半导体装置的制作方法

相关申请的相互参照

本申请基于2015年6月18日申请的日本申请2015-122981号，其记载内容引入本文。

本发明涉及一种多个元件被并联驱动的半导体装置。

背景技术：

近年来，在多个元件被并联驱动的半导体装置中，对一部分元件的构成材料采用被称为宽带隙半导体的作为半导体的一种的碳化硅(sic)。例如，以sic为主要成分的开关元件与以硅为主要成分的开关元件相比，导通电阻小，能够降低电力损耗。另外，与硅相比，能够在高温条件下工作，被预期冷却机构的小型化。

专利文献1所记载的功率半导体模块中，绝缘栅双极型晶体管(igbt)与续流二极管(fwd)并联连接，构成逆变器。在该功率半导体模块中，通过采用sic作为fwd的构成材料，来降低恢复损耗以及开关损耗，降低fwd的发热量。因此，基于sic的能够在高温区域使用这一特征，能够扩大fwd的允许工作温度，并能够通过抑制冷却机构的能力而实现小型化。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013－131774号公报

技术实现要素：

然而，从相对于温度而保护元件的观点出发，重要的是发现出将元件与其他的部件电连接的部件的热电阻劣化。以往，有在元件上配置pn结温度传感器等半导体温度传感器来进行温度检测的方式，采用针对规定以上的温度升高而保护元件的单元。

然而，宽带隙半导体一般价格高，在采用宽带隙半导体作为构成材料的元件上并设半导体温度传感器有可能会导致成本上升。

本发明的目的在于提供一种半导体装置，具备彼此由不同的成分构成的半导体元件，在由一方的成分所构成的半导体元件侧不设置温度检测单元，也能够进行元件的热保护。

根据本发明的一个实施方式，半导体装置具备：至少一个第1元件、至少一个第2元件、散热器、第1接合层、第2接合层、以及模制树脂。第1元件以第1成分为主要成分而形成，在一面和与其相反侧的背面设置有电极。第2元件以与第1成分不同的第2成分为主要成分而形成，在一面和与其相反侧的背面设置有电极。在散热器上载置有第1元件及第2元件。第1接合层使第1元件的背面侧的电极与散热器电接合。第2接合层使第2元件的背面侧的电极与散热器电接合。模制树脂使散热器的表面的一部分露出，并且覆盖并保护第1元件、第2元件、以及散热器。第1元件及第2元件的尺寸被设定为，第1接合层的等效塑性应变增量大于第2接合层。

由此，第1接合层的应变量大于第2接合层，在第1接合层容易产生裂纹，因此第1接合层的热电阻的增加量也变大。即，第1接合层能够比第2接合层先到达规定的使用寿命。也就是说，设计人员能够决定先到达使用寿命的接合层，因此只要仅在连接有第1接合层的第1元件侧形成温度检测单元，并基于检测到的温度进行元件的热保护，就能够防止第2元件先发生故障。

附图说明

通过参照附图而进行的下面的详细阐述，本发明的上述目的以及其他目的、特征及优点会变得更加明确。在附图中：

图1是表示第1实施方式的半导体装置以及其外围电路的电路构成的电路图。

图2是表示半导体装置的概略构成的俯视图。

图3是沿着图2的iii-iii线的剖视图。

图4是表示半导体装置的一部分的详细构造的立体图。

图5是表示等效塑性应变增量相对于芯片的一个边的长度的变化的图。

图6是表示变形例1的半导体装置的概略构成的俯视图。

具体实施方式

以下，基于附图说明本发明的实施方式。并且，在以下各图的相互之间，对彼此相同或同等的部分标注相同符号。

(第1实施方式)

首先，参照图1～图3对本实施方式所涉及的半导体装置的概略构成进行说明。

本实施方式的半导体装置例如用于将mosfet和igbt这两个开关元件并联连接而获得输出电流的开关电路。igbt具有在其截止时产生尾电流的特征。该尾电流成为加大截止时的开关损耗的原因。对此，在mosfet与igbt并联连接的半导体装置中，通过使mosfet的截止定时比igbt晚，来抑制因尾电流引起的电力消耗。

首先，参照图1说明本实施方式的半导体装置100以及外围电路的电路构成。如图1所示，本实施方式的半导体装置100是开关电路，在电源vcc与接地gnd之间，两个半导体装置100并联连接，构成上臂和下臂。在上臂与下臂之间连接有负载200，作为上臂的半导体装置100和作为下臂的半导体装置100交替地导通截止，从而切换流通于负载200的电流的方向。即，两个半导体装置100构成逆变器(inverter)。

构成上臂及下臂的半导体装置100彼此同等，因此以下对构成上臂的半导体装置100进行说明。

半导体装置100具有作为第1元件的igbt10和作为第2元件的mosfet20，它们相对于电源vcc并联连接。在igbt10及mosfet20的栅极上连接有用于向各开关元件10、20供给栅极电压的驱动器300。并且，在驱动器300上连接有用于控制igbt10及mosfet20的导通截止的定时以及栅极电压的电压值的未图示的控制装置。驱动器300基于从控制装置输入的指示信号来控制igbt10及mosfet20。

接着，参照图2及图3对半导体装置100的安装构造进行说明。如图2及图3所示，该半导体装置100如上述那样，作为由半导体构成的开关元件，具有芯片状的igbt10和mosfet20。另外，为了对开关元件10、20产生的热进行散热而具有平板状的第1散热器30及第2散热器40。igbt10及mosfet20以夹在第1散热器30与第2散热器40之间的方式配置。并且，该半导体装置100具有用于调整第1散热器30与第2散热器40的对置距离的第1间隔件70及第2间隔件80。并且，具有保护这些开关元件10、20、散热器30、40以及间隔件70、80的模制树脂90。

本实施方式的igbt10在其一面形成有发射极，在与一面相反侧的背面形成有集电极。如图3所示，igbt10以集电极与第1散热器30电连接的方式经由第1接合层50被载置在第1散热器30上。另一方面，mosfet20在其一面形成有源极，在与一面相反侧的背面形成有漏极。如图3所示，mosfet20以漏极与第1散热器30电连接的方式经由第2接合层60载置在第1散热器30上。

第1散热器30及第2散热器40是用于将igbt10及mosfet20产生的热向外部散热的平板状的部件，第1散热器30与第2散热器40彼此对置配置。如上述那样，igbt10及mosfet20被散热器30、40夹持而安装，第2散热器40与igbt10的发射极以及mosfet20的源极对置。

第1散热器30如图2所示具有从平板状的一个边的一部分突出的突出部t1，该突出部t1与电源vcc连接。另外，第2散热器40具有从平板状的一个边的一部分突出的突出部t2，该突出部t2与负载200及下臂连接。

第2散热器40与igbt10的发射极经由第1间隔件70而连接。另外，第2散热器40与mosfet20的源极经由第2间隔件80而连接。间隔件70、80是调整两个散热器30、40的对置距离以使第1散热器30与第2散热器40彼此平行，并且将igbt10及mosfet20与第2散热器40电连接的部件。

第1间隔件70经由第3接合层71与igbt10的发射极连接。另外，第1间隔件70经由第4接合层72与第2散热器40连接。另一方面，第2间隔件80经由第5接合层81与mosfet20的源极连接。另外，第2间隔件80经由第6接合层82与第2散热器40连接。

模制树脂90成型为内包并保护igbt10、mosfet20、第1间隔件70、第2间隔件80、第1接合层50、第2接合层60、第3接合层71、第4接合层72、第5接合层81以及第6接合层82。另外，如图3所示，第1散热器30向外部露出不安装igbt10及mosfet20的表面30a，且如图2所示，以突出部t1向外部突出的方式嵌入成型。并且，第2散热器40向外部露出不连接第1间隔件70及第2间隔件80的表面40a，且以突出部t2向外部突出的方式嵌入成型。

并且，在本实施方式中，如图2所示，驱动器300也以被模制树脂90内包的方式配置，igbt10及mosfet20的栅极与驱动器300分别经由接合线(bondingwire)w1及w2连接。驱动器300不需要一定和半导体装置100一起嵌入成型在模制树脂90内，也可以配置在模制树脂90的外部。

本实施方式的igbt10以第1成分即硅为主要成分而形成。另外，mosfet20以第2成分即碳化硅为主要成分而形成。另外，第1散热器30、第2散热器40、第1间隔件70及第2间隔件80以铜为主要成分而形成。并且，第1接合层50、第2接合层60、第3接合层71、第4接合层72、第5接合层81、以及第6接合层82是通常已知的焊锡。并且，本实施方式的第3接合层71、第4接合层72、第5接合层81、以及第6接合层82分别以比第1接合层50及第2接合层60薄的方式形成。

接着，参照图4及图5对igbt10和mosfet20的形状进行详细说明。并且，在图4中，除了igbt10、mosfet20、第1接合层50、第2接合层60、以及第1散热器30以外的要素省略图示。

igbt10在俯视第1散热器30的作为平板的面的情况下成为正方形。换句话说，形成有发射极的一面或者形成有集电极的背面成为正方形。如图4所示，设该正方形的一个边的长度为a1。另外，设igbt10的芯片的厚度为b1。

这时，在以焊锡为主要成分的第1接合层50中产生由δε1＝(0.004b1+0.0003)a1²+0.26来定义的等效塑性应变增量δε1。并且，等效塑性应变增量δε1的定义式为，对以长度a1及厚度b1为变量并通过计算机模拟计算出的等效塑性应变增量进行函数拟合而获得的式子。在计算机模拟中，构成igbt10的硅、构成第1接合层50的焊锡利用固有的物理量(例如杨氏模量、泊松比、线性膨胀系数)。

mosfet20在俯视第1散热器30的作为平板的面的情况下成为正方形。换句话说，形成有源极的一面或者形成有漏极的背面成为正方形。如图4所示，设该正方形的一个边的长度为a2。另外，设mosfet20的芯片的厚度为b2。

这时，在第2接合层60中产生由δε2＝(0.0075b2+0.0003)a2²+0.03定义的等效塑性应变增量δε2。并且，等效塑性应变增量δε2的定义式是对以长度a2及厚度b2为变量并通过计算机模拟计算出的等效塑性应变增量进行函数拟合而获得的式子。

并且，igbt10及mosfet20的尺寸即igbt10的正方形的一个边的长度a1、厚度b1、以及mosfet20的正方形的一个边的长度a2、厚度b2以满足δε1>δε2的关系的方式而被分别设定。具体来说，如图5所示，在设b1＝b2的基础上，将igbt10的芯片一个边的长度a1设定为d1，将mosfet20的芯片一个边的长度a2设定为d2，从而实现δε1>δε2。

接着，对通过采用本实施方式的半导体装置100而得到的作用效果进行说明。

当采用本实施方式的半导体装置100时，第1接合层50的应变量大于第2接合层60，因此第1接合层50的热电阻的增加量大于第2接合层60的增加量。即，第1接合层50能够比第2接合层60先达到规定的使用寿命。即，设计人员能够有意识地控制成先达到使用寿命的接合层为第1接合层50，因此只要仅在连接第1接合层50的作为第1元件的igbt10侧形成温度检测单元，并基于检测到的温度进行元件的热保护，就能够防止作为第2元件的mosfet20先发生故障。

由此，不需要在由碳化硅形成的mosfet20侧设置温度检测用的单元，因此，能够缩小以碳化硅为主要成分的元件的芯片尺寸。碳化硅通常比硅昂贵。因此，通过采用该半导体装置100，能够抑制以碳化硅为主要成分的元件的芯片尺寸的增大化，并且能够抑制半导体器件100的制造所要的成本。

(变形例1)

在第1实施方式中，对各有一个作为第1元件的igbt10和作为第2元件的mosfet20的半导体装置进行了说明，但也可以是在一对第1及第2散热器30、40之间分别存在多个元件的方式。

例如，如图6所示，对具有四个(igbt11～igbt14)的igbt和具有四个(mosfet21～mosfet24)的mosfet的半导体装置110进行说明。该半导体装置110中，igbt11～14及mosfet21～24经由对应的接合层载置在第1散热器30上。并且，在各元件的发射极或源极上，经由对应的间隔件连接有第2散热器40。即，与第1实施方式同样，第1散热器30与第2散热器40彼此对置配置。并且，在图6中省略驱动器300的图示，但驱动器300分别向igbt11～14及mosfet21～24的栅极供给栅极电压。

此处，将对igbt11～igbt14所对应的接合层施加应力的等效塑性应变增量分别设为δε11～δε14。另外，将对mosfet21～24所对应的接合层施加应力的等效塑性应变增量分别设为δε21～δε24。

这时，当设δε11～δε14中的等效塑性应变增量的最大值为δε1max、设δε21～δε24中的等效塑性应变增量的最大值为δε2max时，本实施方式的各元件11～14、21～24的尺寸分别被设定为满足δε1max>δε2max的关系。

由此，与igbt11～igbt14中的任一个元件对应的接合层的热电阻，比mosfet21～mosfet24先超过用于故障判断的阈值。因此，不需要在mosfet侧设置温度检测用的单元，因此能够缩小以碳化硅为主要成分的元件的芯片尺寸。

(其他实施方式)

以上，对本发明的优选实施方式进行了说明，但本发明不受上述的实施方式的任何限制，在不脱离本发明的要旨的范围内可以实施各种变形。

在上述的实施方式及变形例中，对采用硅作为第1元件的构成材料、采用碳化硅作为第2元件的构成材料的例子进行了说明，但并不限定这些构成材料。例如，即使第2元件是硅，也能够发挥不需要在第2元件侧设置温度检测用的单元这样的效果。因此，不形成上述部件而能够相应缩小半导体装置整体的尺寸。

然而，通过将第2元件的构成材料设为宽带隙半导体，能够期待低导通电阻、工作保证温度的高温化、开关元件速度的提高等。因此，更优选将第2元件的构成材料设为宽带隙半导体的基础上，采用上述的实施方式及变形例那样的构成。

作为宽带隙半导体，除了碳化硅以外，能够采用氮化镓及氧化镓。

另外，在上述的实施方式及变形例中，对igbt10～14、mosfet20～24被两个散热器30、40夹持的所谓双面散热型半导体装置进行了说明，但本发明也能够适用于单面散热型的半导体装置。也就是说，即使是第1实施方式不具有第2散热器40、第1间隔件70、第2间隔件80、第3接合层71、第4接合层72、第5接合层81、以及第6接合层82的半导体装置，只要igbt10及mosfet20的尺寸设定为第1接合层50的等效塑性应变增量大于第2接合层60即可。

本发明根据实施例进行了描述，但是应当理解，本发明不限于该实施例和构造。本发明还包含各种变形例和等同范围内的变形。此外，各种组合和形式以及包括其中的仅一个要素或更多或更少的其他组合和形式都列入在本发明的范畴和思想范围内。