一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构的制作方法

技术特征：

1.一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，从下到上依次包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、AlN背势垒层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层。

2.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述衬底为SiC半绝缘衬底，厚度为350-520μm。

3.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述AlN成核层的厚度为20-100nm。

4.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述GaN缓冲层厚度为1.6-1.8μm，C或Fe掺杂，掺杂浓度为1×10¹⁶-1×10¹⁸cm^-3。

5.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述AlN背势垒层的厚度为2-5nm。

6.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述GaN沟道层的厚度为50-100nm。

7.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述AlN插入层的厚度为0.5-1nm。

8.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述AlGaN势垒层的厚度为18-25nm，Al组分为20%-25%。

9.根据权利要求1所述的一种氮化镓基高电子迁移率晶体管外延结构，其特征在于，所述GaN帽层厚度为1-5nm。