一种基板的封装工艺的制作方法

本发明涉及一种半导体技术领域，具体的说是一种基板封装工艺。

背景技术：

目前相关基板产品上的铜厚度大约为8μm左右，因此使用2μm厚度的铜箔，需要进行镀铜工艺，镀铜容易受电流影响，使得铜表面粗糙直接影响后面镀镍镀金工艺，直接影响键合手指表面粗糙度；而开发使用12μm厚度铜箔不需要进行镀铜，进行减铜工艺即可，即可以减少工序，又可以提高品质。

技术实现要素：

本发明的目的在于克服上述不足之处，从而提供一种基板封装工艺。本发明是通过下述技术方案解决上述技术问题的：一种基板的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：热压叠合，准备浸有树脂的玻璃纤维织布，将12μm的铜箔与玻璃纤维织布进行热压叠合；

第二步：材料烘焙，将热压叠合好的基板进行烘焙，使得预浸材料中的树脂熔融，得到硬化成型的基板；

第三步：钻孔，在烘焙好的基板上进行钻孔；

第四步：表面预处理，在基板的表面进行表面预处理，使其表面光滑，增进未来电路蚀刻的精确度；

第五步：电路预处理，在表面预处理好后的基板上布置线路；

第六步：蚀刻，对基板表面上的玻璃纤维的突出物以氯化亚铜溶液去除；

第七步：清洗，对基板表面上残留的一些杂质进行清洗；

第八步：涂布保护层，在表面处理好后的基板上涂布一层环氧树脂保护层；

第九步：测试包装。

优选的，所述铜箔与玻璃纤维织布之间采用高分子树脂黏结。

优选的，所述环氧树脂的厚度为60μm。

本发明的有益效果：本发明通过改变铜箔的厚度，铜箔的厚度由原来的2μm变为现在的12μm，减少二次镀铜所带来的工序，可以减少17%的基板制作工序，极大地缩短封装周期，从而可以生产降低成本；同时，可以防止镀铜时发生低电流现象而直接导致键合手指表面金层不均匀的问题。

附图说明

图1为本发明一种基板的封装工艺的原理图；

图2为本发明一种基板的封装工艺的原理示意图。

具体实施方式

以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实例。

如图1和图2所示，一种基板的封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：第一步：热压叠合，准备浸有树脂的玻璃纤维织布，将12μm的铜箔与玻璃纤维织布进行热压叠合；

第二步：材料烘焙，将热压叠合好的基板进行烘焙，使得预浸材料中的树脂熔融，得到硬化成型的基板；

第三步：钻孔，在烘焙好的基板上进行钻孔；

第四步：表面预处理，在基板的表面进行表面预处理，使其表面光滑，增进未来电路蚀刻的精确度；

第五步：电路预处理，在表面预处理好后的基板上布置线路；

第六步：蚀刻，对基板表面上的玻璃纤维的突出物以氯化亚铜溶液去除；

第七步：清洗，对基板表面上残留的一些杂质进行清洗；

第八步：涂布保护层，在表面处理好后的基板上涂布一层环氧树脂保护层；

第九步：测试包装。

在本实施例中，优选的，所述铜箔与玻璃纤维织布之间采用高分子树脂黏结。

在本实施例中，优选的，所述环氧树脂的厚度为60μm。

以上所述仅为本发明的优选实施例方式，不能以此来限定本发明保护的范围，本领域的技术人员在本发明的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本发明所要求保护的范围。