本实用新型涉及一种功分器，特别是一种Ka全频段小型化高隔离波导功分器。
背景技术：
功分器全称功率分配器，英文名Power divider，是一种将一路输入信号能量分成两路或多路输出相等或不相等能量的器件。功分器从结构上一般分为：微带和腔体2种。腔体功分器内部是一条直径由粗到细呈多个阶梯递减的铜杆构成,从而实现阻抗的变换，工作频带较宽，体积大；微带的则是几条微带线和几个电阻组成,从而实现阻抗变换，其工作频带一般较窄。
传统的T型波导腔体功分器，优点是频段宽，但缺点是两输出端口隔离度很差，体积大，阶梯递减的铜杆加工难度较大，装配难度较大，无法控制其相位、插损等关键指标，已不符合现在宽带功分器高隔离小型化的要求。而采用腔体与微带相结合的形式结构，取其优点避其缺点，能够实现小型化、高隔离、低损耗的功分器。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种Ka全频段小型化高隔离波导功分器。
为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：
一种Ka全频段小型化高隔离波导功分器，其特征在于：包含壳体、一个输入接口、两个输出接口、一个负载接口、魔T功分微带线和射频微带线，魔T功分微带线固定在壳体内，一个输入接口、两个输出接口和一个负载接口分别固定在壳体外侧，魔T功分微带线输入端与输入接口连接，魔T功分微带线两路输出与两个输出接口连接，射频微带线设置在魔T功分微带线的分叉口处并且射频微带线与负载接口连接。
进一步地，所述射频微带线由三段射频微带线构成。
进一步地，所述三段射频微带线参数依次为42欧姆、68欧姆、50欧姆。
进一步地，所述魔T功分微带线工作在Ka全频段。
进一步地，所述魔T功分微带线采用Rogers5880介质基板。
进一步地，所述介质基板厚度为0.254mm。
进一步地，所述介质基板表面覆铜厚度为0.5oz。
进一步地，所述魔T功分微带线波导采用2A12铝合金材料加工。
进一步地，所述魔T功分微带线波导尺寸为标准BJ320波导口，波导内倒角为R0.5mm。
本实用新型与现有技术相比，具有以下优点和效果：本实用新型的功分器为4端口网络，两输出端口有较高的隔离度，体积小，工作频带宽。隔离端口采用微带探针耦合方式，可以在微带探针输出端设计大功率的负载，可以实现大功率高隔离的功率合成。
附图说明
图1是本实用新型的Ka全频段小型化高隔离波导功分器的示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过实施例对本实用新型作进一步的详细说明，以下实施例是对本实用新型的解释而本实用新型并不局限于以下实施例。
如图所示，本实用新型的一种Ka全频段小型化高隔离波导功分器，包含壳体1、一个输入接口2、两个输出接口3、一个负载接口4、魔T功分微带线5和射频微带线6，魔T功分微带线5固定在壳体1内，一个输入接口2、两个输出接口3和一个负载接口4分别固定在壳体1外侧，魔T功分微带线5输入端与输入接口2连接，魔T功分微带线5两路输出与两个输出接口3连接，射频微带线6设置在魔T功分微带线5的分叉口处并且射频微带线6与负载接口4连接。负载7连接在负载接口4上，可以实现大功率高隔离的功率合成。
射频微带线6由三段射频微带线构成。三段射频微带线参数依次为42欧姆、68欧姆、50欧姆。
魔T功分微带线5工作在Ka全频段。魔T功分微带线5采用Rogers5880介质基板。介质基板厚度为0.254mm。介质基板表面覆铜厚度为0.5oz。魔T功分微带线波导采用2A12铝合金材料加工。魔T功分微带线波导尺寸为标准BJ320波导口，波导内倒角为R0.5mm。装配时可以使用导电胶84-1A粘到盒体上，170℃烘2小时。该电路工作频率为26GHz～40GHz，插入损耗：≤0.15dB，合成端口回波损耗：≤-15dB，两输入端口回波损耗：≤-16dB，两端口隔离度：≥18dB，可以满足毫米波全频段的功率分配及合成。
本实用新型的Ka全频段小型化高隔离波导功分器针对传统波导功分器的缺点，设计一种以魔T为基础，并对结构进行优化改进的功分器。该功分器为4端口网络，两输出端口有较高的隔离度，体积小，工作频带宽。隔离端口采用微带探针耦合方式，可以在微带探针输出端设计大功率的负载，可以实现大功率高隔离的功率合成。
本说明书中所描述的以上内容仅仅是对本实用新型所作的举例说明。本实用新型所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种修改或补充或采用类似的方式替代，只要不偏离本实用新型说明书的内容或者超越本权利要求书所定义的范围，均应属于本实用新型的保护范围。