1.一种LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
A、将量子点分散于非极性溶剂中形成量子点溶液；
B、将量子点溶液滴加到基底的有机聚合物上，使量子点分散到有机聚合物/空气界面，待有机溶剂挥发5-60min，然后使用拉膜机提拉，得到单层的LB量子点薄膜；
C、重复步骤B得到多层的LB量子点薄膜。
2.根据权利要求1所述的LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述LB量子点薄膜中的量子点包括二元相量子点、三元相量子点、四元相量子点、五元相量子点、核壳结构量子点或合金结构量子点中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述二元相量子点包括CdSe、CdS、PbSe、PbS、ZnS、InP、HgS或AgS，所述三元相量子点包括ZnxCd1-xS/ZnS、CuInS或PbSexS1-x/PbS，所述四元相量子点包括CuInSeS、ZnxCd1-xSeyS1-y、ZnxCd1-xSe/ZnS、CdSe/CdS、InP/ZnS或CuInS/ZnS，所述五元相量子点包括InP/ZnSeS，其中，其中0≤x≤1，0≤y≤1，并且x和y不同时为0和不同时为1。
4.根据权利要求1所述的LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述有机聚合物有聚乙二醇、聚丙二醇或聚乙二醇和聚丙二醇的共聚物。
5.根据权利要求1所述的LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤A中，对量子点溶液进行过滤，得到提纯后的量子点溶液。
6.根据权利要求1所述的LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，预先对基底进行疏水化处理，然后在基底表面制作有机聚合物。
7.根据权利要求1所述的LB量子点薄膜的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，拉膜机的膜压控制在7.5-40 mN/m。
8.一种LB量子点薄膜，其特征在于，采用如权利要求1~7任一项所述的制备方法制成。
9.一种发光二极管，其特征在于，从下至上依次包括：底电极、电子注入层、量子点薄膜、空穴传输层、空穴注入层、顶电极，其中所述量子点薄膜为如权利要求8所述的LB量子点薄膜。
10.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
旋涂电子注入层于底电极上；
将LB量子点薄膜转印到电子注入层上，然后固化成型；
旋涂空穴传输层于LB量子点薄膜上，然后固化成型；
旋涂空穴注入层于空穴传输层上，然后固化成型；
蒸镀顶电极于空穴注入层上，得到发光二极管。