技术特征：
技术总结
本发明的实施例公开了一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；在衬底上方形成的栅极结构；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成的源极区和漏极区，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及在栅极结构和漏极区之间的衬底上方形成的场板；其中场板连接到衬底的源极区或块状电极。本发明的实施例还公开了用于制造半导体结构的相关方法。
技术研发人员：郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴;陈光鑫;柯志欣;黄士芬
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.19
技术公布日：2017.08.15