1.一种蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：包括用于对太阳能硅片进行加工的蚀刻机、穿过所述蚀刻机用于对太阳能硅片进行输送的硅片输送架，位于所述蚀刻机出口处的所述硅片输送架的上方设置有罩壳，所述罩壳通过臭氧输送管与臭氧发生器相连通，所述罩壳的开口朝下且正对所述硅片输送架上的太阳能硅片，所述罩壳内设置有一层均流网，所述均流网上密布有若干均流孔。
2.如权利要求1所述的蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：所述硅片输送架包括位于两侧的刚性支撑架、若干横向设置且两端分别于所述刚性支撑架相转动链接的输送辊，若干所述输送辊等距分布。
3.如权利要求1所述的蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：所述硅片输送架的出料端设置有硅片承载架，所述硅片承载架包括由上至下倾斜设置的底板、设置于所述底板两侧的侧挡板、垂直设置于所述底板下端部的下挡板，所述底板的上端与所述硅片输送辊相衔接。
4.如权利要求3所述的蚀刻机的抗PID衰减装置，其特征在于：所述硅片承载架的内表面设置有塑料泡沫层。