一种低维锡卤化物钙钛矿及其制备和应用的制作方法

技术特征：

1.一种低维锡卤化物钙钛矿，其特征在于，其掺杂有苯乙胺类化合物。

2.如权利要求1所述的低维锡卤化物钙钛矿，其特征在于，所述的低维锡卤化物钙钛矿包含多个苯乙胺类化合物层，苯乙胺类化合物层之间具有如式(I)所示结构：

其中，A为Cs⁺、Rb⁺、CH₃NH₃⁺、CH(NH₂)₂⁺、CH₃CH₂NH₃⁺和NH₂(CH₃)₂⁺中的一种或几种；B为Sn²⁺；X为I^-、Br^-和Cl^-中的一种或几种。

3.如权利要求1所述的低维锡卤化物钙钛矿，其特征在于，所述的苯乙胺类化合物具有式(II)所示结构：

其中：R为I、Br、Cl中的一种，R1～R5为H、I、Br、Cl、-CH₃、-H₂PO₃和-CHO中的一种或几种。

4.权利要求1-3中任一项所述的低维锡卤化物钙钛矿的制备方法，其特征在于，包括：

步骤1：将锡源化合物、以及苯乙胺类化合物或苯乙胺类化合物和有机无机源化合物溶于极性溶剂中，加入氟化物作为还原剂，在60℃-70℃下搅拌1-12h，得到前驱液；

步骤2：将前驱液冷却、过滤，滴加于基底上，进行旋涂，旋涂结束后，在70℃-100℃退火20-60分钟，即得到低维锡卤化物钙钛矿膜。

5.如权利要求4所述的低维锡卤化物钙钛矿的制备方法，其特征在于，所述的锡源化合物为卤化亚锡，有机无机源化合物为甲脒氢碘酸盐，氟化物为氟化亚锡。

6.如权利要求4所述的低维锡卤化物钙钛矿的制备方法，其特征在于，所述的前驱液中，锡源化合物、有机无机源化合物、苯乙胺类化合物的以及还原剂的摩尔比为1∶(1-x)∶x∶(0.01～0.2)，其中0＜x≤1。

7.如权利要求4所述的低维锡卤化物钙钛矿的制备方法，其特征在于，所述的极性溶剂为DMF、DMSO和GBL中的一种或两种以上的混合物。

8.本发明还提供了权利要求1-3中任一项所述的低维锡卤化物钙钛矿在太阳能电池或电致发光器件中的应用。

9.一种太阳能电池器件，其特征在于，包括具有空穴传输层材料的导电玻璃，具有空穴传输层材料的导电玻璃上设有权利要求1-3中任一项所述的低维锡卤化物钙钛矿膜，低维锡卤化物钙钛矿膜上依次沉积电子传输层材料及金属电极。

10.权利要求9所述的太阳能电池器件的制备方法，其特征在于，包括：

步骤a：在洁净的导电玻璃上制备氧化镍膜；

步骤b：将NiO膜用紫外臭氧清洗机预处理，而后保存于手套箱中；

步骤c：在NiO膜上制备权利要求1所述的低维锡卤化物钙钛矿膜，冷却，旋涂PCBM层，其后置于80℃退火5min；

步骤d：将上述样品送入镀膜机内蒸镀Al电极。