1.一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层,其特征在于:所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层,每个周期内均包含A、B两层材料,且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N;其中,N≥2,A材料的晶格常数为a,B材料的晶格常数为b,a与b不同。
2.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层,其特征在于:所述A、B材料具有相同的空间晶格点阵结构。
3.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层,其特征在于:所述A、B材料具有相同或者不同的元素种类数目。
4.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层,其特征在于:所述A、B材料的厚度比的变化方式具体为:N:1,(N-1):2,(N-2):3,(N-3):4,……,4:(N-3),3:(N-2),2:(N-1),1:N。
5.根据权利要求1所述的一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层,其特征在于:所述缓冲层的总厚度为T nm,T>0。