一种氮化镓系发光二极管结构的制作方法

本实用新型涉及发光二极管技术领域，具体为一种氮化镓系发光二极管结构。

背景技术：

在现有的氮化镓系LED 中，通常采用蓝宝石作为衬底。然而，由于蓝宝石与III 族氮化物之间的晶格失配以及III 族氮化物的极化特性，使得在活性层及整个LED 结构中存在很强的极化场，从而减弱了对载流子的限制作用，降低了器件的发光效率。

由于p型AlGaN电子阻挡层的生长温度较高，而p型掺杂剂( 比如Mg) 在高温下的扩散系数增加很快，因此在p型AlGaN电子阻挡层高温生长的过程中，p型掺杂剂将不可避免地向位于其下的InGaN/GaN多量子阱有源区中扩散，这将对发光二极管产生严重的影响。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种氮化镓系发光二极管结构，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种氮化镓系发光二极管结构，包括管壳，连接于管壳底端的陶瓷管座，设置于管壳内的晶片和两根引线；两根引线的上部穿过陶瓷管座伸入到管壳内且两根引线的顶端与均与晶片电连接；所述的晶片包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底、氮化镓缓冲层、n型氮化镓接触层、氮化镓活性发光层、低温p型氮化镓层、高温p型氮化镓接触层和电子阻挡层。

优选的，所述的氮化镓活性发光层的上表面上且位于低温p型氮化镓层的侧方设置有n型电极层。

优选的，所述的电子阻挡层的上表面上设置有p型电极层。

优选的，所述低温p型氮化镓层的厚度为5 ～ 300 纳米。

所述的低温p型氮化镓层的生长温度为600℃～ 900℃；所述的n型氮化镓接触层的添加剂为硅烷。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：采用电子阻挡层加强对载流子的限制，与低温p型氮化镓层配合，可减少p型掺杂剂向活性区的扩散，采用碳化硅衬底作为基板，提高了导热性能，有利于满足大功率电流的需要，提高器件的发光效率。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图2是本实用新型晶片的结构示意图。

图中：1、管壳；2、陶瓷管座；3、引线；4、晶片；5、碳化硅衬底；6、氮化镓缓冲层；7、n型氮化镓接触层；8、氮化镓活性发光层；9、低温p型氮化镓层；10、高温p型氮化镓接触层；11、电子阻挡层；12、n型电极层；13、p型电极层。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参阅图1-2，一种氮化镓系发光二极管结构，包括管壳1，连接于管壳1底端的陶瓷管座2，设置于管壳1内的晶片4和两根引线3；两根引线3的上部穿过陶瓷管座2伸入到管壳1内且两根引线3的顶端与均与晶片4电连接；晶片4包括有从下至上依次设置的碳化硅衬底5、氮化镓缓冲层6、n型氮化镓接触层7、氮化镓活性发光层8、低温p型氮化镓层9、高温p型氮化镓接触层10和电子阻挡层11，设置于氮化镓活性发光层8的上表面上且位于低温p型氮化镓层9侧方的n型电极层12，设置于电子阻挡层11上表面上的p型电极层13。其中，低温p型氮化镓层9的厚度为5 ～ 300 纳米。

本实用新型在具体实施时，通过引线3将二极管接入电路，陶瓷管座2起到绝缘作用，采用电子阻挡层11加强对载流子的限制，与低温p型氮化镓层9配合，可减少p型掺杂剂向活性区的扩散，采用碳化硅衬底5作为基板，提高了导热性能，有利于满足大功率电流的需要，提高器件的发光效率。

尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。