1.一种设备，其包括：
电极平面；
存储器材料，其经安置穿过且耦合到所述电极平面；
存储器单元，其包含于所述存储器材料中而在与所述电极平面相同的平面中对准，所述存储器单元经配置以展现表示第一逻辑状态的第一阈值电压及表示第二逻辑状态的第二阈值电压，其中所述存储器单元经进一步配置以充当选择器装置及存储器元件；及
导电柱，其经安置穿过且耦合到所述存储器单元，其中所述导电柱及所述电极平面经配置以跨越所述存储器单元提供电压以将逻辑状态写入到所述存储器单元。
2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括安置于所述导电柱与所述存储器材料之间的电极圆柱体。
3.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器材料及导电柱经形成为同心圆柱体。
4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括平行于所述电极平面的第二电极平面，所述存储器材料及导电柱延伸穿过且耦合到所述第二电极平面。
5.根据权利要求4所述的设备，其中所述存储器材料包括与所述第二电极平面相关联的第二存储器单元。
6.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括安置于所述电极平面与所述第二电极平面之间的电介质材料。
7.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括经安置穿过所述电极平面的多个导电柱及对应存储器材料，其中所述多个导电柱及对应存储器材料形成阵列。
8.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极平面耦合到第一存储器存取线且所述导电柱耦合到第二存储器存取线。
9.根据权利要求1所述的设备，其中所述导电柱及电极平面进一步经配置以跨越所述存储器单元提供第二电压以读取所述第一逻辑状态及所述第二逻辑状态。
10.一种设备，其包括：
存储器列，其包含环状存储器单元、导电柱及安置于所述环状存储器单元与所述导电柱之间的电极材料，其中所述环状存储器单元经配置以充当选择器装置及存储器元件；
交替的多个电极平面及多个电介质材料的堆叠，其中所述环状存储器单元在所述多个电极平面的电极平面中对准；及
开口，其穿过所述堆叠，其中所述存储器列经安置于所述开口中。
11.根据权利要求10所述的设备，其中所述环状存储器单元包含于延伸所述存储器列的长度的存储器材料中。
12.根据权利要求10所述的设备，其中所述多个电极平面包括多个薄膜。
13.根据权利要求10所述的设备，其中所述多个电介质材料包括氧化物。
14.根据权利要求11所述的设备，其中所述存储器材料包括硫属化物。
15.根据权利要求10所述的设备，其中所述电极材料包括势垒材料。
16.一种设备，其包括：
电极平面；及
多个环状存储器单元，其在所述电极平面中对准为二维阵列，其中所述多个环状存储器单元经配置以充当选择器装置及存储器元件。
17.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括所述多个环状存储器单元内的多个导电柱。
18.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括所述多个环状存储器单元内的多个环状电极圆柱体。
19.根据权利要求16所述的设备，其进一步包括：
第二电极平面；及
第二多个环状存储器单元，其在所述第二电极平面中对准。
20.根据权利要求19所述的设备，其中所述第二多个环状存储器单元与所述多个环状存储器单元垂直对准。
21.根据权利要求16所述的设备，其中所述多个存储器单元经配置以响应于使用具有第一极性的电压编程而展现表示第一逻辑状态的第一阈值电压且响应于使用具有第二极性的电压编程而展现表示第二逻辑状态的第二阈值电压。
22.一种设备，其包括：
电极平面；
导电柱阵列，其经安置穿过所述电极平面；及
存储器单元阵列，其形成为围绕所述导电柱阵列的所述导电柱的同心环，其中所述存储器单元阵列在与所述电极平面相同的平面中对准，其中所述存储器单元阵列经配置以充当选择器装置及存储器元件。
23.根据权利要求22所述的设备，其中所述存储器单元阵列的所述存储器单元经配置以充当二端阈值切换装置。
24.根据权利要求22所述的设备，其中所述电极平面、所述导电柱阵列及所述存储器单元阵列包含于三维存储器阵列中。
25.根据权利要求22所述的设备，其中所述存储器单元阵列的所述存储器单元包含硫属化物。
26.根据权利要求22所述的设备，其中所述存储器单元阵列的所述存储器单元具有等于所述电极平面的厚度的厚度。
27.一种方法，其包括：
接收对应于导电柱阵列中的导电柱的第一地址；
接收对应于电极平面堆叠中的电极平面的第二地址；
将所述导电柱耦合到第一电压；
将所述电极平面耦合到第二电压；及
通过所述第一电压与所述第二电压之间的差来偏置耦合于所述导电柱与所述电极平面之间的存储器单元，其中所述存储器单元经配置以充当选择器装置及存储器元件。
28.根据权利要求27所述的方法，其进一步包括将所述导电柱阵列中不对应于所述第一地址的导电柱耦合到共同电压；及
将所述电极平面堆叠中不对应于所述第二地址的电极平面耦合到所述共同电压。
29.根据权利要求27所述的方法，其中所述第一电压大于所述第二电压且响应于所述偏置，将第一逻辑状态写入到所述存储器单元，或其中所述第一电压小于所述第二电压且响应于所述偏置，将第二逻辑状态写入到所述存储器单元。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述第一逻辑状态对应于所述存储器单元的第一阈值电压，且其中所述第二逻辑状态对应于所述存储器单元的第二阈值电压。
31.根据权利要求30所述的方法，其进一步包括：
将所述导电柱耦合到第三电压；
将所述电极平面耦合到第四电压；
通过所述第三电压与所述第四电压之间的差来偏置耦合于所述导电柱与所述电极平面之间的所述存储器单元，其中所述第三电压大于所述第四电压；及
响应于所述偏置确定所述存储器单元的逻辑状态。
32.根据权利要求27所述的方法，其中在行地址解码器及列地址解码器处接收所述第一地址且在电极平面地址解码器处接收所述第二地址。
33.一种方法，其包括：
形成交替的电极平面及电介质层的堆叠；
在所述堆叠中形成开口；
在所述开口中形成存储器材料的保形层；及
在所述保形层上方使用导电柱填充所述开口。
34.根据权利要求33所述的方法，其进一步包括在使用所述导电柱填充所述开口之前在所述存储器材料上方形成势垒材料的保形层。
35.根据权利要求33所述的方法，其中形成所述开口包括施加掩模且蚀刻所述堆叠中的所述开口。
36.根据权利要求33所述的方法，其进一步包括：
将所述电极平面耦合到第一多个对应存储器存取线；及
将所述导电柱耦合到第二存储器存取线。
37.根据权利要求33所述的方法，其中在所述开口中形成存储器材料的所述保形层包括使所述电极平面凹陷且在形成于所述电极平面中的凹槽中选择性地形成存储器材料。