半导体元件的制作方法

技术领域

本实用新型一般地涉及电子学，尤其涉及其半导体结构以及形成半导体器件的方法。

背景技术：

过去，半导体制造商已经使用硅半导体材料和III-N半导体材料的组合来制造共源共栅器件，诸如与硅器件共源共栅的常开型III-N耗尽型HEMT。使用材料的这种组合帮助使用常开的III-N耗尽型器件实现常关状态。共源共栅半导体器件已经在由Rakesh K.Lai等人并且于2013年4月11日公开的美国专利申请公开号2013/0088280 A1中描述。

在由不同的半导体衬底材料制造共源共栅器件之后，半导体元件制造商典型地将硅器件和耗尽型器件保护在单独的封装中，并且将单独的封装中的器件经由引线框架引线连接在一起以形成共源共栅器件。使用这种方法的缺点在于增加封装的数量则增加共源共栅半导体元件的成本，并且因为诸如寄生电容和寄生电感这样的增加的寄生效应而使得共源共栅器件的性能退化。

因此，具有一种共源共栅半导体器件以及一种用于制造共源共栅半导体器件的方法将是有利的。结构和方法实现起来有成本效益将更为有利。

技术实现要素：

在本实用新型的第一方面，提供一种半导体元件(10)，具有至少第一端子和第二端子，其特征在于包括：支撑件(12)，具有第一侧面和第二侧面以及多个引线(26，28，30)，支撑件(12)的第一侧面具有第一器件接收结构(18)、第二器件接收结构(20)和第一互连结构(21)，并且支撑件(12)的第二侧面具有接触(24)；第一半导体器件(40，40B)，安装到第一器件接收结构(18)，第一半导体器件(40)具有控制端子(54，55)以及第一载流端子(50)和第二载流端子(52)，并且由III-N半导体材料配置成；第一电气互连(80，82)，耦合在第一半导体器件(40)的控制端子(54，55)与多个引线(26，28，30)的第一引线(30)之间；第二电气互连(76)，耦合在第一半导体器件(40)的第一载流端子(50)与第一互连结构(21)之间；以及第三电气互连(78)，耦合在第一半导体器件(40)的第二载流端子(52)与第二器件接收结构(20)之间。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于第一半导体器件(40)是氮化镓半导体器件。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括第二半导体器件(60)，安装到第二器件接收结构(20)，第二半导体器件(60)具有控制端子(74)以及第一载流端子(72)和第二载流端子(75)，并且由硅半导体材料配置成。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括：第四电气互连(84)，将第二半导体器件(60)的控制端子(74)与多个引线(26，28，30)中的第三引线(26)耦合在一起；以及第五电气互连(88)，耦合在第二半导体器件(60)的第一载流端子(72)与多个引线(26，28，30)中的第一引线(30)之间，其中第二半导体器件(60)的第一载流端子(72)由第一电气互连(80)耦合到第一半导体器件(40)的控制端子(54，55)。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括第七电气互连(86)，耦合在第二半导体器件(60)的第一载流端子(72)与多个引线(26，28，30)中的第二引线(28)之间。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于第一半导体器件(40B)的第一载流端子(50B)和第一半导体器件(40B)的第二载流端子(52B)在第一半导体器件(40B)的有源区上。

在本实用新型的另一方面，提供了一种半导体元件，其特征在于包括：第一器件接收结构(18，20，138)，第一器件接收结构(18，20)嵌入在模塑化合物中；第一接合焊盘(22，140)，嵌入在模塑化合物中；多个引线框架引线(26，28，30)，从模塑化合物延伸；第一半导体器件(40，40B，60)，接合到第一器件接收结构，第一半导体器件(40，40B，60)具有控制电极、第一载流电极和第二载流电极；第一电气互连(88，106)，将第一引线框架引线(30)耦合到第一半导体器件(40，40B，60)的第一载流电极；以及第二电气互连(84)，将第二引线框架引线(26)耦合到第一半导体器件(40，40B，60)的控制电极。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括：第三电气互连(76)，将第二载流电极耦合到第一器件接收结构(138)；以及第四电气互连(86)，将第三引线框架引线(28)耦合到第一半导体器件(40，40B，60)的第一载流电极。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括：第五电气互连(84A)，将第一接合焊盘(140)耦合到第一半导体器件的控制电极；以及第六电气互连(172)，将第一结合焊盘(140)耦合到第三引线框架引线(28)；以及第七电气互连(182)，将第一引线框架引线(30)耦合到第一器件接收结构(138)。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其特征在于还包括：第二器件接收结构(18)，第二器件接收结构(18，20)嵌入在模塑化合物中；第二半导体器件(60)，接合到第二器件接收结构(18)，第二半导体器件(40，40B，60)具有控制电极、第一载流电极和第二载流电极；第三电气互连(76，102)，将第二半导体器件(60)的第二载流电极(50)耦合到第一接合焊盘(22)；第四电气互连(78，104)，将第一载流电极(52)耦合到第一器件接收结构(20)；以及第五电气互连(80)，将第二半导体器件(60)的控制电极(54，55)耦合到第一半导体器件(40)的第二载流电极(72)。

附图说明

本实用新型将从结合附随附图进行的下面详细描述的阅读中更好理解，其中类似的参考字符指定类似的元件，并且其中：

图1是根据本实用新型的实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图2是沿着图1的截面线2-2而获得的图1的半导体元件的横截面视图；

图3是图1和2的半导体元件的底视图；

图4是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图5是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图6是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图7是沿着图6的截面线7-7而获得的图6的半导体元件的横截面视图；

图8是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图9是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图10是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图11是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

图12是沿着图11的截面线12-12而获得的图11的半导体元件的横截面视图；

图13是根据本实用新型的另一种实施例的共源共栅配置的半导体元件的透视图；

为了例示的简单和清楚，图中的元件不一定按比例，并且不同图中的相同参考字符表示相同的元件。另外，为了描述的简单，省略众所周知的步骤和元件的描述和细节。如这里所使用的，载流电极意思是运载电流通过器件的器件的元件，诸如MOS晶体管的源极或漏极或者双极型晶体管的发射极或集电极或者二极管的阴极或阳极，并且控制电极意思是控制电流流动通过器件的器件的元件，诸如MOS晶体管的栅极或者双极型晶体管的基极。虽然器件在这里解释成某种n通道或p通道器件，或者某种n型或p型掺杂区，但是本领域中的普通技术人员将意识到，根据本实用新型的实施例，互补式器件也是可能的。本领域中的那些技术人员将意识到，如这里所使用的单词在…期间、在…的时候以及当…时不是意味着动作在发起动作时立即发生的确切术语，而是可以在由初始动作发起的反应与初始动作之间存在某个小的但是合理的延迟，诸如传播延迟。单词近似、大约或者基本上的使用意思是元素的值具有期望与所陈述的值或位置非常接近的参数。然而，如在本领域中众所周知的，总是存在阻止值或位置确切地如所陈述的轻微差异。在本领域中已为大家所接受的，直到大约百分之十(10％)(以及关于半导体掺杂浓度，直到百分之二十(20％))的差异被认为是与确切地如所描述的理想目标的合理差异。

具体实施方式

图1是根据本实用新型的实施例的半导体元件10的透视图，并且图2是沿着图1的截面线2-2而获得的半导体元件10的横截面视图。图1和2一起描述。图1和2中所示的是模塑的(molded)器件支撑结构12，模塑的器件支撑结构12具有顶表面14和底表面16。模塑的支撑结构12包括位于顶表面14的器件接收区域18、器件接收区域20和接合焊盘22以及位于底表面16的接触24。器件接收区域18和20可以称作器件接收结构。器件接收区域18被配置用于接收诸如例如III族氮化物器件这样的复合半导体器件，然而器件接收区域20被配置用于接收硅半导体器件。根据实施例，器件接收区域18、器件接收区域20和接合焊盘22与表面14基本上共面。引线框架引线26、28和30从模塑的器件支撑结构12的侧面或边缘伸出。模塑的支撑结构12可以通过将导电条放置在具有模腔的模具中并且将模塑化合物(mold compound)注入到模腔中来形成。导电条可以包括用作器件接收区域的焊盘或板18和20、包括通过导体25与接触24整体地形成的接合焊盘22的互连结构21，以及诸如例如引线框架引线26、28和30这样的多个引线框架引线。在将模塑化合物注入到腔内之后，导电条可以被切单成多个模塑的支撑结构12。用于导电条的适当材料包括铜、铝等。如所提及的，模塑的支撑结构12被例示并且描述成单个元件；然而，它可以是从密封在模塑化合物中的引线框架条中切单的一部分。

半导体芯片40使用管芯(die)附接材料42接合到器件接收区域18的表面18A，其中管芯附接材料42是导电且导热的管芯附接材料。更特别地，半导体芯片40的表面44通过电绝缘管芯附接材料42接合到器件接收区域18的表面18A。根据实施例，半导体芯片40是具有相对的主表面44和46的复合半导体芯片，其中半导体芯片40包括场效应半导体器件，具有在表面46的一部分上或者由表面46的一部分形成的漏极接触50、在表面46的另一部分上或者由表面46的另一部分形成的源极接触52，以及在表面46的其他部分上或者由表面46的其他部分形成的栅极接触54和55。应当注意，半导体器件不局限于是场效应晶体管。例如，半导体器件可以是绝缘栅双极型晶体管、双极型晶体管、结型场效应晶体管、二极管等。根据诸如例如场效应晶体管这样的分立半导体器件由半导体芯片40形成的实施例，半导体芯片40可以称作半导体器件。另外，管芯附接材料42不局限于是导电材料，而是可以是电绝缘材料或者导热材料。作为示例，半导体芯片40是III族氮化物半导体芯片，亦即，III族氮化物半导体芯片40的衬底材料包含氮化铝。III族氮化物半导体材料可以称作III-N半导体材料、基于III族氮化物的半导体材料、基于III-N的半导体材料等。

半导体芯片60使用管芯附接材料42接合到器件接收区域20的表面20A。根据实施例，半导体芯片60是具有相对的主表面64和66的硅芯片，其中半导体芯片60包括垂直场效应半导体器件，具有在表面64上或者由表面64形成的漏极接触75、在表面66的一部分上或者由表面66的一部分形成的源极接触72，以及在表面66的另一部分上或者由表面66的另一部分形成的栅极接触74。漏极接触75通过管芯附接材料42接合到器件接收区域20的表面20A。应当注意，半导体器件60不局限于是垂直场效应晶体管或者场效应晶体管。例如，半导体器件可以是绝缘栅双极型晶体管、双极型晶体管、结型场效应晶体管、二极管等。作为示例，半导体芯片60是硅半导体芯片，亦即，硅半导体芯片40的衬底材料包含硅。硅半导体材料可以称作基于硅的半导体材料、硅半导体材料等。根据诸如例如场效应晶体管这样的分立半导体器件由半导体芯片60形成的实施例，半导体芯片60可以称作半导体器件。

半导体器件40的漏极接触50通过接合线76电连接到接合焊盘22，半导体器件40的源极接触52通过接合线78电连接到器件接收区域20，半导体器件40的栅极接触54通过接合线80电连接到源极接触72，并且半导体器件40的栅极接触55通过接合线82电连接到引线框架引线30。半导体器件60的栅极接触74通过接合线84电连接到引线框架引线26，源极接触72通过接合线86连接到表面引线框架引线28以及通过接合线88连接到引线框架引线30，并且漏极接触75通过导电管芯附接材料42电连接到器件接收区域20的表面20A。应当注意，栅极接触54通过金属化系统(未示出)导电至栅极接触55。接合线可以称作丝焊。应当注意，根据该实施例，半导体器件40和60分别通过导电管芯附接材料42电连接到器件接收区域18和20。

如本领域中的那些技术人员意识到的，器件接收区域18和20、半导体芯片40和60，以及接合线76、78、80、82、84、86和88以及模塑的支撑结构12的部分可以被密封在诸如例如模塑化合物这样的保护材料90中。应当注意，引线框架引线26用作栅极引线框架引线或栅极引线，引线框架引线28用作开尔文引线框架引线或开尔文引线，引线框架引线30用作源极引线框架引线或源极引线，并且接触24用作漏极接触。

如此，半导体元件10包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体材料的衬底电浮动，并且接触焊盘没有在半导体器件40的有源区上形成。

图3是根据本实用新型实施例的半导体元件10的底视图。图3进一步例示接触24以及引线框架引线26、28和30。

图4是根据本实用新型另一种实施例的半导体元件100的透视图。半导体元件100与半导体元件10相类似，除了接合线76已经由导电夹102取代，接合线78已经由导电夹104取代，并且接合线88已经由导电夹106取代。应当注意，已经参考图1和2描述了将半导体芯片40和60分别安装到器件接收区域18和20。如此，半导体元件100包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体材料的衬底电浮动，并且接触焊盘没有在半导体器件40的有源区上形成。

如本领域中的那些技术人员意识到的，器件接收区域18和20、半导体芯片40和60，以及接合线80、82、84、86和88、夹子102、104和106，以及模塑的支撑结构12的部分可以被密封在诸如例如模塑化合物90这样的保护材料中。

图5是根据本实用新型另一种实施例的半导体元件120的透视图。半导体元件120与半导体元件10相类似，除了半导体元件120包括接合线122，接合线122将半导体芯片60的半导体材料与器件接收区域18的表面18A连接在一起。应当注意，已经参考图1和2描述了将半导体芯片40和60分别安装到器件接收区域18和20。接合线122将半导体器件60的源极电极72，从而源极通过管芯接收区域18和管芯附接材料42电连接到半导体器件40的半导体材料的体(body)。如此，半导体元件120包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体材料的衬底接地，并且接触焊盘没有在半导体器件40的有源区上形成。

如本领域中的那些技术人员意识到的，器件接收区域18和20、半导体芯片40和60，以及接合线76、78、80、82、84、86和88以及模塑的支撑结构12的部分典型地被密封在诸如例如模塑化合物这样的保护材料中。

图6是根据本实用新型的另一种实施例的半导体元件130的透视图。图7是沿着图6的截面线7-7而获得的半导体元件130的横截面视图。图6和7一起描述。图6和7中所示的是模塑的器件支撑结构132，模塑的器件支撑结构132具有顶表面134和底表面136。模塑的支撑结构132包括位于顶表面134的器件接收区域138、接合焊盘140以及位于底表面136的接触143。根据实施例，接合焊盘138和140与表面134共面。引线框架引线26、28和30从模塑的器件支撑结构132的侧面或边缘伸出。器件接收区域138也称作器件接收结构。模塑的支撑结构132可以通过将导电条放置在具有模腔的模具中并且将模塑化合物注入到模腔中来形成。导电条可以包括具有接触区140的焊盘或板138，以及诸如例如引线框架引线26、28和30这样的多个引线框架引线，其中焊盘或板138用作器件接收区域。在将模塑化合物注入到腔内之后，导电条可以被切单成多个模塑的支撑结构132。用于导电条的适当材料包括铜、铝等。如所提及的，模塑的支撑结构132被例示并且描述成单个元件；然而，它可以是从密封在模塑化合物中的引线框架条中切单的一部分。

半导体芯片40使用管芯附接材料42I接合到器件接收区域138的表面138A，其中管芯附接材料42I是电绝缘管芯附接材料。根据实施例，半导体芯片40是具有相对的主表面44和46的复合半导体芯片，其中半导体芯片40包括场效应半导体器件，具有在表面46的一部分上或者由表面46的一部分形成的漏极接触50、在表面46的另一部分上或者由表面46的另一部分形成的源极接触52，以及在表面46的其他部分上或者由表面46的其他部分形成的栅极接触54和55。如此，半导体芯片40的表面44通过管芯附接材料42I接合到器件接收区域138的表面138A。应当注意，半导体器件40不局限于是场效应晶体管。例如，半导体器件40可以是绝缘栅双极型晶体管、双极型晶体管、结型场效应晶体管、二极管等。如上面所讨论的，根据诸如例如场效应晶体管这样的分立半导体器件由半导体芯片40形成的实施例，半导体芯片40可以称作半导体器件。

半导体器件40的漏极接触50通过接合线76电连接到器件接收区域138的表面138A，半导体器件40的源极接触52通过接合线86电连接到引线框架引线28以及通过接合线88电连接到引线框架引线30，半导体器件40的栅极接触54通过接合线84电连接到引线框架引线26，栅极接触55通过接合线82电连接到接合焊盘140，并且接合焊盘140通过接合线85电连接到引线框架引线26。根据图6的实施例，引线框架引线26是栅极引线框架引线或栅极引线，引线框架引线28是开尔文引线框架引线或开尔文引线，并且引线框架引线30是源极引线框架引线或源极引线。接合线可以称作丝焊。应当注意，根据该实施例，半导体器件40的漏极接触50电连接到器件接收区域138的表面138A。如此，半导体元件130包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体材料的衬底电浮动，并且接触焊盘没有在半导体器件40的有源区上形成。

如本领域中的那些技术人员意识到的，器件接收区域138、半导体芯片40，以及接合线76、82、84、86和88以及模塑的支撑结构132的部分典型地被密封在诸如例如模塑化合物90这样的保护材料中。

图8是根据本实用新型的另一种实施例的半导体元件139的透视图。半导体元件139与半导体元件130相类似，除了图8的管芯附接材料，亦即，管芯附接材料42是导电且导热的材料；并且半导体元件139包括接合焊盘141和接合线142，其中接合线142将器件接收区域138与引线框架引线30连接在一起并且接合焊盘141通过接合线76连接到漏极接触50，不像半导体元件130，在半导体元件130中，接合线76将漏极接触50与器件接收区域138连接在一起。接合焊盘141与器件接收区域138相隔。应当注意，栅极引线框架引线26经由接合线84电连接到栅极电极54并且通过接合线85电连接到接合焊盘140。进一步应当注意，已经参考图6和7描述了将半导体芯片40安装到器件接收区域138。接合线142将半导体芯片40的衬底通过引线框架引线30电连接到半导体器件40的源极电极52，从而半导体器件40的源极电连接到半导体器件40的半导体材料的体。如此，半导体元件140包括分立III-N场效应晶体管，其中III-N半导体材料的衬底接地，并且接合焊盘没有在半导体器件40的有源区上形成。

如本领域中的那些技术人员意识到的，器件接收区域138、半导体芯片40，以及接合线76、82、84、85、86和88以及模塑的支撑结构132的部分典型地被密封在诸如例如模塑化合物90这样的保护材料中。

图9是根据本实用新型的另一种实施例的半导体元件150的透视图。半导体元件150与参考图4描述的半导体元件100相类似，除了半导体器件由参考字符40A识别，亦即，将字母A附加到参考字符40，因为漏极接触50已经由在半导体器件40A的III-N的有源区的一部分上延伸的漏极接触50A取代，并且源极接触52已经由在半导体器件40A的III-N的有源区的另一部分上延伸的源极接触52A取代。应当注意，已经参考图1和2描述了将半导体芯片安装到器件接收区域。如此，半导体元件150包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体材料的衬底电浮动，并且接触焊盘在半导体器件40A的有源区上形成。

如本领域中的那些技术人员意识到的，器件接收区域18和20、半导体芯片40A和60，以及接合线80、82、84、86和88、夹子102、104和106，以及模塑的支撑结构12的部分典型地被密封在诸如例如模塑化合物90这样的保护材料中。

图10是根据本实用新型的另一种实施例的半导体元件160的透视图。半导体元件160与参考图5描述的半导体元件120相类似，除了漏极接触50已经由在半导体器件40B的III-N的有源区的一部分上延伸的漏极接触50B取代，源极接触52已经由在半导体器件40B的III-N的有源区的另一部分上延伸的源极接触52B取代，并且栅极接触54和55已经由在半导体器件40B的III-N的有源区的另一部分上延伸的栅极接触54B取代，接合线80已经由接合线80B取代，并且接合线82在图10的实施例中不存在。将参考字符B附加到参考字符40来区分在有源区上具有接合焊盘的半导体芯片和在有源区上不具有接合焊盘的半导体芯片。应当注意，已经参考图1和2描述了将半导体芯片安装到器件接收区域。如此，半导体元件160包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体材料的衬底电接地，并且接触焊盘在半导体器件40B的有源区上形成。

如本领域中的那些技术人员意识到的，器件接收区域18和20、半导体芯片40B和60，以及接合线76、78、80B、84、86、88和122，以及模塑的支撑结构12的部分典型地被密封在诸如例如模塑化合物这样的保护材料中。

图11是根据本实用新型的另一种实施例的半导体元件170的透视图。图12是沿着图11的截面线12-12而获得的半导体元件170的横截面视图。图11和12一起描述。图11和12中所示的是模塑的器件支撑结构132，模塑的器件支撑结构132包括器件接收区域138和接合焊盘140，以及引线框架引线26、28和30。已经参考图6和7描述了模塑的器件支撑结构132。

半导体芯片40B使用管芯附接材料42I接合到器件接收区域138的表面138A，其中管芯附接材料42I是电绝缘管芯附接材料。如此，表面44通过导电且导热的管芯附接材料42I接合到器件接收区域138的表面138A。根据实施例，半导体芯片40B是具有相对的主表面44和46的复合半导体芯片，其中半导体芯片40B包括场效应半导体器件，具有在半导体器件40B的有源区的一部分上形成的漏极接触50B、在半导体器件40B的有源区的另一部分上形成的源极接触52B，以及在半导体器件40B的有源区的另一部分上形成的栅极接触54B。已经参考图10描述了半导体器件40B。

半导体器件40B的漏极接触50B通过接合线76电连接到器件接收区域138，半导体器件40B的源极接触52B通过接合线86电连接到引线框架引线28以及通过接合线88电连接到引线框架引线30，半导体器件40B的栅极接触54B通过接合线84电连接到引线框架引线26。接合焊盘140通过接合线172电连接到引线框架引线26以及通过接合线83电连接到栅极接触54B。根据图11和12的实施例，引线框架引线26是栅极引线框架引线或栅极引线，引线框架引线28是开尔文引线框架引线或开尔文引线，并且引线框架引线30是源极引线框架引线或源极引线。接合线可以称作丝焊。应当注意，根据该实施例，半导体器件40B的漏极接触50B由接合线172电连接到器件接收区域138的表面138A。如此，半导体元件170包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体材料的衬底电浮动，并且接触焊盘在半导体器件40B的有源区上形成。

图13是根据本实用新型的另一种实施例的半导体元件180的透视图。半导体元件180与半导体元件139相类似，除了图8的半导体芯片40已经由半导体芯片40B(图11中所示)取代；半导体元件180包括参考图8示出并描述的接合焊盘141；半导体元件139的接合线85由接合线172取代；并且接合线84将栅极接触54B连接到接合焊盘140。如此，漏极接触50B由接合线76电连接到接合焊盘141，源极接触52B由接合线88电连接到引线30以及由接合线86电连接到引线28，并且栅极接触54B由接合线84电连接到接合焊盘140以及由接合线84电连接到引线26。接合线142将引线框架引线30与器件接收区域138的表面138A连接在一起。接合线142和88以及引线30将半导体器件40B的源极电极52B，从而源极电连接到半导体器件40B的半导体材料的衬底。如此，半导体元件180包括III-N共源共栅开关，其中III-N半导体器件的衬底连接到它的源极，并且接触焊盘在半导体器件40B的有源区上形成。III-N半导体器件的源极能够连接到诸如例如接地这样的电势。根据该实施例，连接III-N半导体器件的源极也将III-N半导体器件的衬底连接到接地。

在本实用新型的一个方面，提供一种半导体元件，具有至少第一端子和第二端子，包括：支撑件，具有第一侧面和第二侧面以及多个引线，支撑件的第一侧面具有第一器件接收结构、第二器件接收结构和第一互连结构，并且支撑件的第二侧面具有接触；第一半导体器件，安装到第一器件接收结构，第一半导体器件具有控制端子以及第一载流端子和第二载流端子，并且由III-N半导体材料构成；第一电气互连，耦合在第一半导体器件的控制端子与多个引线的第一引线之间；第二电气互连，耦合在第一半导体器件的第一载流端子与第一互连结构之间；以及第三电气互连，耦合在第一半导体器件的第二载流端子与第二器件接收结构之间。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其中第一半导体器件是氮化镓半导体器件。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括第四电气互连，耦合在第一半导体器件的控制端子与多个引线的第二引线之间。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其中第一电气互连是接合线，第二电气互连是接合线，并且第三电气互连是接合线。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括第二半导体器件，安装到第二器件接收结构，第二半导体器件具有控制端子以及第一载流端子和第二载流端子，并且由硅半导体材料构成。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括：第四电气互连，将第二半导体器件的控制端子与多个引线的第三引线耦合在一起；以及第五电气互连，耦合在第二半导体器件的第一载流端子与多个引线的第一引线之间，其中第二半导体器件的第一载流端子由第一电气互连耦合到第一半导体器件的控制端子。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括第七电气互连，耦合在第二半导体器件的第一载流端子与多个引线的第二引线之间。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括第八电气互连，耦合在第一半导体元件接收结构与第二半导体器件的第一载流端子之间。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其中第一半导体器件的第一载流端子和第一半导体器件的第二载流端子在第一半导体器件的有源区上。

在本实用新型的另一个方面，提供一种半导体元件，包括：第一器件接收结构，第一器件接收结构嵌入在模塑化合物中；第一接合焊盘，嵌入在模塑化合物中；多个引线框架引线，从模塑化合物延伸；第一半导体器件，接合到第一器件接收结构，第一半导体器件具有控制电极、第一载流电极和第二载流电极；第一电气互连，将第一引线框架引线耦合到第一半导体器件的第一载流电极；以及第二电气互连，将第二引线框架引线耦合到第一半导体器件的控制电极。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括：第三电气互连，将第二载流电极耦合到第一器件接收结构；以及第四电气互连，将第三引线框架引线耦合到第一半导体器件的第一载流电极。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括：第五电气互连，将第一接合焊盘耦合到第一半导体器件的控制电极；以及第六电气互连，将第一结合焊盘耦合到第三引线框架引线。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括第七电气互连，将第一引线框架引线耦合到第一器件接收结构。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括：第五电气互连，将第一半导体器件的控制电极耦合到第一引线框架引线；第六电气互连，将第一引线框架引线耦合到第一器件接收结构；以及第七电气互连，将第一接合焊盘耦合到第一半导体器件的第一载流电极。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其中第一半导体器件的控制电极、第一载流电极和第二载流电极在第一半导体器件的有源区上，并且其中第一半导体器件是III-N半导体器件。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括：第二器件接收结构，第二器件接收结构嵌入在模塑化合物中；第二半导体器件，接合到第二器件接收结构，第二半导体器件具有控制电极、第一载流电极和第二载流电极；第三电气互连，将第二半导体器件的第二载流电极耦合到第一接合焊盘；第四电气互连，将第一载流电极耦合到第一器件接收结构；以及第五电气互连，将第二半导体器件的控制电极耦合到第一半导体器件的第二载流电极。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括第六电气互连，将第二半导体器件的控制电极耦合到第一引线框架引线。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，还包括第七电气互连，将第二器件接收结构耦合到第一半导体器件的第一载流电极。

根据上面描述的半导体元件的一个单独实施例，其中第一电气互连是接合线或夹子的一种，第二电气互连是接合线或夹子的一种，并且第三电气互连是接合线或夹子的一种。

在本实用新型的再一个方面，提供一种用于制造半导体元件的方法，包括：形成支撑件，支撑件具有彼此平行的第一侧面和第二侧面以及与第一侧面和第二侧面垂直的第三侧面，其中支撑件具有从第三侧面延伸的多个引线以及从第一侧面延伸到支撑件中的器件接收结构；将第一半导体器件安装到第一器件接收结构，第一半导体器件具有控制端子以及第一载流端子和第二载流端子，并且由III-N半导体材料构成；将第一半导体器件的控制端子电耦合到多个引线的第一引线；将第一半导体器件的第一载流端子电耦合到多个引线的第二引线；以及将第一半导体器件的第二载流端子电耦合到第一器件接收结构或者第一互连结构的一个。

虽然已经在这里公开了某些优选的实施例和方法，但是从前述公开中对于本领域中的那些技术人员将显然，可以进行这种实施例和方法的变化和修改，而不背离本实用新型的精神和范围。本实用新型将打算仅限制到由附加权利要求书以及适用法律的规则和原则所必需的范围。