本申请涉及显示技术领域，尤其是涉及一种电容、平板显示器及电容的制作方法。
背景技术：
电容是平板显示器中常用的电子器件，传统的电容结构包括两层金属和夹在两层金属中间并隔绝两层金属的绝缘层。制备电容时，在薄膜沉积工艺或者其他工艺中，基板表面、电极层内或绝缘层之中容易产生颗粒导致两层金属接触而出现短路的问题，致使电容功能完全失效，影响平板显示器的质量。电容的生产工艺流程中，如何维修生产线上的电容不良品对降低生产成本显得尤为重要。
现有技术中，电容不良品的维修方式是采用激光切割移除短路的部分，但是在电容被激光切割的位置，由于融化的金属或者金属残渣相互接触导致两层金属之间容易产生新的短路不良，造成二次不良，导致维修失败，电容的维修成功率低，造成材料浪费，增加了生产成本。
技术实现要素：
本申请要解决的技术问题是提供一种电容、平板显示器及电容的制作方法，用以解决现有技术中由于融化的金属或者金属残渣相互接触导致两层金属之间容易产生新的短路不良，造成二次不良，导致维修失败，电容的维修成功率低，造成材料浪费，增加了生产成本的问题。
为解决上述技术问题，本申请提供一种电容，所述电容包括相对设置的第一电极层、第二电极层及位于所述第一电极层与所述第二电极层之间的绝缘层，所述第一电极层包括至少两个第一电极和至少一个第一连接电极，每个所述第一连接电极连接相邻的两个所述第一电极，所述第二电极层包括至少两个第二电极和至少一个第二连接电极，每个所述第二连接电极连接相邻的两个所述第二电极，各所述第二电极分别正对各所述第一电极，所述第二电极在所述第一电极层上的正投影分别覆盖所述第一电极，各所述第二连接电极在所述第一电极层上的正投影均与所述第二连接电极不相交。
其中，每个所述第一电极、所述绝缘层及正对所述第一电极的所述第二电极层叠形成一个子电容单元，每个所述第一连接电极、所述绝缘层及对应所述第一连接电极的所述第二连接电极层叠形成一个连接单元；所述子电容单元的数量为至少三个，包括第一子电容单元、第二子电容单元及第三子电容单元；所述连接单元的数量为至少两个，包括第一连接单元和第二连接单元；所述第一子电容单元通过所述第一连接单元连接所述第二子电容单元，所述第二子电容单元通过所述第二连接单元连接所述第三子电容单元，所述第一子电容单元和所述第三子电容单元分别位于所述第二子电容单元相邻的两侧。
其中，所述子电容单元还包括第四子电容单元，所述连接单元还包括第三连接单元和第四连接单元，所述第一连接单元、所述第二连接单元、所述第三连接单元及所述第四连接单元阵列排列形成2*2的矩阵，所述第三子电容单元通过所述第三连接单元连接所述第四子电容单元，所述第四子电容单元通过所述第四连接单元连接所述第一子电容单元。
其中，所述子电容单元还包括第五子电容单元和第六子电容单元，所述连接单元还包括第五连接单元、第六连接单元及第七连接单元，所述第一连接单元、所述第二连接单元、所述第三连接单元、所述第四连接单元、所述第五连接单元及所述第六连接单元阵列排列形成2*3的矩阵，所述第二子电容单元通过所述第五连接单元连接所述第五子电容单元，所述第五子电容单元通过所述第六连接单元连接所述第六子电容单元，所述第六子电容单元通过所述第七连接单元连接所述第三子电容单元。
其中，所述子电容单元还包括第七子电容单元，所述连接单元还包括第八连接单元，所述第七子电容单元通过所述第八连接单元连接所述第五子电容单元，所述第七子电容单元位于所述第五子电容单元背离所述第六子电容单元的一侧。
其中，所述子电容单元还包括第八子电容单元和第九子电容单元，所述连接单元还包括第九连接单元、第十连接单元、第十一连接单元及第十二连接单元，所述第一连接单元、所述第二连接单元、所述第三连接单元、所述第四连接单元、所述第五连接单元、所述第六连接单元、所述第七子电容单元、所述第八子电容单元及所述第九子电容单元阵列排列形成3*3的矩阵，所述第八子电容单元通过所述第九连接单元连接所述第二子电容单元，所述第九子电容单元通过所述第十连接单元连接所述第一子电容单元，所述第七子电容单元通过所述第十一连接单元连接所述第八子电容单元，所述第八子电容单元通过所述第十二连接单元连接所述第九子电容单元。
其中，所述第一电极层还包括第一引线，所述第一引线用于将所述第一连接电极连接至电源，所述第二电极层还包括第二引线，所述第二引线用于将所述第二连接电极连接至所述电源。
其中，每个所述第一连接电极、所述绝缘层及对应所述第一连接电极的所述第二连接电极层叠形成一个连接单元，所述第一引线与所述第二引线分别连接同一个所述连接单元的所述第一连接电极与所述第二连接电极。
其中，每个所述第一连接电极、所述绝缘层及对应所述第一连接电极的所述第二连接电极层叠形成一个连接单元，所述第一引线与所述第二引线分别连接不同的所述连接单元的所述第一连接电极与所述第二连接电极。
本申请还提供一种平板显示器，所述平板显示器包括以上任意一项所述的电容。
本申请还提供一种电容的制作方法，包括：
在基板上沉积金属或金属合金材料形成第一电极层；
光刻腐蚀和剥离所述第一电极层形成至少两个第一电极与至少一个第一连接电极，每个所述第一连接电极连接相邻的两个所述第一电极；
在所述第一电极层背离所述基板一侧沉积非金属材料形成绝缘层；
在所述绝缘层背离所述第一电极层一侧沉积金属或金属合金材料形成第二电极层；
光刻腐蚀和剥离所述第二电极层形成至少两个第二电极与至少一个第二连接电极，每个所述第二连接电极连接相邻的两个所述第二电极，各所述第二电极分别正对各所述第一电极，所述第二电极在所述第一电极层上的正投影分别覆盖所述第一电极，各所述第二连接电极在所述第一电极层上的正投影均与所述第二连接电极不相交。
其中，在所述第一电极层上制作所述第一电极和所述第一连接电极的过程中，形成所述第一电极的数量为至少三个，形成所述第一连接电极的数量为至少两个，其中两个所述第一电极通过所述第一连接电极分别连接在另一个所述第一电极的相邻的两侧。
其中，在所述第一电极层上制作所述第一电极和所述第一连接电极的过程中，形成所述第一电极的数量为至少四个，形成所述第一连接电极的数量为至少四个，其中四个所述第一电极排列形成2*2的矩阵，每个所述第一连接电极分别连接在相邻的两个所述第一电极之间。
其中，在所述第一电极层上制作所述第一电极和所述第一连接电极的过程中，形成所述第一电极的数量为至少六个，形成所述第一连接电极的数量为至少七个，其中六个所述第一电极排列形成2*3的矩阵，每个所述第一连接电极分别连接在相邻的两个所述第一电极之间。
其中，在所述第一电极层上制作所述第一电极和所述第一连接电极的过程中，形成所述第一电极的数量为至少七个，形成所述第一连接电极的数量为至少八个，其中六个所述第一电极排列形成2*3的矩阵，每个所述第一连接电极分别连接在相邻的两个所述第一电极之间，另一个所述第一电极通过所述第一连接电极连接于一个所述第一电极背离另一排所述第一电极的一侧。
其中，在所述第一电极层上制作所述第一电极和所述第一连接电极的过程中，形成所述第一电极的数量为至少九个，形成所述第一连接电极的数量为至少十二个，其中九个所述第一电极排列形成3*3的矩阵，每个所述第一连接电极分别连接在相邻的两个所述第一电极之间。
其中，所述方法还包括：
在所述基板上沉积金属或金属合金材料形成第一引线，所述第一引线位于所述第一电极层，并且所述第一引线连接所述第一连接电极与电源；在所述绝缘层背离所述第一电极一侧沉积金属或金属合金材料形成第二引线，所述第二引线位于所述第二电极层，所述第二引线连接所述第二连接电极与所述电源，所述第一引线和所述第二引线用于将所述第一电极层与所述第二电极层分别电连接至所述电源。
其中，在制作所述第一引线与所述第二引线的过程中，所述第一引线连接的所述第一连接电极与所述第二引线连接的所述第二连接电极分别连接相对应的两个所述第一电极与两个所述第二电极。
其中，在制作所述第一引线与所述第二引线的过程中，所述第一引线连接的所述第一连接电极与所述第二引线连接的所述第二连接电极分别连接不相对应的两个所述第一电极与两个所述第二电极。
本申请的有益效果如下：第一电极层分割成多个第一电极，第二电极层分割成多个第二电极，各第一电极之间通过第一连接电极连接，各第二电极之间通过第二连接电极连接，每个第一电极对应与一个第二电极配合工作，当某一对第一电极与第二电极产生短路不良时，在第一连接电极和第二连接电极位置进行激光切割，将短路的一对第一电极与第二电极与其他的第一电极和第二电极分离，由于各第二连接电极在第一电极层上的正投影均与第二连接电极不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接电极与第二连接电极发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例一提供的电容结构示意图。
图2为本申请实施例一提供的电容的a-a截面图。
图3为本申请实施例一提供的电容的b-b截面图。
图4为本申请实施例二提供的电容结构示意图。
图5为本申请实施例三提供的电容结构示意图。
图6为本申请实施例四提供的电容结构示意图。
图7为本申请实施例五提供的电容结构示意图。
图8为本申请实施例六提供的电容结构示意图。
图9至图11为本申请实施例七提供的电容结构示意图。
图12至图15为本申请实施例提供的电容激光切割过程示意图。
图16至图17为本申请实施例提供的电容的制作方法的过程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请一并参阅图1、图2及图3，图2和图3分别图1所示的电容的a-a截面图和b-b截面图。本申请实施例一提供的电容位于基板40之上，具体的，电容包括相对设置的第一电极层10、第二电极层20及位于第一电极层10与第二电极层20之间的绝缘层30，绝缘层30将第一电极层10和第二电极层20相互隔离，以防止第一电极层10和第二电极层20相互接触发生短路。第一电极层10包括至少两个第一电极1001和至少一个第一连接电极1002，每个第一连接电极1002连接相邻的两个第一电极1001，即当一个第一电极1001或一个第一连接电极1002与电源接通，则整个第一电极层10都与电源电连接；第二电极层20包括至少两个第二电极2001和至少一个第二连接电极2002，每个第二连接电极2002连接相邻的两个第二电极2001，即当一个第二电极2001或一个第二连接电极2002与电源接通，则整个第二电极层20都与电源电连接。本实施例中，第一电极1001的数量为两个，第二电极2001的数量为两个，第一连接电极1002的数量为一个，第二连接电极2002的数量为一个。进一步的，各第二电极2001分别正对各第一电极1001，第二电极2001在第一电极层10上的正投影分别覆盖第一电极1001，即每个第一电极1001都对应与一个第二电极2001与它匹配工作并用于实现电容的功能；各第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影均与第二连接电极2002不相交，当某一对第一电极1001与第二电极2001产生短路不良时，在第一连接电极1002和第二连接电极2002位置进行激光切割，将短路的一对第一电极1001与第二电极2001与其他的第一电极1001和第二电极2001分离，由于各第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影均与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接电极1002与第二连接电极2002发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
进一步的，每个第一电极1001、绝缘层30及正对第一电极1001的第二电极层20叠形成一个子电容单元，每个第一连接电极1002、绝缘层30及对应第一连接电极1002的第二连接电极2002层叠形成一个连接单元，每相邻的两个子电容单元之间通过一个连接单元相互连接。本实施例中，子电容单元包括第一子电容单元101和第二子电容单元102，连接单元包括第一连接单元201，第一连接单元201连接第一子电容单元101和第二子电容单元102，当第一子电容单元101或第二子电容单元102的第一电极1001与第二电极2001产生短路不良时，激光切割第一连接单元201，将第一子电容单元101和第二子电容单元102隔断，即可保持未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接单元201内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
图4为本申请实施例二提供的电容结构示意图，如图所示，子电容单元包括第一子电容单元101、第二子电容单元102及第三子电容单元103，连接单元包括第一连接单元201和第二连接单元202，第一子电容单元101通过第一连接单元201连接第二子电容单元102，第二子电容单元102通过第二连接单元202连接第三子电容单元103，第一子电容单元101和第三子电容单元103分别位于第二子电容单元102相邻的两侧。具体的，第一子电容单元101、第二子电容单元102及第三子电容单元103为形状、尺寸相同的结构，子电容单元包括一对第一边和一对连接一对第一边的第二边，即每个第一边的两端各连接一个第二边，每个第二边的两端各连接一个第一边，第一边、第二边、第一边、第二边依次首尾相连形成封闭的图形。第一连接单元201的一端和第二连接单元202的一端分别连接第二子电容单元102相连的一个第一边和一个第二边，第一连接单元201的另一端连接第一子电容单元101，第二连接单元202的另一端连接第三子电容单元103，以使第一子电容单元101和第三子电容单元103分别位于第二子电容单元102相邻的两侧，满足设备对电容结构形状的设计要求。
当第一子电容单元101、第二子电容单元102及第三子电容单元103之中的任意一个子电容单元的第一电极1001和第二电极2001发生短路不良时，激光切割短路的子电容单元用于连接其他子电容单元的连接单元，将该子电容单元与其他正常工作的子电容单元隔断，即可保持其他未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于被切割的连接单元的第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使被切割的连接单元内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
图5为本申请实施例三提供的电容结构示意图，如图所示，本实施例与实施例二的区别在于，子电容单元还包括第四子电容单元104，连接单元还包括第三连接单元203和第四连接单元204，第一连接单元201、第二连接单元202、第三连接单元203及第四连接单元204阵列排列形成2*2的矩阵，第三子电容单元103通过第三连接单元203连接第四子电容单元104，第四子电容单元104通过第四连接单元204连接第一子电容单元101。当第一子电容单元101、第二子电容单元102、第三子电容单元103及第四连接单元204之中的任意一个子电容单元的第一电极1001和第二电极2001发生短路不良时，激光切割短路的子电容单元用于连接其他子电容单元的连接单元，将该子电容单元与其他正常工作的子电容单元隔断，即可保持其他未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于被切割的连接单元的第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使被切割的连接单元内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
图6为本申请实施例四提供的电容结构示意图，如图所示，本实施例与实施例三的区别在于，子电容单元还包括第五子电容单元105和第六子电容单元106，连接单元还包括第五连接单元205、第六连接单元206及第七连接单元207，第一连接单元201、第二连接单元202、第三连接单元203、第四连接单元204、第五连接单元205及第六连接单元206阵列排列形成2*3的矩阵，第二子电容单元102通过第五连接单元205连接第五子电容单元105，第五子电容单元105通过第六连接单元206连接第六子电容单元106，第六子电容单元106通过第七连接单元207连接第三子电容单元103。当任意一个子电容单元的第一电极1001和第二电极2001发生短路不良时，激光切割短路的子电容单元用于连接其他子电容单元的连接单元，将该子电容单元与其他正常工作的子电容单元隔断，即可保持其他未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于被切割的连接单元的第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使被切割的连接单元内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
图7为本申请实施例五提供的电容结构示意图，如图所示，本实施例与实施例四的区别在于，子电容单元还包括第七子电容单元107，连接单元还包括第八连接单元208，第七子电容单元107通过第八连接单元208连接第五子电容单元105，第七子电容单元107位于第五子电容单元105背离第六子电容单元106的一侧。具体的，各子电容单元为形状、尺寸相同的结构，子电容单元包括一对第一边和一对连接一对第一边的第二边，即每个第一边的两端各连接一个第二边，每个第二边的两端各连接一个第一边，第一边、第二边、第一边、第二边依次首尾相连形成封闭的图形。第五连接单元205的一端、第六连接单元206的一端及第八连接单元208的一端分别连接第五子电容单元105相连的一个第一边、一个第二边及一个第一边，第六连接单元206的另一端连接第六子电容单元106，第八连接单元208的另一端连接第七子电容单元107，以使第六子电容单元106和第七子电容单元107位于第五子电容单元105相对的两侧，满足设备对电容结构形状的设计要求。
当任意一个子电容单元的第一电极1001和第二电极2001发生短路不良时，激光切割短路的子电容单元用于连接其他子电容单元的连接单元，将该子电容单元与其他正常工作的子电容单元隔断，即可保持其他未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于被切割的连接单元的第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使被切割的连接单元内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
图8为本申请实施例六提供的电容结构示意图，如图所示，本实施例与实施例五的区别在于，子电容单元还包括第八子电容单元108和第九子电容单元109，连接单元还包括第九连接单元209、第十连接单元210、第十一连接单元211及第十二连接单元212，第一连接单元201、第二连接单元202、第三连接单元203、第四连接单元204、第五连接单元205、第六连接单元206、第七子电容单元107、第八子电容单元108及第九子电容单元109阵列排列形成3*3的矩阵，第八子电容单元108通过第九连接单元209连接第二子电容单元102，第九子电容单元109通过第十连接单元210连接第一子电容单元101，第七子电容单元107通过第十一连接单元211连接第八子电容单元108，第八子电容单元108通过第十二连接单元212连接第九子电容单元109。当任意一个子电容单元的第一电极1001和第二电极2001发生短路不良时，激光切割短路的子电容单元用于连接其他子电容单元的连接单元，将该子电容单元与其他正常工作的子电容单元隔断，即可保持其他未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于被切割的连接单元的第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使被切割的连接单元内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
第一电极层10分割成多个第一电极1001，第二电极层20分割成多个第二电极2001，各第一电极1001之间通过第一连接电极1002连接，各第二电极2001之间通过第二连接电极2002连接，每个第一电极1001对应与一个第二电极2001配合工作，当某一对第一电极1001与第二电极2001产生短路不良时，在第一连接电极1002和第二连接电极2002位置进行激光切割，将短路的一对第一电极1001与第二电极2001与其他的第一电极1001和第二电极2001分离，由于各第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影均与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接电极1002与第二连接电极2002发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
请一并参阅图9、图10及图11，本申请实施例七提供的电容与其他实施例相比，区别在于，第一电极层10还包括第一引线501，第一引线501连接第一连接电极1002与电源，第二电极层20还包括第二引线502，第二引线502连接第二连接电极2002与电源，由于各子电容单元之间通过连接单元相互连接，故第一引线501和第二引线502将第一电极层10与第二电极层20分别电连接至电源，以使电容通电工作。
一种实施方式中，第一引线501与第二引线502分别连接同一个连接单元的第一连接电极1002与第二连接电极2002。具体的，以实施例四的电容为例，如图9所示，第一引线501和第二引线502均连接至第二连接单元202，即第一引线501连接第二连接单元202的第一连接电极1002与电源，第二引线502连接第二连接单元202的第二连接电极2002与电源。电容通过第一引线501和第二引线502连接至电源之前还会连接其他的电子器件，改变第一引线501和第二引线502的位置可以协调配合电子器件位置排布以满足设备的设计需求。
另一种实施方式中，第一引线501与第二引线502分别连接不同的连接单元的第一连接电极1002与第二连接电极2002。具体的，以实施例四的电容为例，如图10所示，第一引线501连接至第三连接单元203的第一连接电极1002，第二引线502均连接至第二连接单元202的第二连接电极2002；或者，如图11所示，第一引线501连接至第四连接单元204的第一连接电极1002，第二引线502均连接至第二连接单元202的第二连接电极2002。电容通过第一引线501和第二引线502连接至电源之前还会连接其他的电子器件，改变第一引线501和第二引线502的位置可以协调配合电子器件位置排布以满足设备的设计需求。
结合图12至图15，当任意一个子电容单元的第一电极1001和第二电极2001发生短路不良时，激光切割短路的子电容单元用于连接其他子电容单元的连接单元，将该子电容单元与其他正常工作的子电容单元隔断，即可保持其他未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。具体的，当第一电容子单元发生短路不良时，激光切割第二连接单元202和第四连接单元204，将第一电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作；当第二电容子单元发生短路不良时，激光切割第一连接单元201和第二连接单元202，且保留第一引线501和第二引线502，将第二电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作；当第三电容子单元发生短路不良时，激光切割第二连接单元202和第三连接单元203，且保留第一引线501和第二引线502，将第三电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作；当第四电容子单元发生短路不良时，激光切割第三连接单元203和第四连接单元204，且保留第一引线501和第二引线502，将第四电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作。由于被切割的连接单元的第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使被切割的连接单元内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
本申请还提供一种平板显示器，包括上述任意一个实施例所提供的电容。平板显示器使用的电容的第一电极层10分割成多个第一电极1001，第二电极层20分割成多个第二电极2001，各第一电极1001之间通过第一连接电极1002连接，各第二电极2001之间通过第二连接电极2002连接，每个第一电极1001对应与一个第二电极2001配合工作，当某一对第一电极1001与第二电极2001产生短路不良时，在第一连接电极1002和第二连接电极2002位置进行激光切割，将短路的一对第一电极1001与第二电极2001与其他的第一电极1001和第二电极2001分离，由于各第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影均与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接电极1002与第二连接电极2002发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
请参阅图16，本申请还提供一种电容的制作方法，具体的步骤如下：
s101、在基板40上沉积金属或金属合金材料形成第一电极层10。
在基板40上沉积mo、al、cu等金属或金属合金形成平整的第一电极层10，以待后续加工。
s102、光刻腐蚀和剥离第一电极层10形成至少两个第一电极1001与至少一个第一连接电极1002，每个第一连接电极1002连接相邻的两个第一电极1001。
结合图17，对第一电极层10进行光刻腐蚀和剥离部分第一电极层10的材料，第一电极层10保留下来的部分形成至少两个第一电极1001与至少一个第一连接电极1002，相邻的两个第一电极1001不直接相交，而是通过一个第一连接电极1002相连。通过激光切割第一连接电极1002可以直接隔断开原本相连的两个第一电极1001，使该两个相邻的第一电极1001不会电连通。
s103、在第一电极层10背离基板40一侧沉积非金属材料形成绝缘层30。
在第一电极层10表面沉积sinx、siox、有机材料等非金属材料或金属氧化物形成绝缘层30，绝缘层30用于隔离第一电极层10和后续将在绝缘层30表面沉积的第二电极层20，以形成完整的电容结构。
s104、在绝缘层30背离第一电极层10一侧沉积金属或金属合金材料形成第二电极层20。
在绝缘层30上沉积mo、al、cu等金属或金属合金形成平整的第二电极层20，以待后续加工。
s105、光刻腐蚀和剥离第二电极层20形成至少两个第二电极2001与至少一个第二连接电极2002。
对第二电极层20进行光刻腐蚀和剥离部分第二电极层20的材料，第二电极层20保留下来的部分形成至少两个第二电极2001与至少一个第二连接电极2002，相邻的两个第二电极2001不直接相交，而是通过一个第二连接电极2002相连。通过激光切割第二连接电极2002可以直接隔断开原本相连的两个第二电极2001，使该两个相邻的第二电极2001不会电连通。
进一步的，每个第二连接电极2002连接相邻的两个第二电极2001，各第二电极2001分别正对各第一电极1001，第二电极2001在第一电极层10上的正投影分别覆盖第一电极1001，各第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影均与第二连接电极2002不相交。
第一电极层10分割成多个第一电极1001，第二电极层20分割成多个第二电极2001，各第一电极1001之间通过第一连接电极1002连接，各第二电极2001之间通过第二连接电极2002连接，每个第一电极1001对应与一个第二电极2001配合工作，当某一对第一电极1001与第二电极2001产生短路不良时，在第一连接电极1002和第二连接电极2002位置进行激光切割，将短路的一对第一电极1001与第二电极2001与其他的第一电极1001和第二电极2001分离，由于各第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影均与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接电极1002与第二连接电极2002发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
结合图4，一种实施方式中，在第一电极层10上制作第一电极1001和第一连接电极1002的过程中，形成第一电极1001的数量为至少三个，形成第一连接电极1002的数量为至少两个，其中两个第一电极1001通过第一连接电极1002分别连接在另一个第一电极1001的相邻的两侧。当一个第一电极1001与对应的第二电极2001产生短路不良时，激光切割第一连接电极1002和第二连接电极2002，将短路不良的第一电极1001和对应的第二电极2001与未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001隔断，即可保持未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接单元201内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
结合图5，一种实施方式中，在第一电极层10上制作第一电极1001和第一连接电极1002的过程中，形成第一电极1001的数量为至少四个，形成第一连接电极1002的数量为至少四个，其中四个第一电极1001排列形成2*2的矩阵。当一个第一电极1001与对应的第二电极2001产生短路不良时，激光切割第一连接电极1002和第二连接电极2002，将短路不良的第一电极1001和对应的第二电极2001与未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001隔断，即可保持未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接单元201内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
结合图6，一种实施方式中，在第一电极层10上制作第一电极1001和第一连接电极1002的过程中，形成第一电极1001的数量为至少六个，形成第一连接电极1002的数量为至少七个，其中六个第一电极1001排列形成2*3的矩阵，每个第一连接电极1002分别连接在相邻的两个第一电极1001之间。当一个第一电极1001与对应的第二电极2001产生短路不良时，激光切割第一连接电极1002和第二连接电极2002，将短路不良的第一电极1001和对应的第二电极2001与未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001隔断，即可保持未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接单元201内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
结合图7，一种实施方式中，在第一电极层10上制作第一电极1001和第一连接电极1002的过程中，形成第一电极1001的数量为至少七个，形成第一连接电极1002的数量为至少八个，其中六个第一电极1001排列形成2*3的矩阵，每个第一连接电极1002分别连接在相邻的两个第一电极1001之间，另一个第一电极1001通过第一连接电极1002连接于一个第一电极1001背离另一排第一电极1001的一侧。当一个第一电极1001与对应的第二电极2001产生短路不良时，激光切割第一连接电极1002和第二连接电极2002，将短路不良的第一电极1001和对应的第二电极2001与未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001隔断，即可保持未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接单元201内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
结合图8，一种实施方式中，在第一电极层10上制作第一电极1001和第一连接电极1002的过程中，形成第一电极1001的数量为至少九个，形成第一连接电极1002的数量为至少十二个，其中九个第一电极1001排列形成3*3的矩阵，每个第一连接电极1002分别连接在相邻的两个第一电极1001之间。当一个第一电极1001与对应的第二电极2001产生短路不良时，激光切割第一连接电极1002和第二连接电极2002，将短路不良的第一电极1001和对应的第二电极2001与未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001隔断，即可保持未短路的第一电极1001和对应的第二电极2001正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。由于第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使第一连接单元201内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
本实施例中，电容的制作方法还包括：在基板40上沉积金属或金属合金材料形成第一引线501，第一引线501位于第一电极层10，并且第一引线501连接第一连接电极1002与电源；在绝缘层30背离第一电极1001一侧沉积金属或金属合金材料形成第二引线502，第二引线502位于第二电极层20，第二引线502连接第二连接电极2002与电源，由于各子电容单元之间通过连接单元相互连接，故第一引线501和第二引线502将第一电极层10与第二电极层20分别电连接至电源，以使电容通电工作。
一种实施方式中，在制作第一引线501与第二引线502的过程中，第一引线501连接的第一连接电极1002与第二引线502连接的第二连接电极2002分别连接相对应的两个第一电极1001与两个第二电极2001。具体的，以实施例四的电容为例，结合图9，第一引线501与第二引线502分别连接同一个连接单元的第一连接电极1002与第二连接电极2002。第一引线501和第二引线502均连接至第二连接单元202，即第一引线501连接第二连接单元202的第一连接电极1002与电源，第二引线502连接第二连接单元202的第二连接电极2002与电源。电容通过第一引线501和第二引线502连接至电源之前还会连接其他的电子器件，改变第一引线501和第二引线502的位置可以协调配合电子器件位置排布以满足设备的设计需求。
另一种实施方式中，在制作第一引线501与第二引线502的过程中，第一引线501连接的第一连接电极1002与第二引线502连接的第二连接电极2002分别连接不相对应的两个第一电极1001与两个第二电极2001。具体的，以实施例四的电容为例，第一引线501与第二引线502分别连接不同的连接单元的第一连接电极1002与第二连接电极2002。结合图10，第一引线501连接至第三连接单元203的第一连接电极1002，第二引线502均连接至第二连接单元202的第二连接电极2002；或者，结合图11，第一引线501连接至第四连接单元204的第一连接电极1002，第二引线502均连接至第二连接单元202的第二连接电极2002。电容通过第一引线501和第二引线502连接至电源之前还会连接其他的电子器件，改变第一引线501和第二引线502的位置可以协调配合电子器件位置排布以满足设备的设计需求。
结合图12至图15，当任意一个子电容单元的第一电极1001和第二电极2001发生短路不良时，激光切割短路的子电容单元用于连接其他子电容单元的连接单元，将该子电容单元与其他正常工作的子电容单元隔断，即可保持其他未短路的子电容单元正常工作，避免直接报废整个电容，降低了生产成本。具体的，当第一电容子单元发生短路不良时，激光切割第二连接单元202和第四连接单元204，将第一电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作；当第二电容子单元发生短路不良时，激光切割第一连接单元201和第二连接单元202，且保留第一引线501和第二引线502，将第二电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作；当第三电容子单元发生短路不良时，激光切割第二连接单元202和第三连接单元203，且保留第一引线501和第二引线502，将第三电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作；当第四电容子单元发生短路不良时，激光切割第三连接单元203和第四连接单元204，且保留第一引线501和第二引线502，将第四电容子单元与其他电容子单元隔开，保持其他子电容单元正常工作。由于被切割的连接单元的第二连接电极2002在第一电极层10上的正投影与第二连接电极2002不相交，激光切割过程产生的融化金属或金属残渣不会使被切割的连接单元内部发生新的短路不良，维修成功率高，降低了生产成本。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易的想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。