1.一种标准单元库的版图结构，所述版图结构对应芯片版图设计中的有源器件，其特征在于，所述版图结构包括：
左边界，所述左边界包括至少两个区段，所述左边界的至少一个区段与对应所述有源器件的电源线的电源线图形和/或对应所述有源器件的地线的地线图形重合；
右边界，所述右边界包括至少两个区段，所述右边界的至少一个区段与对应所述有源器件的地线的地线图形和/或对应所述有源器件的电源线的电源线图形重合；
复数个通孔图形，所述电源线图形上以及所述地线图形上设有分别设有至少一个所述通孔图形，每个所述通孔图形分别用于所述有源器件与所述电源线/所述地线连接；
所述电源线图形的宽度为所述有源器件实际电源线宽度的二分之一；
所述地线图形的宽度为所述有源器件实际地线宽度的二分之一；
所述通孔图形的宽度为所述有源器件实际通孔宽度的二分之一。
2.如权利要求1所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述版图结构还包括：
电源总线图形，所述电源总线图形对应电源总线，所述电源总线图形与所述版图结构的上边界重合；
地总线图形，所述地总线图形对应地总线，所述地总线图形与所述版图结构的下边界重合，所述电源总线图形与所述地总线图形平行。
3.如权利要求2所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括两个所述电源线、P型有源区、栅极、输入端以及输出端；
所述版图结构包括：
两个电源线图形，每个所述电源线图形分别对应所述电源线，每个所述电源线图形分别与所述电源总线图形垂直且连接；
P型有源区图形，所述P型有源区图形对应所述P型有源区，所述电源总线图形通过所述电源线图形与所述P型有源区图形连接；
栅极图形，所述栅极图形对应所述栅极，所述栅极图形与所述P型有源区图形连接；
输入端图形，所述输入端图形对应所述输入端，所述输入端图形与所述栅极图形连接；
输出端图形，所述输出端图形对应所述输出端，所述输出端图形与所述P型有源区图形中对应所述P型有源区的漏极区域连接。
4.如权利要求3所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括第一通孔；
所述版图结构包括：
第一通孔图形，所述第一通孔图形的位置对应所述电源线与所述P型有源区的连接点。
5.如权利要求2所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括两个所述地线、N型有源区、栅极、输入端以及输出端；
两个地线图形，每个所述地线图形分别对应所述地线，每个所述地线图形分别与所述地总线图形垂直且连接；
N型有源区图形，所述N型有源区图形对应所述N型有源区，所述地总线图形通过所述地线图形与所述N型有源区图形连接；
栅极图形，所述栅极图形对应所述栅极，所述栅极图形与所述N型有源区图形连接；
输入端图形，所述输入端图形对应所述输入端，所述输入端图形与所述栅极图形连接；
输出端图形，所述输出端图形对应所述输出端，所述输出端图形与所述N型有源区图形中对应所述N型有源区的漏极区域连接。
6.如权利要求5所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括第二通孔；
所述版图结构包括：
第二通孔图形，所述第二通孔的位置对应所述地线与所述N型有源区的连接点。
7.如权利要求2所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括两个所述电源线、两个所述地线、P型有源区、N型有源区、栅极、输入端以及输出端；
所述版图结构包括：
两个电源线图形，每个所述电源线图形分别对应所述电源线，每个所述电源线图形分别与所述电源总线图形垂直且连接；
两个地线图形，每个所述地线图形分别对应所述地线，每个所述地线图形分别与所述地总线图形垂直且连接；
P型有源区图形，所述P型有源区图形对应所述P型有源区，所述电源总线图形通过所述电源线图形与所述P型有源区图形连接；
N型有源区图形，所述N型有源区图形对应所述N型有源区，所述地总线图形通过所述地线图形与所述N型有源区图形连接；
栅极图形，所述栅极图形对应所述栅极，所述栅极图形与所述P型有源区图形以及所述N型有源区图形连接；
输入端图形，所述输入端图形对应所述输入端，所述输入端图形与所述栅极图形连接；
输出端图形，所述输出端图形对应所述输出端，所述输出端图形分别与所述P型有源区图形中对应所述P型有源区的漏极区域以及所述N型有源区图形中对应所述N型有源区的漏极区域连接。
8.如权利要求7所述标准单元库的版图结构，其特征在于，所述有源器件包括第一通孔和第二通孔；
所述版图结构包括：
第一通孔图形，所述第一通孔图形的位置对应所述电源线与所述P型有源区的连接点；
第二通孔图形，所述第二通孔的位置对应所述地线与所述N型有源区的连接点。
9.根据权利要求8所述的版图结构，其特征在于，所述有源器件为CMOS反相器。