1.一种侧壁粗化高亮度发光二极管，包括砷化镓永久衬底，在砷化镓永久衬底的上面依次设置有缓冲层、发光层、窗口层和第一电极，缓冲层为n型砷化镓，发光层包括AlAs/AlGaAs反射层、N-AlGaInP下限制层、AlGaInP有源层、P-AlGaInP上限制层、P-GaInP缓冲层和P-GaP粗化层，窗口层为SiN光学薄膜，在砷化镓永久衬底的下面设有第二电极，其特征在于：P-GaP粗化层包含P-GaP正面粗化层和P-GaP侧壁粗化层两部分，在P-GaP正面粗化层上设有第一电极，P-GaP侧壁粗化层呈V型槽结构,P-GaP粗化层的总厚度在7000～10000nm。
2.根据权利要求1所述的侧壁粗化高亮度发光二极管，其特征在于：P-GaP粗化层的粗化深度在300～500nm。
3.根据权利要求1所述的侧壁粗化高亮度发光二极管，其特征在于：窗口层的厚度在50～100nm，窗口层包覆了P-GaP正面粗化层的表面和P-GaP侧壁粗化层的表面。
4.根据权利要求1所述的侧壁粗化高亮度发光二极管，其特征在于：V型槽的倾斜角度60～80°，深度为20～40µm。