本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管显示面板及显示器。
背景技术:
现有的有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示面板,包括显示功能层和位于显示功能层之上的封装层,但是在显示面板制作过程中,在薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)后,封装层阻挡水氧的效果较差。
技术实现要素:
本申请实施例提供了一种有机发光二极管显示面板、显示器,用以通过在挡墙之上的无机层之上增设的保护层,阻止无机层裂纹继续生长,从而提高产品密封性,还可以提高产品弯折性。
本申请实施例提供的一种有机发光二极管显示面板,包括显示区和相邻的周边区,所述显示面板包括衬底基板、显示功能层和封装层;所述显示区包括显示功能层,所述周边区包括第一挡墙,所述第一挡墙围绕所述显示区设置;所述封装层包括至少一层无机层,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述至少一层无机层覆盖所述第一挡墙;所述显示面板还包括保护层,在垂直于所述衬底基板的方向上,所述保护层覆盖所述第一挡墙上方的所述至少一层无机层。
本申请实施例提供了一种显示器,包括本申请实施例提供的上述显示面板。
本申请实施例提供的显示面板,通过在所述第一挡墙之上的无机层之上增设保护层,从而所述保护层可以保护所述第一挡墙之上的无机层,阻止所述无机层裂纹继续生长,从而提高产品密封性,还可以提高产品弯折性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种显示面板平面结构示意图;
图2为沿图1中BB’线的一种剖面结构示意图;
图3为沿图1中BB’线的另一种剖面结构示意图;
图4为沿图1中BB’线的又一种剖面结构示意图;
图5为沿图1中BB’线的又一种剖面结构示意图;
图6为本申请实施例提供的另一种显示面板平面结构示意图;
图7为图6实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图;
图8为本申请实施例提供的又一种显示面板平面结构示意图;
图9为图8实施例提供的显示面板的一种剖面结构示意图;
图10为图8实施例提供的显示面板的另一种剖面结构示意图;
图11为沿图1中BB’线的又一种剖面结构示意图;
图12为沿图1中BB’线的又一种剖面结构示意图;
图13为本申请实施例提供的一种第一挡墙与显示功能层结构示意图;
图14为本申请实施例提供的又一种显示面板平面结构示意图;
图15为沿图14中AA’线的一种剖面结构示意图;
图16为本申请实施例提供的掩模及封装流程示意图。
具体实施方式
本申请实施例提供了一种有机发光二极管显示面板及显示器,用以通过在挡墙之上的无机层之上增设的保护层,阻止无机层裂纹继续生长,从而提高产品密封性,还可以提高产品弯折性。
本申请实施例提供的一种有机发光二极管显示面板,如图1所示,包括衬底基板1,在所述衬底基板1之上包括显示区2和相邻的周边区3(即非显示区)。沿图1中BB’截面的结构如图2所示,所述显示区2包括显示功能层4,所述周边区3包括第一挡墙5,所述第一挡墙5围绕所述显示区设置;所述显示面板还包括设置在所述显示功能层4之上的封装层6;所述封装层6包括至少一层无机层7,在垂直于所述衬底基板1的方向上,所述至少一层无机层7覆盖所述第一挡墙5;所述显示面板还包括保护层8,在垂直于所述衬底基板1的方向上,所述保护层8覆盖所述第一挡墙5上方的所述至少一层无机层7。
其中,所述显示功能层4用于实现显示面板的显示功能,例如可以包括:移位寄存器(Vertical Shift Register,VSR),平坦化(Planarization,PLN)层,阳极(Reflecting Electrode,RE),像素定义层(Pixel Definition Layer,PDL)、阴极(Cathode)等。在显示面板制作过程中,所述封装层6可以在所述显示功能层之上进行薄膜封装的过程中形成。所述第一挡墙5围绕显示区环形设置,可用于阻挡外界水氧、阻隔喷墨打印(InkJetPrinting,IJP),同时用于在蒸镀制程中支撑高精度金属掩模板(Fine Metal Mask,FMM)掩模(mask)。
需要说明的是,在蒸镀制程中,在支撑FMMmask后,所述第一挡墙上容易出现划伤,之后的封装过程,封装层的无机层覆盖划伤的挡墙,无机层会在该划伤位置产生裂纹,从而会影响薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)的密封性,并且影响产品弯折性。因此在第一挡墙之上的无机层之上增设保护层,在无机层产生裂纹的情况下,保护层可以隔绝水氧,保护显示面板的内部结构。
本申请实施例提供的显示面板,通过设置第一挡墙阻挡外界水氧、并且在所述第一挡墙之上的无机层之上增设保护层,从而所述保护层可以保护所述第一挡墙之上的无机层,阻止所述无机层的裂纹生长,进而提高薄膜封装的密封性,还可以提高产品弯折性。
在一些可选的实现方式中,所述保护层还可以覆盖所述显示区内的封装层。
在一些可选的实现方式中,如图3所示,所述周边区3还包括:
设置在所述第一挡墙5远离所述显示区2一侧的第二挡墙9,所述第二挡墙9围绕所述第一挡墙5设置;在垂直于所述衬底基板1的方向上,所述保护层8还覆盖所述第二挡墙9。其中,所述第二挡墙可用于阻挡外界水氧、阻隔IJP,同时用于在蒸镀制程中支撑FMMmask。
如图4所示,当所述第二挡墙9之上有无机层7时,所述保护层8可以阻止所述无机层7裂纹继续生长,进而提高薄膜封装的密封性,还可以提高产品弯折性。需要说明的是,设置无机层的工艺过程中可能会出现工艺波动,所述无机层也有可能会延伸到所述第二挡墙之上。由于在蒸镀制程后,所述第二挡墙上也存在划伤,当无机层延伸到所述第二挡墙之上的情况下,所述无机层会产生裂纹,因此,在所述第二挡墙之上也需要设置保护层.
在一些可选的实现方式中,图2、3、4中的所述保护层为绝缘层。
在一些可选的实现方式中,如图5所示,所述显示面板还包括触控功能层10;在垂直于所述衬底基板1的方向上,所述触控功能层10包括第一触控电极层11和第二触控电极层12,以及用于使所述第一触控电极层11和所述第二触控电极层12相互绝缘的触控绝缘层13。
在一些可选的实现方式中,所述保护层8与所述触控绝缘层13同层设置。
当所述保护层为绝缘层时,所述绝缘层与所述触控绝缘层同层设置,即设置所述保护层,可以利用现有技术中的触控功能层制程,复用触控绝缘层作为保护层覆盖无机层,从而使得所述保护层与所述触控绝缘层可以在一个工艺流程中形成,在现有技术的基础上即可实现阻止所述无机层裂纹继续生长,并不需要增加额外的工艺。
需要说明的是,所述保护层与所述触控绝缘层同层设置只是本申请实施例提供的可选的方案,所述保护层当然也可以采用单独的工艺进行设置,例如所述保护层可以与所述触控绝缘层设置在不同的膜层。
可选地,所述触控功能层的一种设置方式如图6所示,所述第一触控电极层包括多个沿第一方向延伸的条状第一触控电极14,所述第二触控电极层包括多个沿第二方向延伸的条状第二触控电极15,所述第一方向与所述第二方向相互垂直;所述触控功能层还包括金属走线16。在一些可选的实现方式中,所述第一触控电极14和所述第二触控电极15均为透明电极。需要说明的是,图6中周边区3的部分只是为了示出的第一挡墙5和第二挡墙9在衬底基板的具体位置,实际上,在周边区3所述第一挡墙5和所述第二挡墙9之上还设置有无机层和保护膜,图6中周边区3部分均未示出。
在垂直于所述衬底基板的方向,所述显示面板的结构如图7所示。形成所述触控功能层的工艺包括:首先在封装层6之上形成金属走线16,然后形成第一触控电极14,之后形成绝缘层,该绝缘层包括两部分,一部分是在第一触控电极14和金属走线16之上形成的触控绝缘层13,另一部分是覆盖所述第一挡墙5之上的无机层7和所述第二挡墙9之上的无机层7的保护层8,最后,在触控绝缘层13之上形成第二触控电极15。其中,金属走线16的材料可以是:银、铜、铝、钼、康铜和钛合金等。形成金属走线可以采用印刷、打印或光刻(photo)等制程。第一触控电极和第二触控电极的材料,例如可以是氧化铟锡(Indium tin oxide,ITO)、纳米银、石墨烯或碳纳米管等。所述绝缘层(包括触控绝缘层13和保护层8)的材料优选有机物,当然无机物也是可以的。
可选地,所述触控功能层的另一种设置方式如图8所示,所述第一触控电极层包括多个阵列分布的块状第一触控电极17,沿第一方向排列的第一触控电极17通过第一连接部18相连;所述第二触控电极层包括多个阵列分布的块状第二触控电极19,沿第二方向排列的第二触控电极19通过第二连接部20相连;所述第一方向与所述第二方向相互垂直;所述触控功能层还包括金属走线16。需要说明的是,图8中周边区3的部分只是为了示出的第一挡墙5和第二挡墙9在衬底基板的具体位置,实际上,在周边区3所述第一挡墙5和所述第二挡墙9之上还设置有无机层和保护膜,在图8中周边区3均未示出。
在一些可选的实现方式中,如图9所示,所述第一触控电极17(未示出)与所述第二触控电极19位于同一层,所述第一连接部18与相连的所述第一触控电极17为一体式结构,所述第二连接部20为跨桥结构。或者,如图10所示,所述第一触控电极17与所述第二触控电极19位于不同层,所述第一连接部18(未示出)与相连的所述第一触控电极17为一体式结构,所述第二连接部20(未示出)与相连的所述第二触控电极19为一体式结构。
当所述第一触控电极与所述第二触控电极位于同一层时,请结合图8参见图9,形成所述触控功能层的步骤包括:首先在封装层6之上形成金属走线16、第一触控电极17、第一连接部18和第二触控电极19,然后形成绝缘层,该绝缘层包括两部分,一部分是在第一触控电极17、第一连接部18、金属走线16和第二触控电极19之上形成触控绝缘层13,另一部分是覆盖住所述第一挡墙5之上的无机层7和所述第二挡墙9之上的无机层7的保护层8,最后在触控绝缘层13之上形成第二连接部20。
当所述第一触控电极与所述第二触控电极位于不同层时,请结合图8参见图10,形成所述触控功能层的步骤包括,首先在封装层6之上形成金属走线16、第一触控电极17和第一连接部18,然后形成绝缘层,该绝缘层包括两部分,一部分是在第一触控电极17和金属走线16之上形成触控绝缘层13,另一部分是覆盖住所述第一挡墙5之上的无机层7和所述第二挡墙9之上的无机层7的保护层8,最后在触控绝缘层13之上形成第二触控电极19和第二连接部20。
其中,金属走线16的材料可以是:银、铜、铝、钼、康铜和钛合金等。形成金属走线可以采用印刷、打印或photo等制程。所述绝缘层(包括触控绝缘层13和保护层8)的材料优选有机物,当然无机物也是可以的。
在一些可选的实现方式中,所述块状第一触控电极和所述块状第二触控电极均为金属网格(metal mesh)结构。其中,所述金属网格结构的材料可以是:银、铜、铝、钼、康铜和钛合金等。
需要说明的是,触控功能层可根据实际情况进行设置,例如,第一触控电极和第二触控电极的形状可以根据实际需要进行具体设置。
在一些可选的实现方式中,所述保护层的材料为有机物。
在一些可选的实现方式中,所述封装层包括两层无机层,分别为第一层氮化硅和设置在所述第一层氮化硅之上的第二层氮化硅。
在一些可选的实现方式中,如图11所示,所述封装层6包括:第一层无机层21,设置在所述第一层无机层21之上的有机层22和设置在所述有机层22之上的第二层无机层23;在垂直于衬底基板的方向上,所述第一层无机层21覆盖所述第一挡墙5,所述第二层无机层23覆盖所述第一挡墙5之上的所述第一层无机层21。
在一些可选的实现方式中,如图12所示,所述触控绝缘层13与所述保护层8为一体形成。
在一些可选的实现方式中,如图13所示,所述显示功能层包括:平坦化层24、在所述平坦化层24之上设置的像素定义层25和在所述像素定义层25之上设置的柱状隔垫物26;所述第一挡墙5包括:与所述平坦化层24同层设置的第一部分挡墙27、与所述像素定义层25同层设置的第二部分挡墙28和与所述柱状隔垫物26同层设置的第三部分挡墙29;在垂直于所述衬底基板1的方向上,所述第一挡墙5的最高点与所述衬底基板1之间的距离为d1,所述显示区中的所述像素定义层25的表面与所述衬底基板1之间的距离为d2,其中,d1>d2。
在一些可选的实现方式中,所述显示区中的所述柱状隔垫物26的表面与所述衬底基板1之间的距离为d3,d1=d3,或者,d1也可以大于或小于d3。当d1=d3时,设置所述第一挡墙无需额外的工艺流程。
需要说明的是,本申请实施例提供的所述第一挡墙的设置方式,在形成显示功能层的同时即可形成所述第一挡墙,工艺流程简单。实际制作过程中,也可以采用其他工艺形成第一挡墙,只要满足d1>d2并且挡墙可以起到阻挡外界水氧阻隔喷墨打印,以及在蒸镀制程中支撑高精度金属掩模板掩模的作用即可。
同理,第二挡墙的设置也可以采用第一挡墙的设置方式,在此不再赘述。
在一些可选的实现方式中,如图14所示,衬底基板1的所述非显示区包括两个环形设计的第一挡墙5和第二挡墙9。在垂直于显示面板方向,AA’的截面结构如图15所示,所述显示面板包括:第一挡墙5、第二挡墙9、显示功能层4、封装层6、保护层8和触控功能层10,其中,所述显示功能层4包括:移位寄存器30,平坦化层24,阳极31,像素定义层25、阴极32,所述封装层6包括:第一层氮化硅33、有机层34和第二层氮化硅35,其中,所述第一层氮化硅33和所述第二层氮化硅35为无机层,所述触控功能10包括第一触控电极层11、第二触控电极层12和触控绝缘层13。其中,第一挡墙5和第二挡墙9可用于阻挡外界水氧阻隔喷墨打印,同时用于在蒸镀制程中支撑FMMmask。如图16所示,蒸镀制程中,在支撑FMMmask36后,第一挡墙5和第二挡墙9上容易出现划伤,之后的封装过程,封装层的无机层覆盖划伤的第一挡墙5和第二挡墙9,无机层会在该划伤位置产生裂纹,从而会影响薄膜封装的密封性,并且影响产品弯折性。本申请实施例提供的如图15所示的显示面板,在所述第一挡墙以及所述第二挡墙之上的无机层之上增设保护层,从而所述保护层可以保护所述第一挡墙以及所述第二挡墙之上的无机层,阻止所述无机层的裂纹生长,进而提高薄膜封装的密封性,还可以提高产品弯折性。
本申请实施例提供了一种显示器,包括本申请实施例提供的上述显示面板。
例如,所述显示器为OLED显示器。
综上所述,本申请实施例提供的显示面板及显示器,通过在所述第一挡墙之上的无机层之上增设保护层,从而所述保护层可以保护所述第一挡墙之上的无机层,阻止所述第一挡墙之上的无机层裂纹生长,进而提高薄膜封装的密封性,还可以提高产品弯折性。并且,在所述第二挡墙之上增设保护层,使得当所述第二挡墙之上有无机层时,所述保护层可以阻止所述第二挡墙之上的无机层裂纹继续生长,提高薄膜封装的密封性和产品弯折性。此外,所述保护层可以与所述触控功能层中的触控绝缘层同层设置,工艺流程简单。
显然,本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样,倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内,则本申请也意图包含这些改动和变型在内。