制造一半导体装置的方法与流程

技术特征：

技术总结
在一种制造一半导体装置的方法中，通过沉积制程在半导体层上形成含有非晶第一材料的第一层。在此第一层上形成含有金属第二材料的第二层。执行热制程以形成此非晶第一材料与此金属第二材料的合金层。

技术研发人员：李凱璿;许志成;王菘豊;杨正宇;王圣祯;杨世海
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.12.29
技术公布日：2017.07.21