基板支撑件和挡板设备的制作方法

本公开内容的实施方式一般涉及超临界干燥设备。更特定地，在此描述的实施方式涉及基板支撑件和挡板设备。

背景技术：

在半导体装置的清洁中，通常需要自基板的表面移除液体和固体污染物，因而留下干净的表面。湿法清洁工艺一般涉及清洁液体的使用，例如水清洁溶液。在湿法清洁基板之后，通常需要在清洁腔室中自基板的表面移除清洁液体。

目前多数的湿法清洁技术使用液体喷洒或浸没步骤以清洁基板。在应用清洁液体之后干燥具有高的深宽比特征或具有空隙或孔的低k材料的基板是非常具挑战性的。清洁液体的毛细力通常造成这些结构中的材料变形而可产生所不期望的静摩擦，除了所使用的清洁溶液在基板上所留下的残留物以外可损坏半导体基板。在后续的基板干燥期间，前述缺点对具有高的深宽比的半导体装置结构特别明显。线静摩擦或线崩溃是由侧壁的弯曲造成的，而形成高的深宽比的沟槽或过孔朝向彼此，这是归因于在润湿清洁工艺期间跨过液体-空气界面的毛细压力覆于陷在沟槽或过孔中的液体。具有窄的线宽及高的深宽比的特征特别易受液体-空气和液体-壁界面之间产生的表面张力中的差异的影响(归因于毛细压力，有时也称为毛细力)。由于快速的装置尺寸的进展，目前可行的干燥实践在防止线静摩擦方面面临急剧升高的挑战。

此外，当执行相变处理时，基板上的颗粒产生及颗粒沉积为所关心的特定区域。处理环境内的高压可造成颗粒产生，且导入处理环境的多种流体也可造成基板上的颗粒沉积。结果，可通过基板上所不期望颗粒的出现而降低装置效能。

结果，本领域中存在有针对改良的设备以执行相变和超临界处理操作的需求。

技术实现要素：

在一个实施方式中，提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置所述间隔器。所述间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至所述间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。所述支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板。

在另一实施方式中，提供一种基板支撑设备。该设备包含圆形底板和一个或更多个间隔器，绕着该底板的圆周设置所述间隔器。所述间隔器可从该底板的顶部表面延伸，且环形主体可耦合至所述间隔器。该环形主体可与该底板间隔开以界定该底板与该环形主体之间的孔隙。一个或更多个支撑柱可耦合至该底板且从该底板延伸。所述支撑柱可在从该环形主体的内表面径向向内的位置处耦合至该底板，圆形挡板可耦合至该环状主体的顶部表面。一个或更多个定位元件可从该挡板的底部表面延伸，且绕着该挡板的圆周设置所述定位元件。

而在另一实施方式中，提供一种基板支撑方法。该方法包含以下步骤：将基板装置侧向下地放置于一个或更多个支撑柱上，所述支撑柱耦合至基板支撑件的底板。环形主体可耦合至该底板，且绕着该基板的圆周放置该环形主体。可放置挡板于该基板之上且该挡板可耦合至该环形主体。可在处理腔室中放置该基板、该基板支撑件、和该环形主体、和该挡板，且基板可暴露于超临界CO₂。

附图说明

于是可以详细理解本公开内容上述特征中的方式，可通过参考实施方式而具有本公开内容的更特定描述(简短总结如上)，其中一些图示于所附附图中。然而，注意所附附图仅图示示范的实施方式，因此不考虑限制其范围，可允许其他等效实施方式。

图1图示根据于此描述的实施方式的形成于半导体基板上的特征之间所产生的静摩擦的影响。

图2A图示根据于此描述的一个实施方式的处理设备的平面视图。

图2B图示根据于此描述的一个实施方式的处理设备的平面视图。

图3示意地图示根据于此描述的一个实施方式的处理腔室的横截面视图。

图4图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件和挡板的透视视图。

图5图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件和挡板的侧面视图。

图6图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件和挡板的分解平面透视视图。

图7图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件和挡板的分解底部透视视图。

图8图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件和支撑柱的部分透视视图。

图9图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件、支撑柱、和挡板的部分横截面视图。

图10图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件、间隔器、和挡板定位元件的横截面视图。

图11图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件的平面视图。

为了便于理解，尽可能使用相同附图标记，以标示附图中常见的相同元件。思量一个实施方式的元件和特征可有利地并入其他实施方式中，而无须进一步叙述。

具体实施方式

在以下描述中，为了说明的目的，提出众多特定细节以便提供于此提供的实施方式的通盘理解。然而，对本领域技术人员而言，明显可实作本公开内容而无须特定细节。在其他范例中，并未描述特定设备结构，而得以不混淆所描述的实施方式。以下描述和附图为图示的实施方式，而不应理解为公开内容的限制。

图1为示意的横截面视图，图标半导体装置100的部分，其中半导体装置100内的两个特征之间发生线静摩擦。如所示，在基板的表面上形成高的深宽比的装置结构。在处理期间，装置结构102应该保持于垂直定向，且壁106不应该跨过开口104及接触装置结构102的相邻壁106。在使用润湿化学剂清洁之后，当干燥半导体装置100时，装置结构102的壁106经受毛细力(归因于设置于开口104内的清洁液体所产生的空气-液体界面)，毛细力造成相邻装置结构102的壁106弯曲朝向彼此且互相接触。线静摩擦是由于相邻装置结构102的壁106之间的接触造成的，最终造成开口104的关闭。线静摩擦一般为所不期望的，因为它防止后续基板处理步骤(例如进一步的沉积步骤)期间进出开口104。

为了防止线静摩擦，可在润湿清洁腔室中将基板暴露于水清洁溶液，例如去离子化水或清洁化学。该基板包含具有电子装置设置或形成于其上的半导体基板。在执行润湿清洁工艺之后，在润湿清洁腔室中基板上使用水清洁溶液移除留在基板上的残留物。在一些配置中，润湿清洁腔室可为单一晶片清洁腔室和/或水平旋转腔室。此外，润湿清洁腔室可具有兆频超声波(megasonic)板，兆频超声波板适用以产生引导至基板的非装置侧面上的声能。

在润湿清洁基板之后，可将基板传输至溶剂交换腔室，以置换使用于润湿清洁腔室中的任何先前使用的水清洁溶液。接着可将基板传输至用于要在基板上执行的进一步清洁和干燥步骤的超临界流体腔室。在一个实施方式中，干燥基板可涉及超临界流体至基板的表面的输送。当经受某些在超临界处理腔室中达到或维持的压力和温度配置时，可选择干燥气体以转换进入超临界状态。该干燥气体的一个范例包含二氧化碳(CO₂)。因为超临界CO₂为超临界气体，它不具有表面张力，它的表面张力相似于气体，但具有相似于液体的密度。超临界CO₂具有在约73.0atm的压力和约31.1摄氏度的温度的临界点。超临界流体(例如CO₂)的一个独特性质为：在任何高于超临界压力的压力及高于临界点的温度下(例如，针对CO₂为31.1摄氏度和73atm)不会发生凝结。处理环境(例如，处理腔室)的临界温度和临界压力参数影响CO₂干燥气体的超临界状态。

由于超临界流体的独特性质，超临界流体可实质穿过基板中所有孔或空隙并移除任何可出现在开口104中的残留液体或颗粒。在一个实施方式中，在超临界处理进行了所需周期时间以移除颗粒和残留物之后，腔室的压力以近乎常数的温度减少，允许超临界流体在开口104内直接转换至气相。典型地在超临界流体处理之前于开口104中出现的液体可为来自溶剂交换腔室的置换溶剂。典型地于开口104中出现的颗粒可为任何固体颗粒物，例如有机种类(例如，碳)、无机种类(例如，硅)和/或金属。可由超临界流体干燥的开口104的范例包含介电层中的空隙或孔、低k介电材料中的空隙或孔、和可困住清洁流体和颗粒的基板中的其他类型的间隙。另外，超临界干燥可防止线静摩擦在相变期间绕过液体状态及消除装置结构102的壁106之间所产生的毛细力(归因于超临界流体(例如超临界CO₂)可忽略的表面张力)。

接着可将基板自超临界流体腔室传输至后处理腔室。后处理腔室可为等离子体处理腔室，其中可移除可出现在基板上的污染物。后处理基板也可进一步释放出现在装置结构中的任何线静摩擦。于此描述的工艺针对具有高的深宽比的清洁装置结构为有用的，例如约10:1或更高、20:1或更高、或30:1或更高的深宽比。在某些实施方式中，于此描述的工艺针对清洁3D/垂直NAND闪存装置结构为有用的。

图2A图示根据本公开内容的一个实施方式的基板处理设备，该基板处理设备经适用以执行上述的一个或更多个操作。在一个实施方式中，处理设备200包括润湿清洁腔室201、溶剂交换腔室202、超临界流体腔室203、后处理腔室204、传输腔室206、和润湿机械手臂208。处理基板可包含(但不限于)形成以金属线内部连接的电子装置，例如晶体管、电容、或电阻，所述金属线由基板上的层间电介质绝缘。这些工艺可包含清洁基板、清洁形成于基板上的薄膜、干燥基板、和干燥形成于基板上的薄膜。在另一实施方式中，处理设备200包含检查腔室205，检查腔室205可包含工具(未展示)以检查在处理设备200中所处理的基板。

在一个实施方式中，基板处理设备200为群集工具，包括数个基板处理腔室，例如润湿清洁腔室201、溶剂交换腔室202、超临界流体腔室203、后处理腔室204、和传输腔室206。可绕着润湿机械手臂208放置腔室201、202、203、204，润湿机械手臂208可设置于传输腔室206中。润湿机械手臂208包括马达、基底、手臂、和终端受动器209，经配置以在腔室之间传输基板。可选地，润湿机械手臂208可具有多个手臂及多个终端受动器以增加处理设备200的产量。在一个实施方式中，润湿机械手臂208在上述腔室之间传输基板。在另一实施方式中，润湿机械手臂208的终端受动器的至少一者为专用干终端受动器(例如，适用以处理干的晶片)，且润湿机械手臂208的终端受动器的至少一者为专用湿终端受动器(例如，适用以处理湿的晶片)。可使用专用干终端受动器以在超临界流体腔室203和后处理腔室204之间传输基板。

处理设备200还包括设置于工厂接口218中的干机械手臂216，工厂接口218可耦合至处理设备200和多个基板盒212和214，所述基板盒的每一者维持要清洁或干燥的(或已清洁或干燥的)多个基板。干机械手臂216可经配置以在盒212和214和润湿清洁腔室201和后处理腔室204之间传输基板。在另一实施方式中，干机械手臂216可经配置以在超临界流体腔室203和后处理腔室204之间传输基板。可放置处理设备200内的处理腔室于容纳基板传输腔室206的水平平台。在另一实施方式中，平台的部分可定向于水平定向以外的位置(见图5)。

在替代的实施方式中，如图2B中所示，处理设备200A可为线性设备，包括数个基板处理腔室，例如润湿清洁腔室201、溶剂交换腔室202、超临界流体腔室203、后处理腔室204、和传输腔室206。例如，处理设备200A可为来自加州圣克拉拉市的的应用材料公司(Applied Materials)所提供的GT，然而，思量可适用来自其他制造商的其他处理设备以执行于此描述的实施方式。

可绕着机械手臂208A放置腔室201、202、203、204，机械手臂208A可设置于传输腔室206中。机械手臂208A包括马达、基底、手臂、和终端受动器209A和209B，经配置以在腔室之间传输基板。机械手臂208A可具有多个手臂和多个终端受动器以增加处理设备200A的产量。在一个实施方式中，机械手臂208A(具有专用湿终端受动器209A)在上述腔室之间传输基板。处理设备200A还可包括工厂接口218，工厂接口218可耦合至处理设备200和多个基板盒212和214，所述基板盒的每一者维持要清洁或干燥的(或已清洁或干燥的)多个基板。机械手臂208A具有专用干终端受动器209B以在盒212和214和润湿清洁腔室201和后处理腔室204之间传输基板。在一个实施方式中，专用干终端受动器209B可经配置以在超临界流体腔室203和后处理腔室204之间传输基板。可放置处理设备200A内的腔室于容纳基板传输腔室206的水平平台。在另一实施方式中，平台的部分可定向于水平定向以外的位置(见图5)。

在处理设备200A的一些配置中，机械手臂208A可沿着线性轨道220前进。可在线性轨道220的一或两侧上依序安置腔室。为了执行湿基板传输，可自基板移除过多的液体(例如通过旋转基板)，同时仍位于腔室中，所以在机械手臂208A传输基板之前仅有薄的润湿层保留于基板表面上。在机械手臂208A上提供两个或更多个终端受动器的实施方式中，至少一者可专用于湿基板传输且另一者可专用于干基板传输。可在用于高容积生产的可扩充线性配置中安装更多基板。

在先前实施方式中所提的配置大量地减低每个腔室的设计复杂度，使得敏感的处理步骤之间的排队时间控制成为可能，并且优化使用可调整腔室模块计数的连续生产中的产量，以均衡每个处理操作的工艺持续时间。

图3示意地图示根据于此描述的一个实施方式的处理腔室300的横截面视图。在某些实施方式中，腔室300可实现为关于图2A和图2B描述的腔室203。一般而言，腔室300经配置以承受适于产生和/或维持腔室300中的超临界流体的加压。腔室300也可优势地在适于执行相变的温度范围内循环。

腔室300包含主体302、衬垫318、和绝缘元件316。主体302和衬垫318一般界定处理空间312。主体302可经配置以承受适于产生处理空间312内的超临界流体的压力。例如，主体可适于承受约100bar或更多的压力。适用于主体302的材料包含不锈钢、铝、或其他高强度金属材料。衬垫318也可由相似于主体302的材料形成。在一个实施方式中，衬垫318和主体302可为单一材料。在另一实施方式中，衬垫318及主体302可为分开而耦合在一起的设备。

衬垫318在相邻于处理空间312的区域处可具有约2mm与约5mm之间的厚度，例如约3mm。包括衬垫318的相对最小量的材料(相较于主体302)造成衬垫318具有相对于主体302的热质量的小热质量。据此，因为处理空间312的温度主要受衬垫318而非主体302影响，所以可以更有效方式达到处理空间312内的温度改变。在一个实施方式中，处理空间312内的处理环境可在小于约5分钟(例如小于约1分钟)的时间量中于约20摄氏度与约50摄氏度之间循环。在一个实施方式中，处理空间312可在约30秒中于约20摄氏度与约50摄氏度之间循环。

绝缘元件316一般设置于主体302内相邻于衬垫318。绝缘元件316可由一材料形成，该材料适于使用在高压环境，并且具有相似于使用于主体302和衬垫318的材料的热膨胀系数的热膨胀系数。在一个实施方式中，绝缘元件316可为陶瓷材料。陶瓷材料的多种范例包含氧化铝、氮化铝、碳化硅，和类似物。绝缘元件316的厚度可为约0.1英寸与约1.0英寸之间，例如约0.5英寸。

处理空间312具有低于约2升的容积，例如约1升。在多种实施方式中，取决于处理空间312中的条件，处理空间312可以多种液体、气体、和/或超临界流体来填充。在一个实施方式中，处理空间312可耦合至一个或更多个溶剂源320、332、336。第一溶剂源320可经由第一管道322穿过主体302的顶部耦合至处理空间312。第二溶剂源332可经由第二管道334穿过主体302的侧壁耦合至处理空间312。第三溶剂源336可经由第三管道338穿过主体312的底部耦合至处理空间312。取决于所需溶剂导入特性，溶剂源320、332、336可经配置以自多种入口端提供溶剂至处理空间。

可自溶剂源320、332、336供应至处理空间312的适合溶剂包含：丙酮、异丙醇、乙醇、甲醇、N-甲基2-吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidone)、N-甲基甲酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮(1,3-Dimethyl-2-imidazolidinone)、二甲基乙酰胺、和二甲基亚砜等等。一般而言，可选择溶剂使得溶剂与液体CO₂混溶。

第一流体源324可经由第四管道326穿过主体302的顶部耦合至处理空间312。第一流体源324一般经配置以提供液体或超临界流体至处理空间312。在一个实施方式中，第一流体源324可经配置以输送超临界CO₂。在另一个实施方式中，流体源324可经配置以输送超临界CO₂至处理空间312。在此实施方式中，加热设备和加压设备可耦合至第四管道326以便于进入处理空间312之前的液体CO₂至超临界CO₂的相变。在另一个实施方式中，第三溶剂源336为与第一流体源324相似地配置的第二流体源。替代地，可在使用第三溶剂源336以外使用第二流体源和/或与第三溶剂源336组合。在此实施方式中，第二流体源可经由第五管道338穿过主体302的底部耦合至处理空间。取决于所需处理特性，可自顶部向下(第一流体源324)或底部向上(第二流体源)的方式选择液体CO₂和/或超临界CO₂的输送。

在操作中，可至少部分地通过提供至处理空间312的CO₂的温度控制处理空间312的温度。此外，可提供一剂量的液体CO₂和/或超临界CO₂至处理空间312，使得整体处理空间在约1次与约5次之间交换，例如约3次。相信重复的处理空间周转可便于后续超临界干燥操作期间形成和/或输送超临界CO₂至处理空间312之前溶剂与CO₂的混合。为了便于来自处理空间312的流体和气体的周转和移除，处理空间312可经由第六管道342耦合至流体出口340。

腔室300还包含基板支撑件306，基板支撑件306可经配置以与挡板310交界。在一个实施方式中，挡板310可可移动地设置于处理空间312内。基板支撑件306可由多种材料形成，包含不锈钢、铝、陶瓷材料、聚合材料、或其组合。在操作中，基板支撑件306可经由在主体302中形成的开口(未示出)进入处理空间312。一般而言，可在基板支撑件306进入处理空间之前放置基板(未示出)于基板支撑件306上。

挡板310可由多种材料形成，包含不锈钢、铝、陶瓷材料、石英材料、含硅材料、或其他合适配置的材料。挡板310可耦合至致动器330，致动器330经配置以移动挡板310朝向和远离基板支撑件306。致动器330可耦合至功率源328(例如电功率源)以便于处理空间312内挡板310的移动。在另一实施方式中，可在进入处理空间312之前放置挡板310于基板支撑件306上或耦合至基板支撑件306。在此实施方式中，放置基板于基板支撑件306上，且可放置挡板310于基板支撑件306上以封闭基板支撑件306与挡板310之间的基板。

如上述，处理期间可放置基板于基板支撑件306上。在一个实施方式中，可放置基板的装置侧相邻于基板支撑件306，使得装置侧背向挡板310。在放置挡板于处理空间312中且耦合至致动器330的实施方式中，当基板支撑件306放置于处理空间312内时，挡板310可位于升高位置。可在处理期间经由致动器330降低挡板310至接近基板的处理位置。在某些实施方式中，在基板处理期间挡板310可接触基板支撑件306。在处理之后，可升高挡板310且基板支撑件306可经由主体302中的开口自处理空间312移除基板。相信通过放置挡板310接近基板和基板支撑件306，可在溶剂和/或液体/超临界CO₂导入处理空间312期间减低或消除基板308的装置侧上的颗粒沉积。

图4图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306和挡板310的透视视图。于此使用的术语(例如“顶部”、“底部”、“内”、“外”、诸如此类)意图描述而非混淆本公开内容。不应将术语诠释为绝对方向，因为设备可在多个优势的定向中定向。图示的实施方式描绘设置于基板支撑件306上的挡板310。此配置代表当在腔室300中处理基板时挡板310和基板支撑件306的定向。虽未示出，基板放置于基板支撑件306上且挡板310覆盖基板使得基板暴露于流体搅动被最小化。

基板支撑件306包含底板402、多个间隔器406、和环形主体404。底板402可为圆形，且间隔器406在底板402与环形主体404之间绕着底板402的圆周耦合。在一个实施方式中，底板402、间隔器406、和环形主体404可由相同材料形成，例如金属材料或陶瓷材料。材料的合适范例包含不锈钢、铝、和石英，诸如此类。在另一实施方式中，底板402和环形主体404可由金属材料形成，例如不锈钢，且间隔器406可由聚合材料形成，例如聚四氟乙烯。

可调整底板402和环形主体404的大小以具有大于放置于上的基板的直径的直径。例如，若基板具有300mm的直径，则环形主体404和底板402的直径可介于约305mm与约310mm之间。在某些实施方式中，挡板310的直径也可大于基板的直径。一般而言，挡板310经配置以接触环形主体404且由环形主体404支撑。挡板402也可包含空隙408，调整空隙408的大小以与机械手臂交界，以便于挡板310经由机械手臂的传输。

图5图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306和挡板310的侧面视图。底板402一般配置为具有底部表面412和相对于底部表面412设置的顶部表面414。相似地，环形主体404配置为具有底部表面416及相对于底部表面416设置的顶部表面418。间隔器406可由底板402的顶部表面414延伸至环形主体404的底部表面416，以放置环形主体404与底板402相距一距离。可以非连续方式(被间隔器406的位置中断)在底板402与环形主体404之间形成孔隙410，且孔隙410可经配置以允许流体自底板402和环形主体404的圆周径向向内流动。孔隙410也可允许流体自底板402和环形主体404的原点径向向外流动超出底板402和环形主体404的圆周。

图6图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306和挡板310的分解平面透视视图。一个或更多个支撑柱604可耦合至底板402的唇部606且由底板402的唇部606延伸。在一个实施方式中，唇部606可包括底板402的顶部表面。在其他实施方式中，可不出现唇部606，使得底板402的顶部表面沿着底板402的整个直径实质平坦。支撑柱604可由多种材料形成，包含聚合材料，例如聚四氟乙烯、石英材料、含碳材料、陶瓷材料和类似物。相关于图8和图9来更详细描述支撑柱604。

挡板310包含顶部表面608，且一个或更多个定位元件602可由相对于顶部表面608定向的挡板310的表面延伸。在某些实施方式中，定位元件602可由与支撑柱604相同的材料形成。在其他实施方式中，定位元件602可由金属材料形成。一般而言，定位元件602经配置以在放置挡板310以接触环形主体404时固定和/或防止挡板310的侧向移动(见图4)。相关于图10来更详细描述定位元件602。

图7图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306和挡板310的分解底部透视视图。如所图标，定位元件602可耦合至挡板310的底部表面702且绕着挡板310的圆周放置。

图8图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306和支撑柱604的部分透视视图。尽管仅图示单一支撑柱，多个支撑柱604耦合至底板402。支撑柱604包含第一表面802、第二表面804、和第三表面806。调整第一表面802的大小以支撑基板边缘。在一个实施方式中，第一表面802可经配置以支撑基板的装置侧。第一表面802可在第一表面802的内边缘处弯曲，以提供用于支撑基板的弯曲接触表面。弯曲接触表面可由第一表面802的内边缘减低基板的刮伤。第二表面804可在正交于或非正交于由第一表面802限定的平面的方向上从第一表面802延伸。可调整第二表面804的大小且第二表面804经配置以防止放置于支撑柱604上的基板的侧向移动。第三表面806可在正交于由第二表面804限定的平面的方向上从第二表面804延伸。在此实施方式中，第三表面806从第一表面802升高且平行于第一表面802，但第三表面806不必平行于第一表面802。第三表面806一般设置于环形主体404的顶部表面418下方。

图9图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306、支撑柱604、和挡板310的部分横截面视图。如所描绘，支撑柱604可耦合至底板402。紧固器902(例如螺钉或螺栓)可经由底板402延伸，且可依螺纹地耦合至支撑柱604。也可使用其他紧固方案，例如压装、胶合、诸如此类。然而，思量使用的紧固方案在腔室300中的相位改变工艺期间可与使用的温度、压力、和化学性质兼容。

如图9中所示，在组装时，环形主体404与底板402由间隔器406间隔开。在一些实施方式中，环形主体404与底板402之间的最小距离可低于支撑柱604的高度。在前述实施方式描述设备(例如支撑柱604)以支撑其上的基板时，思量可使用其他设备以支撑基板。例如，伸出构件(ledge member)(未示出)等可自环形主体404或底板402径向向内延伸。伸出构件可具有基板支撑表面，该基板支撑表面经配置以支撑基板的装置侧。在一个实施方式中，伸出构件可为连续伸出物而自环形主体404的内表面1006(见图10)延伸。在另一实施方式中，伸出构件可为自内表面1006延伸的非连续伸出物(即，多个分离的伸出物)。而在另一实施方式中，伸出构件可自底板402延伸，且可具有于其中形成的孔隙，所述孔隙与孔隙410对齐以便于流体流动经过孔隙410。思量多种其他基板支撑设备(例如销、环、或其他适于配置的设备)可优势地并入基板支撑件306。

图10图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306、间隔器406、和挡板310定位元件的横截面视图。如先前所描述，间隔器406将环形主体404相对于底板402放置。间隔器406可由紧固器1002在底板402与环形主体404之间耦合。紧固器1002可经由底板402和间隔器406延伸且依螺纹地耦合至环形主体404。也可使用其他紧固方案(例如上方相关于图9所描述)以固定底板402与环形主体404之间的间隔器406。

定位元件602可由紧固器1004耦合至挡板310的底部表面702。紧固器1004可经由挡板310延伸且依螺纹地耦合至定位元件602。也可使用其他紧固方案(例如上方相关于图9所描述)以固定定位元件602至挡板310。定位元件602可耦合至与挡板310相距自挡板310的圆周径向向内的一距离。当挡板310放置于环形主体404上时，挡板310的区域1008可经配置以接触环形主体404。定位元件602可经配置以邻接环形主体404的内表面1006，以防止挡板310相对于环形主体404的侧向移动。

图11图示根据于此描述的一个实施方式的基板支撑件306的平面视图。支撑柱604可耦合于环绕底板402的唇部606的区域。在一个实施方式中，可相互等距地设置支撑柱604，例如，相互约120度。在图示的实施方式中，示出三个支撑柱604，然而，思量也可使用更大数量的支撑柱604。

相信于此描述的相关于基板支撑件306和挡板310的实施方式能在溶剂暴露、相变、和/或超临界处理期间减低于基板上沉积的颗粒。基板支撑件306和挡板310可优势地实施于加压腔室中，例如腔室300。通过防止基板直接暴露于非层流流体流动和搅动流体流动等，出现在流体中的颗粒可避免基板上的沉积。例如，涡流流体流动可存在于基板支撑件306和挡板310附近的区域，然而，由具有基板放置于其中的基板支撑件306和挡板310所界定的内部空间仅可包含低速流体流动或层流流体流动。还相信挡板310与装置侧向下定向的基板的定向组合可减低或消除基板上的颗粒沉积。

前述涉及本公开内容的实施方式，可修改本公开内容的其他及进一步的实施方式而不远离其基本范围，且该范围由随附权利要求书所决定。