技术特征：
技术总结
一种半导体结构，包含半导体衬底、介电层、缓冲层、至少一个凹槽和至少一个导体。介电层位于半导体衬底上。缓冲层位于半导体衬底和介电层之间。凹槽穿过介电层和缓冲层延伸进半导体衬底内，其中缓冲层相对于蚀刻工艺具有去除速率以形成凹槽。缓冲层的去除速率介于半导体衬底的去除速率和介电层的去除速率之间。导体位于凹槽内。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
技术研发人员：吕相钦;吴建志;杨哲勋;陈鸿文
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.09
技术公布日：2017.08.04