半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件与流程

本发明涉及在半导体制造工程使用的半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件，更详细地，涉及再生利用等离子体的干式蚀刻装置的损伤部件，在半导体制造工程可利用的半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件。

技术背景

通常，在半导体制造工程使用的等离子体处理方法是干式蚀刻工程中的一个，使用气体蚀刻对象的方法。这跟随将蚀刻气体注入到反应容器内，离子化之后，由晶片表面进行加速，将晶片表面以物理、化学去除的工程。这方法被广泛地使用于方便蚀刻的调解且生产性高，可进行数十nm水平的细微图案形成。

为了等离子体处理方法的均匀蚀刻，要考虑的参数(parameter)可举例要蚀刻层的厚度和密度、蚀刻气体的能量及温度、光刻胶的粘附性和晶片表面的状态及蚀刻气体的均匀性等。特别地，离子化蚀刻气体，将离子化的蚀刻气体由晶片表面加速，执行蚀刻的无线电频率(rf；radiofrequency)调解，可成为重要的参数。以实际蚀刻形成的晶片为基准时，挑选的无线电频率适用，是具有对晶片表面整个的均匀能量分布的必须因素。这不可只由无线电频率的输出调解来达到，由无线电频率电极的阶段和阳极的形态及实质性地做固定晶片的功能的聚焦环等，被大地左右。

在等离子体存在的残酷条件的等离子体处理装置的反应室内，所述聚焦环的作用是防止等离子体的扩散，在蚀刻处理形成的晶片周围限定等离子体。因此，聚焦环一直露在等离子体，由等离子体中的阳离子溅射，蚀刻其表面。因此，在适当的周期没有形成聚焦环的交替时，对其聚焦环蚀刻的蚀刻副产物的量增加，发生蚀刻工程的顺利进行困难的问题。即，聚焦环经过一定的周期交替被蚀刻的，且被蚀刻的所述聚焦环被全部废弃处理。

此外，由所述等离子体的残酷条件，也一同蚀刻等离子体处理装置反应室内的其他露出的部件。为了精密的晶片蚀刻，等离子体处理装置的其他被蚀刻损伤的部件也需要周期性交替，所以，成为增加半导体产品生产费用的原因。这些被交替的部件在交替之后，被完全废弃处理。

技术实现要素：

技术课题

本发明是为了解决上述的问题，本发明的目的是作为一个示例，提供减少如被交替聚焦环的半导体制造用消耗性部件的废弃，所发生的产业废弃物，来贡献环境保护，可减少最终的半导体产品的生产费用的半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件。

但是，本发明所要解决的课题不限定于上述提及的课题，且没有提及的其他课题，可从以下记载明确地理解给本领域的技术人员。

技术方案

根据本发明的一个实施例，提供半导体制造用部件的再生方法，其步骤包括：准备步骤，准备损伤的半导体制造用部件；第一清洗步骤，清洗所述损伤的半导体制造用部件；遮掩步骤，遮掩包括所述损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域中至少任何一个；再生部形成步骤，由化学汽相淀积法在所述损伤的半导体制造用部件形成再生部；后加工步骤，加工所述再生部形成的损伤的半导体制造用部件；及第二清洗步骤，清洗形成所述再生部的损伤的半导体制造用部件。

根据本发明的一个实施例，其步骤还可包括：前加工步骤，在所述准备步骤及所述第一清洗步骤之间。根据本发明的一个实施例，所述遮掩步骤可由夹具遮掩。

根据本发明的一个实施例，所述遮掩步骤可遮掩从所述损伤的半导体制造用部件的底面、外侧面及内侧面形成的群中选择的至少任何一个非损伤面。

根据本发明的一个实施例，所述前加工步骤、后加工步骤或两个步骤都可由金刚石砂轮切割加工。

根据本发明的一个实施例，所述前加工步骤可将所述损伤的半导体制造用部件的损伤部，切割0.8mm至1.7mm厚度进行加工。

根据本发明的一个实施例，所述后加工步骤可包括从所述再生部切割获取剩余部，且加工所述剩余部制造另外的半导体制造用部件。

根据本发明的一个实施例，所述第二清洗步骤可包括第一物理或化学清洗步骤、热处理清洗步骤及第二物理或化学清洗步骤。

根据本发明的一个实施例，所述热处理清洗步骤的热处理温度可以是800℃至1400℃。

根据本发明的其他一个实施例，提供半导体制造用部件的再生装置，其包括：化学汽相淀积室；及遮掩部，位于所述室内，遮掩包括损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域。

根据本发明的一个实施例，所述遮掩部可包括夹具。

根据本发明的一个实施例，所述夹具可包括：标准夹具，支撑所述损伤的半导体制造用部件的非损伤面中的一个面，且所述标准夹具的所述损伤的半导体制造用部件的非损伤面中一个面的接触面面积，小于所述损伤的半导体制造用部件的非损伤面中一个面的面积。

根据本发明的一个实施例，所述标准夹具可以是点夹具。

根据本发明的一个实施例，所述夹具还可包括：另一面夹具，支撑除了所述损伤的半导体制造用部件的非损伤面中一个面的其他面。

根据本发明的一个实施例，所述另一面夹具可包括：外侧面夹具，支撑所述损伤的半导体制造用部件的外侧面；及内侧面夹具，支撑所述损伤的半导体制造用部件的内侧面。

根据本发明的一个实施例，所述标准夹具和所述另一面夹具可以是一体型。

根据本发明的一个实施例，所述另一面夹具与所述损伤的半导体制造用部件的接触面形状，可对应于所述损伤的半导体制造用部件的接触面形状。

根据本发明的其他一个实施例，提供半导体制造用再生部件，其包括非再生部和再生部，作为半导体制造用消耗性部件。

根据本发明的一个实施例，所述非再生部、所述再生部或两个步骤都可以是耐等离子体性。

根据本发明的一个实施例，所述非再生部、所述再生部或两个步骤都可包括sic。

根据本发明的一个实施例，所述半导体制造用再生部件作为等离子体处理装置部件，可包括从环、电极部及导线形成的群中选择的至少任何一个。

根据本发明的一个实施例，所述半导体制造用部件的再生方法，可使用所述任何一个半导体制造用部件的再生装置被执行。

根据本发明的一个实施例，所述半导体制造用再生部件，可使用所述任何一个半导体制造用部件的再生方法被再生。

根据本发明的一个实施例，所述半导体制造用再生部件，可使用所述任何一个半导体制造用部件的再生装置被再生。

技术效果

根据本发明的一个实施例半导体制造用部件的再生方法，具有在交替后要废弃的部件形成再生部，由相对少的费用可体现与交替新产品对等或其以上的工程生产效率，最终减少半导体产品的生产费用，可减少产业废弃物量的效果。根据本发明的其他一个实施例的再生装置及再生部件，具有由有效的结构及方法可再生损伤的半导体制造用部件的效果。

进一步地，经本发明可期待利用在再生过程发生的淀积剩余部，可制造另外的半导体制造用部件，提高生产性的效果。

附图说明

图1是示出在半导体生产工程的等离子体处理装置中，被使用的半导体制造装置部件中一个的聚焦环的立体图。

图2是示出在半导体生产工程的等离子体处理装置中，晶片安装在半导体制造装置部件中一个的聚焦环结构的断面图。

图3是示出根据本发明的一个实施例，生成半导体制造用再生部件过程的流程图。

图4是示出根据本发明的一个实施例，生成半导体制造用再生部件过程的工程图。

图5是示出根据本发明的一个实施例，在后加工步骤中，从所述再生部切割获取剩余部的步骤及加工所述剩余部，制造另外的半导体制造用部件过程的工程图。

图6是示出根据本发明的一个实施例，支撑半导体制造装置部件中一个的聚焦环的非损伤面中一个面的标准夹具的，所述非损伤面中一个面的接触面面积小于所述非损伤面中一个面的面积结构的断面图。

图7是示出根据本发明的一个实施例，半导体制造装置部件中一个的聚焦环和支撑其非损伤面中一个面的点夹具结构的断面图。

图8a是示出根据本发明的一个实施例，损伤的半导体制造用部件中一个的聚焦环下部由标准夹具，并且外侧面由外侧面夹具被遮掩结构的断面图。

图8b是示出根据本发明的一个实施例，损伤的半导体制造用部件中一个的聚焦环下部由标准夹具、外侧面由外侧面夹具，并且内侧面由内侧面夹具被遮掩结构的断面图。

图9是示出根据本发明的一个实施例，在损伤的半导体制造用部件中一个的聚焦环被遮掩的标准夹具和另一面夹具为一体型结构的断面图。

图10是示出根据本发明的一个实施例，与另一面夹具的损伤的半导体制造用部件中一个的聚焦环接触的接触面形状，对应于所述聚焦环侧面形状的断面图。

具体实施方式

参照以下附图详细地说明本发明的半导体制造用部件的再生方法和其再生装置及再生部件的实施例。在以下说明的实施例及图，可进行多种变更。此外，与图符号无关相同的构成要素赋予相同的参照符号，且对此的重复说明给予省略。以下说明的实施例不是限定实施形态，且理解为包括对此的所有变更、均等物至代替物。在说明本发明中，当对有关公知功能或构成的具体说明不必要并模糊本发明要点时，省略其详细地说明。

此外，在本说明书使用的用语是为了适当地表现本发明的优选实施例被使用的用语，这可根据用户、运营者的意图或本发明所属领域的惯例等不同。因此，对本用语的定义，以本说明书整个内容为基础做决定。在各图示出的相同参照符号显示相同的部件。

在整个说明书，有些部件位于其他部件“上”时，这不仅包括有些部件与其他部件相切的情况，而且也包括在两个部件之间还存在其他部件的情况。

在整个说明书，有些部分“包括”有些构成要素时，在没有特别反对的说明时，意味着不排除其他构成要素，而是还可包括其他构成要素。

图1是示出在半导体生产工程的等离子体处理装置中，被使用的半导体制造装置部件中一个的聚焦环的立体图。在图1，示出在半导体生产工程的等离子体处理装置，被使用的半导体制造用部件中一个的聚焦环工程装置产品的多种结构中一个形态100。聚焦环的断面具有由上端面和下端面段差的结构，可具有包括连接其段差间的倾斜面的结构。

图2是示出作为一个示例，在半导体生产工程的等离子体处理装置中，晶片400安装在半导体制造装置部件中一个的聚焦环100结构的断面图。在这种情况下，晶片根据工程装置结构，可跨在聚焦环下端面104整个或一部分的被安装。之后安装的晶片和聚焦环，在等离子体处理装置的室内，露在等离子体被蚀刻。在这种情况下，对聚焦环的上端面102、倾斜面106及下端面104中的未被晶片遮挡的部分，可集中地进行蚀刻。因此，如聚焦环的等离子体处理装置室内的，露在等离子体的半导体制造用部件被损伤，需要周期性的交替。

根据本发明的一个实施例，提供半导体制造用部件的再生方法，其包括：准备步骤，准备损伤的半导体制造用部件；第一清洗步骤，清洗损伤的半导体制造用部件；遮掩步骤，遮掩包括损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域中至少任何一个；再生部形成步骤，由化学汽相淀积在损伤的半导体制造用部件形成再生部；后加工步骤，加工再生部形成的损伤的半导体制造用部件；及第二清洗步骤，清洗再生部形成的损伤的半导体制造用部件。

根据本发明的一个实施例，在准备步骤及第一清洗步骤之间还可包括前加工步骤。前加工步骤匀质地加工损伤的半导体制造用部件的损伤部件，将损伤的不均匀表面，可由损伤的深度以上去除并进行匀质。这是为了防止在损伤不均匀的部分立即淀积再生部时，因不均匀淀积发生再生部件和损伤前部件之间的品质差异。图3是示出根据本发明的一个实施例，生成半导体制造用再生部件过程的流程图。

图4是示出根据本发明的一个实施例，生成半导体制造用再生部件过程的工程图。

在图4的第一个图，示出了在干式蚀刻装置内，包括由等离子体被蚀刻损伤的部分112和没有露在等离子体，未被蚀刻的其他部分114,116及118的损伤聚焦环110的断面图。在图4的第一个图，由等离子体被蚀刻的损伤的部分112，形成在在图2示出的损伤前聚焦环的上端面、倾斜面及晶片未被遮挡的下端面的一部分。即，由等离子体被损伤的聚焦环110如图2示出，根据晶片400安放在下端面104，可在等离子体未直接接触的下端面一部分，形成非损伤面，根据室内装置结构，可在底面114、外侧面116及内侧面118，也附加地具有非损伤面。

准备损伤的半导体制造用部件的准备步骤，为了去除在损伤的半导体制造用部件表面存在的不纯物等，可包括事先清洗的步骤。

之后，如图4的第一个图，还包括不均匀地被蚀刻整平损伤部分的前加工步骤，可在之后再生部形成步骤诱导选择的淀积。在图4的第二个图，示出了根据本发明的一个实施例，执行前加工步骤使表面匀质的聚焦环120的断面图。以下，根据本发明的一个实施例，由图符号120指称的聚焦环意味着执行前加工步骤，使表面匀质状态的损伤的半导体制造部件。

在本发明，不特别地限定前加工步骤的工程，可包括所有再生部被淀积可均匀地加工形成部分的工程。

之后，在第一清洗步骤，可去除半导体制造用部件的表面不纯物。如上述，工程上包括前加工步骤时，在前加工步骤发生的表面不纯物，可在第一清洗步骤去除。在本发明，不特别地限定第一清洗步骤的工程，但通过使用摩擦力或超声波等的物理清洗，或利用酸、碱溶液的化学清洗等，可去除表面不纯物。

在图4的第二个图，示出了完成第一清洗步骤的表面，光滑地形成聚焦环120的断面图。图4的第一个图的损伤聚焦环110的损伤部分112，经过前加工步骤及第一清洗步骤表面变得匀质，聚焦环在后述的再生部形成步骤中，可使再生部被均匀地淀积。

遮掩步骤是为了在后述的再生部形成步骤中，确保由化学汽相淀积再淀积时的加工基准点。由此，在后加工步骤向遮掩部分加工，且加工面到达遮掩部分时，以未被蚀刻的其他部分114,116,118为基准，确保整个聚焦环110的位置，可加工去除遮掩之后的剩余部分。

此外，经过再生部形成步骤成为如图4的第五个图的淀积团时，为了在图4的第一图损伤的聚焦环110的非损伤面，即未被蚀刻的部分114,116,118，尽量不发生沉积。由此，在后加工步骤可避免不必要部分的加工，具有工程效率增加的效果。

根据本发明的一个实施例，再生部形成步骤后去除遮掩的聚焦环的断面图，在图4的第六个图示出。在这种情况下，如果不存在遮掩，可发生在再生部形成步骤不可确保损伤的半导体制造用部件，成为淀积团之后的加工基准点，且要加工完全新部件形状的问题。即，包括遮掩步骤可确保由加工难的高耐等离子体性淀积物质形成的，再生部的后加工步骤工程的效率。根据如此本发明的一个侧面，比起将半导体制造用部件以完成品重新制造，加工面积显著地减少，可减少半导体制造用部件的生产单价，最终确保半导体产品的低价格，可显著提高产业上活用度。

作为遮掩材质，包括石墨材质的材料在内，比起淀积物质可使用容易加工的材料。由此，被遮掩的部分与淀积物质不同，在半导体制造用部件可具有容易去除的效果。

根据本发明的一个示例，如图4的第三个图，遮掩步骤可包括由夹具遮掩。遮掩可由支撑损伤的半导体制造用再生部件的一侧部分的夹具，被形成。夹具可包括在损伤的聚焦环120未被损伤的面中，支撑一个面的夹具210。此外，还可包括支撑损伤的聚焦环其他面的另一面夹具。

根据本发明的一个示例，遮掩步骤可包括遮掩从损伤的半导体制造用部件的底面、外侧面及内侧面形成的群中选择的至少任何一个的非损伤面。

在图4的第四个图，示出了通过遮掩步骤，在本发明的一个实施例提供的标准夹具和外侧面、内侧面，进行附加遮掩300的结构断面图。由此，只有损伤的半导体制造用部件的损伤部件露在外部，直接由再生部全部覆盖。损伤的半导体制造用部件的非损伤面部分被遮掩，与再生部不发生直接地接触。

之后，如图4的第五个图，再生部400形成在被遮掩的损伤的报道提制造用部件。作为再生部形成步骤的具体方法，在淀积温度1000℃至1500℃中，可将成膜速度为20μm/hour至400μm/hour，燃料气体的滞留时间为7至110秒进行。如根据本发明的一个实施例的图4的第五个图的聚焦环，包括再生部的半导体制造用再生部件，在整个面淀积形成淀积团，所以，可以是不符合在现场要求的产品规格的未加工的形态。

之后，在后加工步骤，将淀积再生部厚度变厚的半导体制造用再生部件，可由等离子体处理装置来代替损伤部件，进行规格化。在这种情况下，再生部可被淀积加工难的如sic物质，所以，在通过后加工步骤的规格化过程中，最小化直接的加工面积，可对确保产品生产性非常重要。在本发明，为了确保后加工步骤的效率，在包括非损伤面的部分可包括遮掩的遮掩步骤。在图4的第六个图，示出了首先容易地加工做加工基准点作用且加工容易的遮掩部分，并规格化的聚焦环。之后，如图4的第六个图，最终加工未被遮掩的部分。在第二清洗步骤，可去除以你后加工步骤生成的表面不纯物。在图4的第七个图，示出了根据本发明的一个实施例，经过后加工步骤及第二清洗步骤的规格化的，半导体制造用再生部件中一个的聚焦环的断面图。最终，根据本发明的一个实施例，由高生产效率可确保代替图2的损伤前聚焦环100的相同规格的再生聚焦环。

根据本发明的一个示例，前加工步骤、后加工步骤或两个步骤都可以是由金刚石砂轮切割加工。半导体制造用部件及再生部，可以是包括sic物质的加工困难的物质。因此，前加工步骤、后加工步骤或两个步骤都比半导体制造用部件及再生部硬度高，由可加工的高硬度物质形成的切割用具，可切割加工。切割用具可包括硬度高的金刚石材质的砂轮。

根据本发明的一个示例，前加工步骤可将损伤的半导体制造用再生部件的损伤部切割成0.8mm至1.7mm厚度，进行加工。由显示在图4的第一个图的等离子体，损伤的部分112平均高低偏差由0.5mm内外形成。因此，优选地，将损伤的部分均匀地切割并加工的厚度是0.8mm至1.7mm。只是，这可根据损伤的面的状态不同，且本发明不限定于此。

根据本发明的一个示例，后加工步骤包括从再生部切割获取剩余部的步骤，可以是加工剩余部制造另外的半导体制造用部件。

图5是示出根据本发明的一个实施例，在后加工步骤中，从再生部400切割获取剩余部410的步骤及加工剩余部制造另外的半导体制造用部件100过程的工程图。根据本发明的一个实施例，为了提高生产工程的效率，获取形成的再生部切割加工后废弃的剩余部，加工此可制造另外的半导体制造用部件。再生过程也是由淀积进行，在损伤的面之外淀积由非选择性地形成，获取在非损伤面淀积的sic分离获取，可用为其他半导体制造装置等的部件加工前物质。

根据本发明的一个示例，第二清洗步骤可包括第一物理或化学清洗步骤、热处理清洗步骤及第二物理或化学清洗步骤。第一及第二物理或化学清洗步骤在本发明没有特别地限定，但可以是使用超声波的物理清洗或使用包括酸、碱、蒸馏水的纯溶液的化学清洗。这是为了去除在半导体制造用部件表面上的剩余不纯物。热处理清洗步骤由提高在第一物理或化学清洗步骤尚未清洗的残留不纯物温度，为了制作通过第二物理或化学清洗步骤可清洗的过程。

根据本发明的一个示例，热处理清洗步骤的热处理温度可以是800℃至1400℃。考虑淀积物质时，形成热处理温度，可通过第一物理或化学清洗步骤，将没有清洗的残留不纯物制作成附加清洗的状态。热处理温度未满800℃时，可具有残留不纯物未被充分清洗状态的问题，超过1400℃时，可具有为了形成过高温度增加工程设计、生产单价的问题。

根据本发明的其他一个实施例，提供一种半导体制造用部件的再生装置，其包括：化学汽相淀积室；及遮掩部，位于所述室内，遮掩包括损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域。再生装置可以是由化学汽相淀积方式，在损伤的半导体制造用部件可淀积包括sic物质的装置。室是可形成化学汽相淀积空间的封闭结构，其任何形态可都行。

根据本发明的一个示例，遮掩部可包括夹具。夹具支撑包括损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域，露出损伤部分的结构，任何形态都可行。即，损伤的半导体制造用部件安装在夹具，包括损伤的部分可形成由化学汽相淀积方式覆盖再生部的结构。夹具为了在化学汽相淀积室内均匀地形成再生部，可包括安装半导体制造装置部件的可旋转结构。

根据本发明的一个示例，夹具包括支撑损伤的半导体制造用部件的非损伤面中一个面的标准夹具，标准夹具的损伤的半导体制造用部件的非损伤面中一个面的接触面面积，可以是小于损伤的半导体制造用部件的非损伤面中一个面的面积。

如图6，标准夹具在下部可形成支撑所述损伤的半导体制造用部件的结构。由此，标准夹具支撑的损伤的半导体制造用部件的一个面接触部分，在淀积并形成再生部的过程中，可具有被遮盖未形成淀积的效果。在这种情况下，优选地，与标准夹具的损伤的半导体制造用部件的非损伤面接触的接触面面积，小于损伤的半导体制造用部件的非损伤面的面积。标准夹具的接触面面积超过损伤的半导体制造用部件的一个面面积时，可发生以下问题。首先，由损伤的半导体制造用部件的外部形成的夹具上，也淀积淀积物质，可发生在后加工步骤需要附加地加工，降低工程效率的问题。此外，在损伤的半导体制造用部件和夹具之间的棱部分没有淀积淀积物质，或未被匀质的淀积，可发生再生部件不可代替损伤前产品的问题。图6是示出根据本发明的一个实施例，支撑半导体制造装置部件中一个的聚焦环120的非损伤面中一个面的标准夹具210的，非损伤面中一个面的接触面面积小于非损伤面中一个面的面积结构的断面图。

根据本发明的一个示例，所述标准夹具可以是点夹具。在这种情况下，点夹具意味着与损伤的半导体制造用部件的接触，由线或点形成的夹具。在这种情况下，点夹具在损伤的半导体制造用部件的再生部形成之后加工步骤中，做确保加工基准点的功能。即，在加工相对加工难的再生部物质中，最小化不必要的加工面积，可确认现有损伤的半导体部件的非损伤领域的位置。

图7是示出根据本发明的一个实施例，半导体制造装置部件中一个的聚焦环和支撑其非损伤面中一个面的点夹具212结构的断面图。如在图7示出，点夹具通过由一个以上的线或点形成的接触，可支撑包括损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域。本发明的点夹具是包括损伤的半导体制造用部件的非损伤部分领域和由线或点接触，可支撑所述部件的结构时，不进行特别地限定。点夹具可与包括由一个线或点损伤的半导体部件的非损伤部分的领域接触，也可由两个以上的线或点接触。图7根据本发明的一个示例，与包括损伤的半导体部件的非损伤部分领域的接触，相当于由构成内侧和外侧两个圆的线，形成的点夹具212的结构断面。

根据本发明的一个示例，夹具还可包括支撑损伤的半导体制造用部件的损伤的其他面的另一面夹具。再生装置包括另一面夹具，在形成再生部的过程中，可更稳定地支撑损伤的半导体制造用部件。此外，将损伤的半导体制造用部件的非损伤面向另一面夹具方向布置，可附加地防止其他非损伤面的淀积。

根据本发明的一个示例，另一面夹具可包括支撑损伤的半导体制造用部件外侧面的外侧面夹具；及支撑损伤的半导体制造用部件内侧面的内侧面夹具。

图8是示出根据本发明的一个实施例，标准夹具及另一面夹具被遮掩在属于损伤的半导体制造用部件中一个示例的聚焦环120结构的断面图。图8a是示出根据本发明的一个实施例，损伤的半导体制造用部件中一个的聚焦环120下部由标准夹具210，并且外侧面由外侧面夹具220被遮掩结构的断面图。图8b是示出根据本发明的一个实施例，损伤的半导体制造用部件中一个的聚焦环下部由标准夹具210、外侧面由外侧面夹具220，并且内侧面由内侧面夹具230被遮掩结构的断面图。

根据本发明的一个实施例的半导体制造用再生部件的再生装置的另一面夹具，根据装置结构上的需求，可将外侧面夹具或内侧面夹具中一个，由侧面夹具具备，也可具备两个。

根据本发明的一个实施例，半导体制造用部件中，在损伤的聚焦环形成再生部时，如图8a及图8b利用夹具支撑非损伤面并遮掩，防止不必要的淀积的同时，形成稳定的支撑结构，可将直接被淀积的面诱导到具有损伤面一侧的效果。

根据本发明的一个实施例，标准夹具和另一面夹具可以是一体型。损伤的半导体制造用部件的拆卸是自由结构时，由再生装置的结构上需求，标准夹具和另一面夹具可以是一体型。

图9是示出根据本发明的一个实施例，安装在属于损伤的半导体制造用部件中一个示例的聚焦环120的标准夹具和另一面夹具为一体型结构240的断面图。根据本发明的一个实施例，如图9，标准夹具和外侧面夹具可以是一体型，且根据本发明的另一个实施例，下部夹具、外侧面夹具及内侧面夹具也可以是一体型。

根据本发明的一个示例，接触另一面夹具损伤的半导体制造用部件的面形状，可对应于损伤的半导体制造用部件的接触面形状。损伤的半导体制造用部件，可根据其功能基作用具有多种形状。根据本发明的一个实施例，优选地，损伤的半导体制造用部件的接触面形状，对应于半导体制造用部件的一个面形状(相当于相互阴刻及阳刻)被制造，另一面夹具是将从损伤的半导体制造用部件的一个侧面，完全地从淀积物质阻断的结构。由此，在再生部形成过程中，可具有从淀积物质一个侧面完全地被阻断，且后处理加工时减少加工的效果。

图10是示出根据本发明的一个实施例，与另一面夹具250的损伤的半导体制造用部件中一个的聚焦环130接触的接触面形状，对应于所述聚焦环侧面形状的断面图。焦距环根据等离子体处理装置产品，可具有外侧面下端一部分凸出的形状。在这种情况下，根据本发明的一个实施例，另一面夹具250使对应于其凸出的形状，由凸出的形状阴刻形态形成，可形成与聚焦环完全密切的结构。由此，在再生部形成过程中，由标准夹具210被遮掩遮盖的底面外，具有附加地从淀积物质完全阻断一个侧面的效果。

根据本发明的另一个实施例，作为半导体制造用消耗性部件，提供半导体制造用再生部件，其包括非再生部和再生部。半导体制造用消耗性部件可包括用于制造半导体用晶片的等离子体处理装置中，由等离子体被损伤要求交替的任何部件。

根据本发明的一个示例，非再生部、再生部或两个步骤都可以是耐等离子体性。半导体制造用消耗性部件的非再生部、再生部或两个步骤都可露在等离子体，被蚀刻并损伤。因此，损伤时，必须伴随交替，但为了减少因频繁交替的半导体产品的生产费用，优选地，非再生部、再生部或两个步骤都是耐等离子体性材质。

根据本发明的一个示例，非再生部、再生部或两个步骤都可包括sic。优选地，非再生部、再生部或两个步骤都是到现在为止研究多种耐等离子体性材质，作为一个示例，包括sic成分。例如，sic成分为强的共有结合物质，比其他陶瓷材料保是有优秀的热传导率、硬度、耐氧化性、耐磨性、耐腐蚀性的耐等离子体性的材质，是在残酷的条件要求精密工程的半导体制造用材质，保有优秀特性的材料。

此外，非再生部、再生部或两个步骤都包括sic，还可包括附加地包括碳氢化合物的其他成分。碳氢化合物具有cxhy的化学式，可使用x是1以上，y是2以上的正数。此外，聚焦环也可以是在碳硅基板涂层硅层的结构。

一方面，非再生部和再生部的成分可相同。非再生部和再生部的成分相同时，可制造能代替最初损伤前的半导体制造装置部件的产品。此外，再生部的成分与非再生部成分不同，也可包括含有耐等离子体性，根据需求比非再生部的物性，具有与其物性更优秀特征的物质。

此外，非再生部和再生部要生产的晶片和成分元素可相同。再生部包括与制造的晶片完全不同的成分时，由等离子体损伤半导体制造装置部件时，其成分流出到外部可污染晶片。形成再生部前的损伤的半导体制造装置部件和再生部的构成元素及成分分布可相同，也可不同。即，非再生部、再生部或两个步骤都包括sic，曲折强度可卓越地变高，可确保对等离子体的高耐蚀性。

再生部包括化学汽相淀积(cvd)方式，可由多种方法形成。优选地，再生部的厚度是0.5μm至5μm。再生部的厚度未满0.5μm时，可具有形成再生部体现无实质性效果的问题，且再生部的厚度是5μm以上时，可具有再生工程的经济性降低的问题。此外，更优选地，再生部的厚度是1μm至3μm。

根据本发明的一个示例，半导体制造用再生部件作为等离子体处理装置的部件，可包括从环、电极部及导线形成的群中选择地至少任何一个。作为一个示例，具体地，可以是聚焦环、上部电极部、接地电极部、喷头、外环等。在等离子体处理装置内中，露在等离子体的任何多种部件也包括在本发明的半导体制造用再生部件。其中，聚焦环、上部电极部、接地电极部、喷头及外环等在等离子体处理装置内，特别作为由等离子体被损伤概率高的部件，可属于本发明意图的半导体制造用再生部件。

根据本发明的一个实施例，半导体制造用部件的再生方法，可以是使用任何一个半导体制造用部件的再生装置被执行。通过在本发明的一个实施例提供的再生装置的结构，可由更有效率的方法执行半导体制造用部件的再生方法个步骤的工程。

根据本发明的一个实施例，半导体制造用再生部件，可以是使用任何一个半导体制造用部件的再生方法被再生。通过在本发明的一个实施例提供的半导体制造用部件的再生方法的个步骤工程执行，可由更有效率的方法提供半导体制造用再生部件。

根据本发明的一个实施例，半导体制造用再生部件可以是使用任何一个半导体制造用部件的再生装置被再生。通过在本发明的一个实施例提供的再生装置的结构，可由更有效率的方法提供半大题制造用再生部件。