低漏泄电阻式随机存取存储器单元及其制造工艺的制作方法

技术特征：

技术总结
一种电阻式随机存取存储器器件在第一金属层与第二金属层之间的集成电路中形成并且包括：被布置在第一金属层之上的第一势垒层，被布置在第一势垒层之上的隧穿电介质层，被布置在隧穿电介质层之上的固体电解质层，被布置在固体电解质层之上的离子源层，以及被布置在离子源层之上的第二势垒层。

技术研发人员：J·L·麦科勒姆;F·扎维;F·K·霍利
受保护的技术使用者：美高森美SOC公司
技术研发日：2016.12.15
技术公布日：2018.08.31