1.一种反置顶发射QLED器件，包括依次叠层设置的衬底、反射阴极、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层及透明阳极，其特征在于，所述量子点发光层采用具有量子阱能级结构的量子点材料制备而成，所述量子点材料包括至少一个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，所述量子点结构单元为径向方向上能级宽度变化的渐变合金组分结构或径向方向上能级宽度一致的均一组分结构。
2.根据权利要求1所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，还包括在所述空穴传输层与透明阳极之间设置的空穴注入层。
3.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
4.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括至少三个在径向方向上依次排布的量子点结构单元，其中，所述至少三个量子点单元中，位于中心和表面的量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；位于中心和表面的量子点结构单元之间的一个量子点结构单元为均一组分结构。
5.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括两种类型的量子点结构单元，其中一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种类型的量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，所述两种类型的量子点结构单元沿径向方向依次交替分布，且在径向方向上相邻的量子点结构单元的能级是连续的。
6.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。
7.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元均为径向方向上越向外能级宽度越窄的渐变合金组分结构，且相邻的量子点结构单元的能级是不连续的。
8.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括两种量子点结构单元，其中一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，另一种量子点结构单元为均一组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的；所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元。
9.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料包括两种量子点结构单元，其中一种量子点结构单元为均一组分结构，另一种量子点结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构，所述量子点材料的内部包括一个或一个以上的均一组分结构的量子点结构单元，所述量子点材料的外部包括一个或一个以上的渐变合金组分结构的量子点结构单元，且在径向方向上相邻的渐变合金组分结构的量子点结构单元的能级是连续的。
10.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元为包含II族和VI族元素的渐变合金组分结构或均一合金组分结构。
11.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点结构单元包括2-20层单原子层，或者所述量子点结构单元包含1-10层的晶胞层。
12.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料的发光峰波长范围为400纳米至700纳米。
13.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点材料的发光峰的半高峰宽为12纳米至80纳米。
14.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述量子点发光层的厚度为10-100nm。
15.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述反射阴极为铝电极或银电极，所述反射阴极的厚度为30-800nm。
16.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述透明阳极为ITO或薄层金属电极，所述ITO的厚度为20-300nm，所述薄层金属电极的厚度为5-50nm。
17.根据权利要求2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、MoO3、VO2或WO3中的至少一种。
18.根据权利要求17所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述空穴注入层的厚度为5-150nm。
19.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为TFB、poly-TPD、PVK、NiO、MoO3、NPB、CBP中的至少一种。
20.根据权利要求19所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10-150nm。
21.根据权利要求1或2所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的材料为LiF、CsF、Cs2CO3、ZnO、Alq3中的至少一种。
22.根据权利要求21所述的反置顶发射QLED器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-150nm。
23.一种如权利要求1所述的反置顶发射QLED器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、提供一衬底，在所述衬底上形成反射阴极；
B、在所述反射阴极依次沉积电子传输层、量子点发光层及空穴传输层；
C、在所述空穴传输层上沉积一透明阳极，制得反置顶发射QLED器件。
24.根据权利要求23所述的反置顶发射QLED器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层、量子点发光层及电子传输层通过溶液加工法或真空蒸镀法进行沉积。