这些金属的混合物。或者，可以使用诸如氧化铟、氧化锌、氧化锡、氧化镓、氧化铌的导电氧化物、这些导电氧化物的络合物或这些氧化物的混合物。

没有特别限制源极22、漏极23和互连件的平均厚度，可以根据需要为了目的选择任意平均厚度。源极22、漏极23和互连件的平均厚度可以为40纳米至2微米。源极22、漏极23和互连件的平均厚度可以是70纳米至1微米。

栅绝缘层24覆盖活性层21、源极22和漏极23。栅绝缘层24形成在阻挡层12上。栅绝缘层24使源极22和漏极23与栅极25绝缘。栅绝缘层24的材料没有特别限制，可以根据需要为了目的选择任意材料。例如，可以使用无机绝缘材料或有机绝缘材料。

无机绝缘材料的示例可以包括但不限于二氧化硅、氧化铝、氧化钽、氧化钛、氧化钇、氧化镧、二氧化铪、氧化锆、氮化硅、氮化铝以及上述材料的混合物。有机绝缘材料的示例可以包括但不限于聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚乙烯醇和酚醛清漆树脂。栅绝缘层24的平均厚度没有特别限制，可以根据需要为了目的选择任意平均厚度。栅绝缘层24的平均厚度可以是50纳米至3微米。栅绝缘层24的平均厚度可以是100纳米至1微米。

包含在阻气叠层10中的阻挡层12是绝缘层，栅绝缘层24可具有与阻挡层12相同的成分。确切地，栅绝缘层24可包括含硅和碱土金属的复合氧化物。

阻挡层12与栅绝缘层24部分地接触。具有相同成分的阻挡层12和栅绝缘层24两者改进了阻挡层12和栅绝缘层24之间的粘附性能。此外，具有相同成分的阻挡层12和栅绝缘层24两者降低了在阻挡层12和栅绝缘层24之间的边界处产生缺陷的可能性。特别地，在顶栅场效应晶体管中，阻挡层12和栅绝缘层24完全覆盖活性层21。相应地，改进了阻挡活性层21的流动的阻气性。

栅极25堆叠在活性层21至栅绝缘层24上方。栅极25施加栅压。栅极25的材料没有特别限制，可以根据需要为了目的选择任意材料。例如，可以使用与源极22或漏极23的材料相同的材料。栅极25的平均厚度没有特别限制，可以根据需要为了目的选择任意平均厚度。栅极25的平均厚度可以是40纳米至2微米。栅极25的平均厚度可以是70纳米至1微米。

<制造场效应晶体管的方法>

接下来，描述图2中示出的制造场效应晶体管的方法。图3a至图3e是制造第一实施例中的场效应晶体管的过程的视图。

首先，在图3a的工艺中，制作阻气叠层10。确切地，首先制备包括玻璃基板或塑料基板的基板11。然后，包括含硅和碱土金属的复合氧化物的阻挡层12形成在基板11上。为了形成阻挡层12，例如，制作含硅和碱土金属的复合氧化物的涂覆液体。涂覆液体施加到基板11上。然后，在给定温度下执行干燥和烘烤过程。为了清洁基板11的表面并改进基板11的粘合性能，在形成阻挡层12之前可以执行使用氧等离子体或紫外线臭氧的预处理或者紫外线照射。

接下来，在图3b的工艺中，活性层21形成在阻气叠层10的阻挡层12上。为了形成活性层21，首先，通过例如溅射在活性层21上形成包含氧化物半导体的层。如上所述，可以根据需要为了目的选择氧化物半导体的材料。例如，可以使用基于mg-in的氧化物半导体。当基于mg-in的氧化物半导体用于氧化物半导体时，例如，包含in2mgo4的合成物的多晶烧成体可用于目标。此外，可以针对合适的总压力调节溅射室中达到的真空度或在溅射时流动的氩气和氧气的流率。在氧化物半导体形成在基板11上之后，例如通过光刻和蚀刻来图案化氧化物半导体。形成具有预定形状的活性层21。

在图3c的工艺中，源极22和漏极23形成在活性层21上。为了形成源极22和漏极23，覆盖活性层21的金属膜首先通过真空沉积方法形成在阻挡层12上。然后，例如通过光刻和蚀刻来图案化已形成的金属膜。形成具有预定形状的源极22和漏极23。

如上所述，可以根据需要选择形成为源极22和漏极23的金属材料、源极22或漏极23的厚度。在该工艺中，与源极22和漏极23一起，联接到源极22和漏极23的互连件也形成在活性层21上。

接下来，在图3d的工艺中，栅绝缘层24形成在阻挡层12上。栅绝缘层24覆盖活性层21、源极22和漏极23。栅绝缘层24可以通过例如等离子体化学气相沉积(cvd)方法形成。如上所述，栅绝缘层24的材料和厚度可以根据需要进行选择。

接下来，在图3e的工艺中，栅极25形成在栅绝缘层24上。为了形成栅极25，金属膜首先通过例如真空沉积方法形成在栅绝缘层24上。然后，例如通过光刻和蚀刻来图案化已形成的金属膜。形成具有预定形状的栅极25。如上所述，栅极25的材料和厚度可以根据需要进行选择。

在上述过程中，可以制造图2所示的顶栅顶接触类型的场效应晶体管20。

如上所述，在第一实施例的场效应晶体管20中，包含活性层21的层形成在阻气叠层10上。该构造防止氧气或水蒸汽从基板11侧到达活性层21侧。结果，避免了场效应晶体管20的性能恶化。

此外，阻挡层12包括含硅和碱土金属的复合氧化物。与由sio2和其它材料制成的已知阻挡层的线性膨胀系数相比，该构造更多地提高了线性膨胀系数。该构造还获得了几乎不会遭受例如由基板11根据温度变化的膨胀和收缩而导致的细微缺陷(比如裂纹、脱皮和针孔)的阻挡层。结果，避免了阻挡层12的阻气性随着时间而恶化。在长时间内维持场效应晶体管20的性能。

另外，还在基板11是挠性膜状基板的情况下，阻挡层12具有高线性膨胀系数，并跟随基板11的膨胀和收缩。因此，阻挡层12几乎不会遭受细微缺陷。结果，避免了阻挡层12的阻气性随着时间而恶化。在长时间内维持场效应晶体管20的性能。

<第一实施例的变型例>

在第一实施例的变型例中，描述具有与第一实施例中的场效应晶体管的结构不同的层结构的场效应晶体管的示例。在第一实施例的变型例中，在一些情况下，省略了与上述部件相同的部件的描述。

图4至图6是在第一实施例的变型例中的场效应晶体管的剖视图。

图4所示场效应晶体管20a是顶栅底接触场效应晶体管。图5所示场效应晶体管20b是底栅顶接触场效应晶体管。图6所示场效应晶体管20c是底栅底接触场效应晶体管。在第一实施例的变型例中，场效应晶体管20a至20c是半导体装置的代表示例。

形成在阻气叠层10上的场效应晶体管不限于顶栅顶接触场效应晶体管，可以是顶栅底接触场效应晶体管、底栅顶接触场效应晶体管或底栅底接触场效应晶体管。另外在这些情况中，可以获得与第一实施例相同的优点。

<示例1至4>

在示例1至4的每个中，图1所示阻气叠层10的阻挡层12制作为具有不同成分。在下面的示例1至4中，如果没有特别规定，“％”表示“质量百分比”。

<制作用于形成阻挡层12的涂覆液体>

表1所示量被混合为溶液，溶液包含四甲氧基硅烷(t5702-100g,aldrich)、铝(s-丁醇金属)乙酸酯螯合物(aluminum(s-butoxide)diacetoacidesterchelate)(包含8.4％的al,alfa89349,alfaaesar),硼酸三异丙酯(boricacidtriisopropyl)(wako320-41532,wakochemicalltd.),2-乙基己酸钙矿物酒精溶液(2-ethylhexanoicacidcalciummineralspiritsolution)(包含5％的ca,wako351-01162,wakochemicalltd.),以及2-乙基己酸锶甲苯溶液(2-ethylhexanoicacidstrontiumtoluenesolution)(包含2％的sr，wako195-09561,wakopurechemicalindustries,ltd.)。然后，用甲苯稀释混合溶液，获得用于形成阻挡层12的涂覆液体。形成有用于形成阻挡层12的涂覆液体的复合氧化物具有下面表1所示成分。

<外观检查>

0.4毫米的用于形成阻挡层12的涂覆液体施加到基板11。随后，在120摄氏度下在空气中执行干燥工艺一小时。然后，在400摄氏度下在o2气氛下执行烘焙工艺三小时。形成包含sio2-al2o3-b2o3-cao-sro的复合氧化物膜的阻挡层12。阻挡层12的平均厚度为约30纳米。最后，在320摄氏度下执行加热工艺30分钟。然后，评估外观。结果在下面的表1中示出。

<形成用于测量相对电容率的电容器>

首先，下电极形成在基板上。确切地，经由金属掩模通过dc溅射沉积钼(mo)膜，以具有100纳米的平均厚度。然后，在各示例中用于形成阻挡层12的涂覆液体用于在上述相同工艺中形成介电层。最后，上电极在与形成下电极相同的工艺中形成在介电层上。因此，形成电容器。介电层具有约30纳米的平均厚度。电容器如上所述地形成，然后，通过lcr仪表(4284a,agilent)测量相对电容率。结果在表1中示出。

<制作用于测量线性膨胀系数的样本>

制作在各示例中用于形成阻挡层12的一升涂覆液体。消除了溶剂，在1600摄氏度下在铂(pt)坩埚中执行加热工艺，发生熔化。然后，通过浮标法制作具有5毫米直径和10毫米高度的柱状物体。柱状物体在20摄氏度至300摄氏度的温度范围内的平均线性膨胀系数由热机械分析仪(8310系列,rigakucorporation)测量。在各示例中，制作的柱状物体具有与用于形成阻挡层12的涂覆液体沉积在基板的表面任一上的情况的成分相同的成分。制作的柱状物体还具有相同的线性膨胀系数。结果在表1中示出。

<表1>

<对比示例>

<外观检查>

通过使用sicl4作为材料，sio2层通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺形成在基板11上。形成的sio2层具有约30纳米的平均厚度。最后，在320摄氏度下执行加热工艺30分钟。然后，评估外观。结果在下面的表2中示出。

<形成用于测量相对电容率的电容器>

首先，下电极形成在基板上。确切地，经由金属掩模通过dc溅射沉积钼(mo)膜，以具有100纳米的平均厚度。然后，在与各示例中的过程相同的过程中形成包括sio2层的介电层。最后，上电极在与形成下电极的工艺相同的工艺中形成在介电层上，由此形成电容器。介电层具有约30纳米的平均厚度。电容器如上所述般形成，然后，通过lcr仪表(4284a,agilent)测量相对电容率。结果在下面的表2中示出。

<制作用于测量线性膨胀系数的样本>

通过使用sicl4作为材料，在氢氧焰中执行水解工艺，以生长二氧化硅粉末，获得sio2多孔体。然后，在1600摄氏度的高温下熔化sio2多孔体。制作具有5毫米直径和10毫米高度的柱状sio2玻璃。制作的柱状sio2玻璃在20摄氏度至300摄氏度的温度范围内的平均线性膨胀系数由热机械分析器(8310系列,rigakucorporation)测量。结果在表2中示出。

<表2>

如表1和表2所示，在对比示例中，线性膨胀系数为5×10^-7/k，且发生了脱皮。然而，在示例1至4中，在最下方的线性膨胀系数为24.7×10^-7/k，且没有发生脱皮。

换言之，包括含硅和碱土金属的复合氧化物的阻挡层12的线性膨胀系数是在对比示例中的sio2层的大致五倍或更多。这些结果呈现出，示例1至4中的阻挡层12几乎不会遭受例如由基板根据温度变化膨胀和收缩导致的细微缺陷，如裂纹、脱皮和针孔。换言之，示例1至4中的阻挡层12能够防止阻气性的恶化。

<第二实施例>

在第二实施例中，描述显示元件、显示装置和系统的示例，第一实施例中的场效应晶体管应用到显示元件、显示装置和系统。在第二实施例中，在一些情况下，省略了对与上述部件相同的部件的描述。

<显示元件>

第二实施例中的显示元件至少包括光学控制元件和构造成驱动光学控制元件的驱动电路。此外，显示元件可根据需要包括其它构件。没有特别限制光学控制元件。光学控制元件可以是响应于驱动信号控制光学输出的任何元件，并可根据需要为了目的进行选择。光学控制元件的示例可包括但不限于电致发光(el)元件、电致变色(ec)元件、液晶元件、电泳元件和电润湿元件。

没有特别限制驱动电路，驱动电路可以是包括第一实施例中的场效应晶体管的任何电路，并可根据需要为了目的进行选择。没有特别限制其它构件，其它构件可以根据需要为了目的进行选择。

第二实施例中的显示元件包括第一实施例中的场效应晶体管。因此，防止了阻气性随时间变化的恶化。长时间维持场效应晶体管的性能。结果，持续有高质量的显示。

<显示装置>

第二实施例中的显示装置包括多个第二实施例中的显示元件、多个互连件和显示控制器。此外，显示装置可根据需要包括其它构件。没有特别限制多个显示元件，可以是第二实施例中矩阵布置的任何显示元件，并可根据需要为了目的进行选择。

没有特别限制多个互连件。多个互连件可以是能够独立地施加栅压和可视化数据信号至显示元件中的场效应晶体管的任何互连件，并可根据需要为了目的进行选择。

没有特别限制显示控制器，所以显示控制器可以是能够经由多个互连件独立地控制每个场效应晶体管中的栅压和信号电压的任何显示控制器，并且可以根据需要为了目的进行选择。没有特别限制其它构件，其它构件可以根据需要为了目的进行选择。

第二实施例中的显示装置包括含第一实施例中的场效应晶体管的显示元件。因此，持续有高质量显示。

<系统>

第二实施例中的系统至少包括第二实施例中的显示装置和可视化数据库创建器。可视化数据库创建器根据要显示的图像的信息创建可视化数据，然后输出可视化数据至显示装置。

由于该系统包括第二实施例中的显示装置，所以得到可视化信息的高清晰度显示。

在下文中，具体地描述显示元件、显示装置和系统。

图7示出电视设备500的轮廓构造。电视设备500是第二实施例中的系统的示例。图7中的连接线表示信号和信息的代表流，但是并不表示方框之间的所有连接关系。

第二实施例中的电视设备500包括主控制器501、调谐器503、ad转换器(adc)504、解调电路505、传输流(ts)解码器506、音频解码器511、da转换器(dac)512、音频输出电路513、扬声器514、视频解码器521、视频和osd合成电路522、视频输出电路523、显示装置514、osd绘制(drawing)电路525、存储器531、操作装置532、驱动接口(驱动if)541、硬盘装置542、光盘装置543、ir光学接收器551和通信控制器552。

主控制器501控制整个电视设备500。主控制器510包括cpu、快闪rom、ram和一些其它部件。以可读代码写在cpu上的程序和用于cpu上的过程的各种数据存储在快闪rom中。ram是工作存储器。

调谐器503从由天线610接收的广播波段中选择预定频道的广播。adc504将来自调谐器503的输出信号(即模拟信息)转换为数字信息。解调电路505解调由adc504供给的数字信息。

ts解码器506对从解调电路505供给的输出信号执行ts解码过程，以分离音频信息和视频信息。音频解码器511从ts解码器506中解码音频信息。dac512将来自音频解码器511的输出信号转换为模拟信号。

音频输出电路513接收从dac512供给的输出信号，然后将输出信号输出至扬声器514。视频解码器512解码从ts解码器506供给的视频信息。视频和osd合成电路522合成从视频解码器521供给的输出信号和从osd绘制电路525供给的输出信号。

视频输出电路523接收从视频和osd合成电路522供给的输出信号，然后将输出信号输出至显示装置524。osd绘制电路525包括字符发生器，用于在显示装置524的屏幕上显示字符和图形。osd绘制电路525响应于来自操作装置532或ir光学接收器551的指令产生包括显示信息的信号。

音频-可视化(av)数据和其它数据暂时收集在存储器531中。操作装置532包括输入介质(未示出)，其是控制面板的示例。操作装置532告知主控制器501由用户输入的各种类型的信息。驱动if541可以是双向通信接口。例如，这种接口符合at扩展包接口(atapi)。

硬盘装置542包括硬盘和构造成驱动硬盘的驱动装置。驱动装置记录硬盘中的数据，并播放记录在硬盘中的数据。光盘装置543在光盘(例如dvd)中记录数据，并插入记录在光盘中的数据。

ir光学接收器551接收来自远程控制发射器620的光学信号，并告知主控制器501所接收的光学信号。通信控制器552控制与因特网的通信。电视设备500能够经由因特网获得各种类型的信息。

如图8所示，作为示例，显示装置524包括显示单元700和显示控制器780。如图9所示，作为示例，显示单元700包括显示器710。在显示器710中，多个显示元件702以矩阵布置(在此，显示元件702的数量由n×m)表示)。

如图10所示，作为示例，显示器710包括n个扫描线(x0、x1、x2、x3,…,xn-2、xn-2)、m个数据线(y0、y1、y2、y3,…,ym-1)和m个电流供给线(y0i、y1i、y2i、y3i,…,ym-1i)。n个扫描线在x轴方向上以相等间隔布置。m个数据线在y轴方向上以相等间隔布置。m个电流供给线在y轴方向上以相等间隔布置。显示元件702均可通过扫描线和数据线而确认。

如图11所示，作为示例，显示元件702均包括有机电致发光(el)元件750和驱动电路720，驱动电路构造成导致有机el元件750发光。换言之，显示器710是所谓的有源矩阵有机el显示器。此外，显示器710可以是颜色支持的32英寸显示器。尺寸不限于32英寸。

如图12所示，作为示例，有机el元件750包括有机el薄膜层740、阴极712和阳极714。

有机el元件750可以例如挨着场效应晶体管布置。在该情况下，有机el元件750和场效应晶体管可以形成在相同的基板上。然而，有机el元件750的布置不限于上述布置。例如，有机el元件750可以布置在场效应晶体管上。在该情况下，对于栅极需要透明度。因此，具有导电属性的透明氧化物(比如ito、in2o3、sno2、zno、添加ga的zno、添加al的zno和添加sb的sno2)可用于栅极。

在有机el元件750中，可以使用铝(al)-锂(li)合金或铟锡氧化物(ito)。ito可以用于阳极714。可以使用具有导电属性的氧化物(比如in2o3、sno2或zno或银(ag)-钕(nd)合金)。

有机el薄膜层740包括电子传输层742、发光层744和空穴传输层746。阴极712联接到电子传输层742，阳极714联接至空穴传输层746。当在阴极712和阳极714之间施加给定电压时，发光层744发光。

如图11所示，驱动电路720包括两个场效应晶体管810和820以及电容器830。场效应晶体管810作为开关元件操作。栅极g联接至给定扫描线。源极s联接至给定数据线。漏极d联接至电容器830末端之一。

电容器830构造成存储场效应晶体管810的状态，即电容器830构造成存储数据。电容器830的末端的另一个联接至给定电流供给线。

场效应晶体管820构造成将大电流供给至有机el元件750。栅极g联接至场效应晶体管810的漏极d。漏极d联接至有机el元件750的阳极714。源极s联接至给定电流供给线。

当场效应晶体管810变成接通状态时，场效应晶体管820驱动有机el元件750。

如图13所示，作为示例，显示控制器780包括可视化数据处理单元782、扫描线驱动电路784和数据线驱动电路786。

可视化数据处理电路782根据从视频输出电路523供给的输出信号确定多个显示元件702在显示器710上的亮度。扫描线驱动电路784响应于来自可视化数据处理电路782的指令对n个扫描线独立地施加电压。数据线驱动电路786响应于来自可视化数据处理电路782的指令独立地对m个数据线施加电压。

如从上述描述中明白的，在第二实施例的电视设备500中，可视化数据创建器包括视频解码器521、视频和osd合成电路522、视频输出电路523以及osd绘制电路525。

在上述描述中，描述了光学控制元件是有机el元件的情况。然而，光学控制元件不限于有机el元件。光学控制元件可以是液晶元件、电致变色元件、电泳元件和电润湿元件。

在光学控制元件是液晶元件的情况中，例如，液晶显示器用于显示器710。在该情况下，如图14所示，在显示元件703中不必有电流供给线。

还在该情况下，如图15所示，作为示例，驱动电路730可以构造有仅一个场效应晶体管840，其具有与场效应晶体管810或820的构造相同的构造。在场效应晶体管840中，栅极g联接至给定扫描线。源极s联接至给定数据线。漏极d联接至液晶元件770的像素电极和电容器760。在图15中，附图标记762和772分别表示电容器760和液晶元件770的相对电极(即通用电极)。

在上述实施例中，描述了系统是电视设备的情况。然而，实施例不限于上述情况。简而言之，显示装置524可提供用于显示视频和信息。例如，可以提供计算机系统，其中，计算机(例如个人电脑)和显示装置524彼此联接。

此外，显示装置524可用于移动信息装置或图像捕获装置中的显示器。移动信息装置的示例可包括但不限于移动电话、移动音乐播放器、移动视频播放器、电子书和个人数字助理(pda)。图像捕获装置的示例可包括但不限于照相机和摄像机。

另外，显示装置524可用于在可移动体系(比如车辆、飞机、火车或船)中显示各种类型的信息的显示装置。而且，显示装置524可用于在测量装置、分析器、医疗装置或广告媒介中显示各种类型的信息的显示装置。

迄今，已详细描述了各实施例。然而，本发明不限于这些实施例，在不脱离本发明的范围的情况下，有各种变型例和修改例。