本实用新型涉及IBC太阳能电池的制造技术领域，特别是一种背接触太阳能电池结构。
背景技术：
本项目以目前现有量产的背接触太阳能电池制造工艺为主线，通过对背接触太阳能电池制造工艺的研究，将在工艺制造方面获得突破性进展，达到国内领先或先进水平；探索实现拥有自主知识产权的背接触太阳能电池工艺制造技术，同时将该技术应用工业生产中，提高电池片的转换效率，降低制造成本。
但是作为太阳能晶硅电池传统工艺仍有以下缺点：（1）存在一定的遮光面积；（2）前表面场的钝化面积受限（3）。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是，克服现有技术的缺点，提供一种背接触太阳能电池结构；
为了解决以上技术问题，本实用新型提供一种背接触太阳能电池结构，包括硅衬底，硅衬底的表面场铺设有P型金属电极层，其背面场铺设有n型金属电极层，n型金属电极层上开设有两排背场孔，两排背场孔之间相互平行，每排背场孔的数量相同且位置一一对应；背场孔朝垂直于硅衬底的方向延伸至P型金属电极层的下表面，即硅衬底内部形成与背场孔一一对应且孔径相同的空腔；
P型金属电极层上开设有两排表面场孔，两排表面场孔与两排背场孔相互平行且间隔设置，每排表面场孔与每排背场孔的数量相同且位置一一对应；
硅衬底内部开设有多个垂直于P型金属电极层的通孔，通孔与表面场孔的位置一一对应且相互导通，通孔的孔径大于表面场孔的孔径且两者的横截面为同心圆结构。
本实用新型进一步限定的技术方案是：
进一步的，前述的背接触太阳能电池结构，背场孔与空腔的的孔径为10-30um，表面场孔的孔径为10-30um，通孔的孔径为40-100um。
前述的背接触太阳能电池结构，每排表面场孔中相邻两孔之间的点经间距为200-800um，两排表面场孔中对应两个表面场孔之间的点经距离100-1200um；
每排背场孔中相邻两孔之间的点经间距为200-800um，两排背场孔中对应两个表背场孔之间的点经距离100-1200um。
本实用新型的有益效果是：
本实用新型所设计的背接触太阳能电池结构解决了传统工艺电池转换效率提升空间小，电池正面有电极遮挡且钝化面积受限，接触面积受限等问题；
本实用新型所设计的背接触电池正表面无金属接触，受光面积增大至电流密度高达42MA/C㎡，从而大大提高了短路电流；
本实用新型所设计的背接触电池因正表面无金属接触整个前表场可以获得较好的钝化效果，最大限度的提升开路电压；
本实用新型所设计的背接触电池正负电极交叉于电池背面，可根据开孔直径大小设计栅线宽度，从而获得较理想的串阻。
附图说明
图1为本实用新型所设计的背接触太阳能电池结构的剖视图；
其中，1-硅衬底，2-P型金属电极层，3-n型金属电极层，4-表面场孔，5-通孔，6-背场孔，7-空腔。
具体实施方式
实施例1
本实施例提供的一种，结构如图1所示，背接触太阳能电池结构，包括硅衬底1，硅衬底1的表面场铺设有P型金属电极层2，其背面场铺设有n型金属电极层2，
n型金属电极层2上开设有两排背场孔6，两排背场孔6之间相互平行，每排背场孔6的数量相同且位置一一对应；背场孔6朝垂直于硅衬底1的方向延伸至P型金属电极层2的下表面，即硅衬底1内部形成与背场孔6一一对应且孔径相同的空腔7；
P型金属电极层2上开设有两排表面场孔4，两排表面场孔4与两排背场孔6相互平行且间隔设置，每排表面场孔4与每排背场孔6的数量相同且位置一一对应；
硅衬底1内部开设有多个垂直于P型金属电极层2的通孔5，通孔5与表面场孔4的位置一一对应且相互导通，通孔5的孔径大于表面场孔4的孔径且两者的横截面为同心圆结构。
前述的背接触太阳能电池结构，背场孔6与空腔7的的孔径为10-30um，表面场孔4的孔径为10-30um，通孔5的孔径为40-100um。
前述的背接触太阳能电池结构，每排表面场孔4中相邻两孔之间的点经间距为200-800um，两排表面场孔4中对应两个表面场孔4之间的点经距离100-1200um；
每排背场孔6中相邻两孔之间的点经间距为200-800um，两排背场孔6中对应两个表背场孔6之间的点经距离100-1200um。
以上实施例仅为说明本实用新型的技术思想，不能以此限定本实用新型的保护范围，凡是按照本实用新型提出的技术思想，在技术方案基础上所做的任何改动，均落入本实用新型保护范围之内。