1.一种半导体器件的导通孔结构，其特征在于，包括：
半导体基体；
导通孔，形成在所述半导体基体中，所述导通孔中填充有电镀材料，所述电镀材料覆盖所述导通孔的底部，以及所述导通孔的内表面，所述电镀材料中间形成有空隙，所述空隙中填充有有机聚合物；
依次形成在所述半导体器件表面的下金属层和种子层，所述下金属层和所述种子层覆盖所述电镀材料和所述有机聚合物；
微凸点，形成在所述种子层上方，且与所述导通孔的位置对应。
2.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述电镀材料为铜。
3.根据权利要求2所述的导通孔结构，其特征在于，所述有机聚合物为通过化学接枝工艺制成。
4.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体的电阻率小于或等于106Ω·cm。
5.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述导通孔的直径小于或等于50μm，所述导通孔的深宽比范围为5:1～20:1。
6.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体为单质半导体或化合物半导体。
7.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体p型半导体或n型半导体。
8.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体的材料为硅。
9.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述半导体基体的材料为砷化镓。
10.根据权利要求1所述的导通孔结构，其特征在于，所述导通孔为通孔或盲孔。