半导体工艺和使用半导体工艺的半导体处理器件的制作方法

本发明实施例涉及半导体工艺和使用半导体工艺的半导体处理器件。

背景技术：

在晶圆蚀刻工艺中，在蚀刻晶圆之后，在其中晶圆被蚀刻的腔室可以获得在腔室壁上沉积的副产品。清洗腔室的清洗工艺去除腔室壁上的副产品，并且然后晶圆蚀刻工艺继续。

然而，清洗腔室以去除副产品的工艺需要大量时间。在清洗工艺期间，腔室不能蚀刻其他晶圆。因此，清洗工艺减小腔室的效率和生产能力。

技术实现要素：

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体工艺，包括：(a)蚀刻在第一蚀刻腔室中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，所述第一蚀刻腔室设置在蚀刻模块中；(b)清洗设置在所述蚀刻模块外部的第二蚀刻腔室，并且在清洗所述第二蚀刻腔室之后，在所述第二蚀刻腔室中设置另一晶圆；(c)从所述蚀刻模块去除具有所述蚀刻的晶圆的所述第一蚀刻腔室；以及(d)在所述蚀刻模块中设置具有所述另一晶圆的所述第二蚀刻腔室，以用于蚀刻所述另一晶圆。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体工艺，包括：(a)蚀刻在多个蚀刻腔室的一个中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，在蚀刻模块中蚀刻所述晶圆；(b)清洗所述蚀刻腔室的无晶圆蚀刻腔室以成为清洗的蚀刻腔室，其中，所述无晶圆蚀刻腔室设置在所述蚀刻模块外部，并且在所述清洗的蚀刻腔室中设置将被蚀刻的另一晶圆；(c)将具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室与具有所述另一晶圆的所述清洗的蚀刻腔室互换，从而在所述蚀刻模块中设置所述清洗的蚀刻腔室以用于将被蚀刻的所述另一晶圆并且在所述蚀刻模块外部设置具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室以被清洗；以及(d)去除在所述蚀刻腔室中的所述蚀刻的晶圆。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体处理器件，包括：第一蚀刻腔室；第二蚀刻腔室；以及蚀刻模块，适于可交换地包含所述第一蚀刻腔室或所述第二蚀刻腔室以用于晶圆蚀刻。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1a至图1g是根据本发明的一些实施例的执行半导体工艺的半导体处理器件的示意图。

图2是根据本发明的一些实施例示出的半导体工艺的步骤的流程图。

图3是根据本发明的一些其他实施例示出的半导体工艺的步骤的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

图1a至图1g是根据本发明的一些实施例的执行半导体工艺的半导体处理器件的示意图。参照图1a，半导体处理器件100包括第一蚀刻腔室110、第二蚀刻腔室120、以及蚀刻模块130。第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的每个适合于包括用于蚀刻的晶圆。在一些实施例中，蚀刻模块130包括适于包含用于晶圆蚀刻的第一蚀刻腔室110或者第二蚀刻腔室120的狭缝132。换言之，在一些实施例中，蚀刻模块130的狭槽132仅包括一个蚀刻腔室，第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120。然而，本发明不限制于此。本领域的普通技术人员可以设计蚀刻模块130的狭槽132以包括一个以上的蚀刻腔室。

在一些实施例中，蚀刻模块130适于在狭槽132中可交换地包含用于晶圆蚀刻的的第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120。换言之，当第一蚀刻腔室110包含将被蚀刻的晶圆时，第一蚀刻腔室110设置在用于晶圆蚀刻的蚀刻模块130的狭槽132中。以相同的方式，当第二蚀刻腔室120包含将被蚀刻的晶圆时，第二蚀刻腔室120设置在用于晶圆蚀刻的蚀刻模块130的狭槽132中。在一些实施例中，当第一蚀刻腔室110设置在狭槽132中时，第二蚀刻腔室120设置在蚀刻模块130的外部。相似地，当第二蚀刻腔室120设置在狭槽132中时，第一蚀刻腔室110设置在蚀刻模块130的外部。

在一些实施例中，半导体处理器件100还包括传送模块140。传送模块140邻近蚀刻模块130设置。当传送模块140中的第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120在无晶圆状态中时，传送模块140适于包含用于清洗的第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120。换言之，当传送模块140中的第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120不包括晶圆时，传送模块140包含用于清洗的第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120。在传送模块140中对第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120执行的蚀刻工艺适于去除沉积在已经经历晶圆蚀刻工艺或蚀刻工艺的蚀刻腔室(例如，第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室)上的副产品(未示出)。在晶圆蚀刻工艺期间，副产品可以沉积在需要被清洗的蚀刻腔室的壁上以继续蚀刻额外的晶圆。因此，清洗工艺必须被执行以去除副产品。在一些实施例中，清洗工艺是无晶圆自动清洗工艺。然而，本发明不限制于此。清洗工艺可以是本领域的普通技术熟知的任何清洗工艺，以用于清洗蚀刻腔室，从而去除副产品。

在一些实施例中，当第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120将在蚀刻模块130中互换时，传送模块140适于同时包含第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120。传送模块140使第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120中的一个与蚀刻模块130的狭槽132对准，然后将第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120中对准的一个移动至狭槽132中。

此外，在一些实施例中，蚀刻模块130具有上部130a、中间部130b和下部130c(仅在图1a中示出)。狭槽132位于蚀刻模块130的中间部130b中，从而位于狭槽132中的蚀刻腔室(例如，第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120)是中间蚀刻腔室。在一些实施例中，在晶圆蚀刻工艺期间，副产品大多数沉积在中间蚀刻腔室中。因此，在晶圆蚀刻工艺之后，中间蚀刻腔室需要被清洗。第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120彼此相同，并且可以在位于蚀刻模块130的中间部130b中的狭槽132中互换，从而位于狭槽132中的任何蚀刻腔室是中间蚀刻腔室。当中间蚀刻腔室需要被清洗时，另一相同的蚀刻腔室(未在狭缝132中的第一蚀刻腔室110或第二蚀刻腔室120)可以被切换以继续晶圆蚀刻工艺，同时被切换出的中间蚀刻腔室可被清洗。这样，蚀刻模块130可以继续晶圆蚀刻工艺而没有时间上的损失。换言之，需要被清洗的具有副产品的中间蚀刻腔室在蚀刻模块130外部被清洗，并且相同的蚀刻腔室被切换为蚀刻模块130中的中间蚀刻腔室以继续蚀刻工艺。因此，通过能够切换相同的蚀刻腔室(例如，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120)，蚀刻模块130可以继续进行晶圆蚀刻工艺，而同时蚀刻腔室中的一个被清洗。同时执行晶圆蚀刻工艺和清洗工艺允许晶圆蚀刻工艺继续而无需停止和等待蚀刻腔室(例如，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120)被清洗。这减小了蚀刻模块130的非生产性时间，并且在蚀刻模块130中晶圆蚀刻工艺可以更有效且生产率更高。当然，晶圆蚀刻工艺不限制于与清洗其他蚀刻腔室的清洗工艺同时被执行。清洗工艺和晶圆蚀刻工艺相对于彼此还可在独立的时间被执行。

在一些实施例中，蚀刻模块130的上部130a和下部130c还可包括额外的狭槽(未示出)。额外的狭槽可保持额外的蚀刻腔室或其他合适的组件。然而，本发明不限制于此。根据设计要求，本领域的普通技术可包括或省略蚀刻模块130的上部130a和下部130c中的额外的狭槽。这样，上部130a和下部130c可以是真空的。此外，如果额外的狭槽包括在上部130a或下部130c中、或同时包括在上部130a和下部130c中，本领域的普通技术可选择性地包括额外的蚀刻腔室或其他合适的组件。

参照图1a至图1g，图1a至图1g是根据本发明的一些实施例的执行半导体工艺的半导体处理器件的示意图。详细地，如图1a中所示，在半导体工艺中，第一蚀刻腔室110设置在蚀刻模块130的中间部130b中的狭槽132中。在第一蚀刻腔室110中设置的晶圆112可经历晶圆蚀刻工艺。传送模块140包括第二蚀刻腔室120。在图1a中，设置在传送模块140中的第二蚀刻腔室120可以经历清洗工艺。换言之，第二蚀刻腔室120可预先设置在蚀刻模块130中以用于晶圆蚀刻工艺。然而，第二蚀刻腔室120还可以是设置在传送模块140中的尚未经历任何晶圆蚀刻工艺的清洗腔室。应该注意，第二蚀刻腔室120在无晶圆状态下。换言之，第二蚀刻腔室120不包括晶圆以经历清洗工艺。

此外，如图1a所示，传送模块140还包括上部140a、中间部140b和下部140c(仅在图1a中示出)。可以看出，第二蚀刻腔室120位于传送模块140的上部140a中。换言之，在传送模块140中执行的清洗工艺在传送模块140的上部140a中执行。然而，本发明不限制于此。如果期望，本领域的普通技术可在传送模块140的中间部140b或下部140c中执行清洗部分。

在一些实施例中，在传送模块140中执行的清洗工艺与在蚀刻模块130中执行的晶圆蚀刻工艺同时进行。可以同时执行清洗工艺和晶圆蚀刻工艺以增加蚀刻模块130的晶圆蚀刻生产率。然而，本发明不限制于此。独立于在蚀刻模块130中执行的晶圆蚀刻工艺，执行在传送模块140中的清洗工艺。因此，清洗工艺不必须与晶圆蚀刻工艺同时执行。可根据用户要求确定每个工艺的时间。

此外，在一些实施例中，蚀刻腔室的清洗工艺不必须在传送模块140中执行。换言之，可以省略传送模块140且第二蚀刻腔室120的清洗工艺可发生在用于清洗第二蚀刻腔室120(或将要被清洗的另一蚀刻腔室)的另一合适的组件中。本发明不限制于此。根据用户的要求，本领域的普通技术可包括传送模块140或省略传送模块140。

接下来，参照图1b，晶圆114设置在第二蚀刻腔室120中。当清洗第二蚀刻腔室120时，晶圆114设置在第二蚀刻腔室120中。换言之，如果第二蚀刻腔室120预先具有已经沉积在第二蚀刻腔室120内的副产品，在第二蚀刻腔室120已经经历清洗工艺之后，设置晶圆114。如果第二蚀刻腔室120预先没有在第二蚀刻腔室120内沉积的副产品，那么第二蚀刻腔室120已经干净，并且晶圆114可设置在第二蚀刻腔室120中，而第二蚀刻腔室120未经历清洗工艺。当然，本发明不限制于此。即使第二蚀刻腔室120已经干净，如果用户期望，第二蚀刻腔室120也可再次经历清洗工艺。

接下来，参照图1c，在第一蚀刻腔室110通过蚀刻蚀刻模块130中的晶圆112已经完成晶圆蚀刻工艺之后，第一蚀刻腔室1120移动至传送模块140。在图1c中可以看出，传送模块140邻近蚀刻模块130设置。此外，在一些实施例中，蚀刻模块130的上部、中间部、和下部和传送模块140的上部、中间部、和下部彼此对准。然而，本发明不限于此，并且蚀刻模块130和传送模块140之间的配置可根据用户要求调节。在图1c中示出的半导体工艺的步骤中，第一蚀刻腔室110被移动至传送模块140的中间部140b。换言之，现在移动至传送模块140的第一蚀刻腔室110与蚀刻模块130中的狭槽132对准。具体地，第一蚀刻腔室110位于传送模块140的的中间部140b中，且与位于蚀刻模块130的中间部130b中的狭槽132对准。第一蚀刻腔室110通过半导体处理器件100的传送机制移动至传送模块140的中间部140b。传送机制可以是适合于本领域的普通技术的任何类型的传送机制。本发明不限制用于将第一蚀刻腔室110移动至传送模块140的中间部140b的传送机制的类型。第一蚀刻腔室110被移动至传送模块140以开始切换第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的工艺。换言之，第一蚀刻腔室110已经完成对晶圆112的晶圆蚀刻工艺，并且需要被清洗。第二蚀刻腔室120是干净的且设置有晶圆114，以及准备好在蚀刻模块130中进行晶圆蚀刻工艺。第一蚀刻腔室110移出蚀刻模块130的狭槽132并且移动至传送模块140。这样，蚀刻模块130中的狭槽132闲置，从而第二蚀刻腔室120可以设置在蚀刻模块130的狭槽132中。

接下来，参照图1d，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120一起移位，从而第二蚀刻腔室120在传送模块140的中间部140b中，且第一蚀刻腔室110在传送模块140的下部140c中。换言之，在图1d的步骤中，第二蚀刻腔室120移位以与蚀刻模块130的狭槽132对准。如上所述，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120一起移位。具体地，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120分别从上部140a和中间部140b一起向下移位至中间部140b和下部140c。第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120通过传送模块140中的传送机制一起移位。用于第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120一起移位的传送机制可以是用于本领域的普通技术的任何合适类型的传送机制。本发明不限制用于第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120一起移位的传送机制的类型。

接下来，参照图1e，具有晶圆114的第二蚀刻腔室120从传送模块140移动至蚀刻模块130的狭槽132中。换言之，在图1e的步骤中，半导体工艺已经完成第二蚀刻腔室120和第一蚀刻腔室110的切换工艺。具体地，第二蚀刻腔室120已经移动至蚀刻模块130的狭槽132中，并且准备好对晶圆114执行晶圆蚀刻工艺。由于在图1d的步骤中第二蚀刻腔室120与狭槽132对准，图1e的步骤可容易地移动第二蚀刻腔室120至狭槽132中。第二蚀刻腔室120可通过图1c的步骤中的同一传送机制移动至狭槽132中。换言之，将第一蚀刻腔室110从狭槽132移动至图1c中的传送模块140的传送机制可以是将第二蚀刻腔室120移动至蚀刻模块130的狭槽132中的相同的传送机制。

接下来，参照图1f，第一蚀刻腔室110从传送模块140的下部140c移位至传送模块140的上部140a。第一蚀刻腔室110可通过与图1d中的步骤的传送机制相同的传送机制移位。换言之，在图1d中将第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120一起向下移位的传送机制还可将图1f中的第一蚀刻腔室110移位。如上所述，在传送模块140中对蚀刻腔室的清洗工艺可在传送模块140的上部140a中执行。因此，第一蚀刻腔室110从传送模块140的下部140c向上移位至传送模块140的上部140a。这样，第一蚀刻腔室110可在传送模块140的合适位置中以经历清洗工艺。然而，本发明不限制于此。用户可选择传送模块140中的蚀刻腔室的清洗工艺在任何一部分中或在任何部分的组合中。如果清洗工艺被选择在传送模块140的下部140c中，那么可省略图1f中的移位第一蚀刻腔室110的步骤。

接下来，参照图1g，去除在第一蚀刻腔室110中已经完成晶圆蚀刻工艺的晶圆112。这样，第一蚀刻腔室110在无晶圆状态中，并且可在传送模块140中经历清洗工艺。应该注意，在图1e、图1f、和图1g的步骤期间，蚀刻模块130可以对设置在第二蚀刻腔室120中的晶圆114执行晶圆蚀刻工艺。本发明不限制何时对晶圆114执行蚀刻工艺。由于在图1e、图1f、和图1g中第二蚀刻腔室120设置在狭槽132中，蚀刻工艺可在那些步骤中的任何时刻发生。在一些实施例中，在图1g的步骤中对晶圆114执行蚀刻工艺。这样，在已经从第一蚀刻腔室110去除晶圆112之后，在蚀刻晶圆114的同时可清洗第一蚀刻腔室110。这减小了蚀刻模块130的非生产性时间，并且在蚀刻模块130中晶圆蚀刻工艺可以更有效且生产率更高。

在一些实施例中，传送模块140中的清洗工艺不在传送模块140的上部140a中，但是可位于传送模块140的中间部140b或下部140c中。结果，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120如何被移位和移动可以与图1a至图1f中描述的方式不同。换言之，根据在传送模块140中的清洗工艺发生的位置，可以调节布置第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的顺序和序列以切换位置。

此外，在一些实施例中，半导体工艺可省略传送模块140。换言之，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120可以在蚀刻模块130的狭槽132中切换而不使用传送模块140。第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120可以手动切换或通过任何其他合适的手动或自动机器。被切换出且将被清洗的第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120可以移动至用于清洗工艺的合适的机器，并且不限制于在传送模块140中清洗。

在图1g中的步骤之后，半导体工艺可以重复以返回至图1a中的步骤。图1g和图1a之间的差异在于第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的位置。换言之，在图1a中，第一蚀刻腔室110是在蚀刻模块130中，且晶圆112可被蚀刻，以及在传送模块140的上部140a中的第二蚀刻腔室120可以在无晶圆状态中被清洗。在图1g中，第二蚀刻腔室120是在蚀刻模块130中，且晶圆114可被蚀刻，以及在传送模块140的上部140a中的第一蚀刻腔室110可以在无晶圆状态中被清洗。除了在图1a至图1g的每个图中切换第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的描述以外，半导体工艺重复。本文将不再重复描述。应该注意，在清洗第一蚀刻腔室110之后，将被蚀刻的下一个晶圆设置在第一蚀刻腔室110中，并且继续切换第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的工艺。换言之，当晶圆114已经被蚀刻时，第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120再次切换位置，以及在去除晶圆114之后，再次清洗第二蚀刻腔室120且接下来将被蚀刻的另一晶圆设置在第二蚀刻腔室120中。半导体工艺在蚀刻腔室的一个中继续蚀刻晶圆且清洗另一个蚀刻腔室。通过使用可在蚀刻模块130中切换位置的两个相同的蚀刻腔室，可同时发生清洗工艺和晶圆蚀刻工艺，从而减小非生产性时间。

图2是根据本发明的一些实施例示出的半导体工艺的步骤的流程图。在步骤s102中，蚀刻在第一蚀刻腔室110中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，第一蚀刻腔室110设置在蚀刻模块130中。在步骤s104中，清洗设置在蚀刻模块130外部的第二蚀刻腔室120，并且在清洗第二蚀刻腔室120之后，在第二蚀刻腔室120中设置另一晶圆。在一些实施例中，当在蚀刻模块130中蚀刻第一蚀刻腔室110中的晶圆的同时，清洗第二蚀刻腔室120。然而，本发明不限于此，并且步骤s102和s104可以在不同的时间执行(即，可在步骤s104之前或之后执行步骤s102)。接下来，在步骤s106中，从蚀刻模块130去除具有蚀刻的晶圆的第一蚀刻腔室110。接下来，在步骤s108中，在蚀刻模块130中设置具有另一晶圆的第二蚀刻腔室120以用于蚀刻另一晶圆。接下来，在步骤s110中，蚀刻在第二蚀刻腔室120中设置的另一晶圆以产生另一蚀刻的晶圆，其中，第二蚀刻腔室120设置在蚀刻模块130中。在步骤s112中，清洗设置在蚀刻模块130外部的第一蚀刻腔室110，并且在清洗第一蚀刻腔室110之后，还在第一蚀刻腔室110中设置另一晶圆。在一些实施例中，当在蚀刻模块130中蚀刻第二蚀刻腔室120中的另一晶圆的同时，清洗第一蚀刻腔室110。然而，本发明不限于此，并且步骤s110和s112可以在不同的时间执行(即，可在步骤s112之前或之后执行步骤s110)。接下来，在步骤s114中，从蚀刻模块130去除具有另一蚀刻的晶圆的第二蚀刻腔室120。接下来，在步骤s116中，在蚀刻模块130中设置具有又另一晶圆的第一蚀刻腔室110以用于蚀刻又另一晶圆。接下来，半导体工艺可以重复，并且重复步骤s102至s116。

在一些实施例中，在步骤s104中，在传送模块140中清洗第二蚀刻腔室120，且在步骤s112中，在传送模块140中清洗第一蚀刻腔室110。在步骤s106和在步骤s108中，将具有蚀刻的晶圆的第一蚀刻腔室110从蚀刻模块130移动至传送模块140且与狭槽132对准。将第二蚀刻腔室120从传送模块140移动至蚀刻模块130。在步骤s114和在步骤s116中，将具有另一蚀刻的晶圆的第二蚀刻腔室120从蚀刻模块130移动至传送模块140且与狭槽132对准。将第一蚀刻腔室110从传送模块140移动至蚀刻模块130。在步骤s108之前，一起移位第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120以使第二蚀刻腔室120与狭槽132对准。在步骤s116之前，一起移位第二蚀刻腔室120和第一蚀刻腔室110以使第一蚀刻腔室110与狭槽132对准。如何利用传送模块140以及如何移动和移位第一蚀刻腔室110和第二蚀刻腔室120的描述可以参照以上描述。本文将不再重复相同的描述。

图3是根据本发明的一些其他实施例示出的半导体工艺的步骤的流程图。在步骤s202中，蚀刻在多个蚀刻腔室的一个中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，在蚀刻模块130中蚀刻晶圆。在步骤s204中，清洗蚀刻腔室的无晶圆蚀刻腔室以成为清洗的蚀刻腔室，其中，无晶圆蚀刻腔室设置在蚀刻模块130外部，并且在清洗的蚀刻腔室中设置将被蚀刻的另一晶圆。在一些实施例中，同时执行步骤s202和步骤s204。然而，本发明不限于此，并且步骤s202和s204可以在不同时间执行(即，可在步骤s204之前或之后执行步骤s202)。接下来，在步骤s206中，将具有蚀刻的晶圆的蚀刻腔室与具有另一晶圆的清洗的蚀刻腔室互换，从而，清洗的蚀刻腔室设置在蚀刻模块130中以用于将被蚀刻的另一晶圆，并且具有蚀刻的晶圆的蚀刻腔室设置在蚀刻模块130外部以被清洗。接下来，在步骤s208中，去除在蚀刻腔室中的蚀刻的晶圆。接下来，半导体工艺可以重复，并且重复步骤s202至s208。

在一些实施例中，在步骤s204中，在传送模块140中清洗设置在蚀刻模块130外部的无晶圆蚀刻腔室。在步骤s206中，将具有蚀刻的晶圆的蚀刻腔室从蚀刻模块130移动至传送模块140，并且将清洗的蚀刻腔室从传送模块140移动至蚀刻模块130。此外，在步骤s206中，在传送模块140中一起移位具有蚀刻的晶圆的蚀刻腔室和清洗的蚀刻腔室，以使清洗的蚀刻腔室与蚀刻模块130的狭槽132对准且然后移动至蚀刻模块130的狭槽132中。如何利用传送模块140以及如何移动和移位蚀刻腔室的描述可以参照以上描述。本文将不再重复相同的描述。

根据一些实施例，提供了一种半导体工艺。半导体工艺包括下面的步骤。蚀刻在第一蚀刻腔室中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，第一蚀刻腔室设置在蚀刻模块中。清洗设置在蚀刻模块外部的第二蚀刻腔室，并且在清洗第二蚀刻腔室之后，在第二蚀刻腔室中设置另一晶圆。从蚀刻模块去除具有蚀刻的晶圆的第一蚀刻腔室。具有另一晶圆的第二蚀刻腔室设置至蚀刻模块中以用于蚀刻另一晶圆。

根据实施例，提供了一种半导体工艺。半导体工艺包括下面的步骤。蚀刻在多个蚀刻腔室的一个中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，在蚀刻模块中蚀刻晶圆。清洗蚀刻腔室的无晶圆蚀刻腔室以成为清洗的蚀刻腔室，其中，无晶圆蚀刻腔室设置在蚀刻模块外部，并且在清洗的蚀刻腔室中设置将被蚀刻的另一晶圆。将具有蚀刻的晶圆的蚀刻腔室与具有另一晶圆的清洗的蚀刻腔室互换，从而在蚀刻模块中设置清洗的蚀刻腔室以用于将要被蚀刻的另一晶圆且在蚀刻模块外部设置具有蚀刻的晶圆的蚀刻腔室以被清洗。去除在蚀刻腔室中的蚀刻的晶圆。前述步骤可以被重复以重复半导体工艺。

根据一些实施例，提供了一种半导体处理器件。半导体处理器件包括第一蚀刻腔室、第二蚀刻腔室、以及蚀刻模块。蚀刻模块适于可交换地包含用于晶圆蚀刻的第一蚀刻腔室或第二蚀刻腔室。

根据本发明的一些实施例，提供了一种半导体工艺，包括：(a)蚀刻在第一蚀刻腔室中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，所述第一蚀刻腔室设置在蚀刻模块中；(b)清洗设置在所述蚀刻模块外部的第二蚀刻腔室，并且在清洗所述第二蚀刻腔室之后，在所述第二蚀刻腔室中设置另一晶圆；(c)从所述蚀刻模块去除具有所述蚀刻的晶圆的所述第一蚀刻腔室；以及(d)在所述蚀刻模块中设置具有所述另一晶圆的所述第二蚀刻腔室，以用于蚀刻所述另一晶圆。

在上述工艺中，还包括：(e)蚀刻在所述第二蚀刻腔室中设置的所述另一晶圆以产生另一蚀刻的晶圆，其中，所述第二蚀刻腔室设置在所述蚀刻模块中；(f)清洗设置在所述蚀刻模块外部的所述第一蚀刻腔室，并且在清洗所述第一蚀刻腔室之后，在所述第一蚀刻腔室中设置又另一晶圆；(g)从所述蚀刻模块去除具有所述另一蚀刻的晶圆的所述第二蚀刻腔室；以及(h)在所述蚀刻模块中设置具有所述又另一晶圆的所述第一蚀刻腔室以用于蚀刻所述又另一晶圆。

在上述工艺中，所述蚀刻模块包括适于包含所述第一蚀刻腔室和所述第二蚀刻腔室中的一个的狭槽。

在上述工艺中，在步骤(b)中，在传送模块中清洗所述第二蚀刻腔室，且在步骤(f)中，在所述传送模块中清洗所述第一蚀刻腔室。

在上述工艺中，在步骤(c)中，具有所述蚀刻的晶圆的所述第一蚀刻腔室从所述蚀刻模块移动至所述传送模块且与所述狭槽对准，以及在步骤(g)中，具有所述另一蚀刻的晶圆的所述第二蚀刻腔室从所述蚀刻模块移动至所述传送模块且与所述狭槽对准。

在上述工艺中，在步骤(d)中，所述第二蚀刻腔室从所述传送模块移动至所述蚀刻模块，且在步骤(h)中，所述第一蚀刻腔室从所述传送模块移动至所述蚀刻模块。

在上述工艺中，在步骤(d)之前，一起移位所述第二蚀刻腔室和所述第一蚀刻腔室以使所述第二蚀刻腔室与所述狭槽对准。

在上述工艺中，在步骤(h)之前，一起移位所述第二蚀刻腔室和所述第一蚀刻腔室以使所述第一蚀刻腔室与所述狭槽对准。

在上述工艺中，在步骤(b)中，当在所述蚀刻模块中蚀刻所述第一蚀刻腔室中的所述晶圆的同时，清洗所述第二蚀刻腔室。

在上述工艺中，在步骤(f)中，当在所述蚀刻模块中蚀刻所述第二蚀刻腔室中的所述另一晶圆的同时，清洗所述第一蚀刻腔室。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种半导体工艺，包括：(a)蚀刻在多个蚀刻腔室的一个中设置的晶圆以产生蚀刻的晶圆，其中，在蚀刻模块中蚀刻所述晶圆；(b)清洗所述蚀刻腔室的无晶圆蚀刻腔室以成为清洗的蚀刻腔室，其中，所述无晶圆蚀刻腔室设置在所述蚀刻模块外部，并且在所述清洗的蚀刻腔室中设置将被蚀刻的另一晶圆；(c)将具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室与具有所述另一晶圆的所述清洗的蚀刻腔室互换，从而在所述蚀刻模块中设置所述清洗的蚀刻腔室以用于将被蚀刻的所述另一晶圆并且在所述蚀刻模块外部设置具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室以被清洗；以及(d)去除在所述蚀刻腔室中的所述蚀刻的晶圆。

在上述工艺中，所述蚀刻模块包括适于包含所述蚀刻腔室中的一个的狭槽。

在上述工艺中，在步骤(b)中，在传送模块中清洗在所述蚀刻模块外部设置的所述无晶圆蚀刻腔室。

在上述工艺中，在步骤(c)中，将具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室从所述蚀刻模块移动至所述传送模块，并且将所述清洗的蚀刻腔室从所述传送模块移动至所述蚀刻模块。

在上述工艺中，在步骤(c)中，将具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室移动至所述传送模块，并且在所述传送模块中一起移位具有所述蚀刻的晶圆的所述蚀刻腔室和清洗的蚀刻腔室，从而所述清洗的蚀刻腔室与所述蚀刻模块的所述狭槽对准，并且然后移动至所述蚀刻模块的所述狭槽中。

在上述工艺中，同时执行步骤(a)和步骤(b)。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种半导体处理器件，包括：第一蚀刻腔室；第二蚀刻腔室；以及蚀刻模块，适于可交换地包含所述第一蚀刻腔室或所述第二蚀刻腔室以用于晶圆蚀刻。

在上述半导体处理器件中，还包括：传送模块，邻近所述蚀刻模块设置且适于包含和清洗处于无晶圆状态中的所述第一蚀刻腔室或所述第二蚀刻腔室。

在上述半导体处理器件中，所述蚀刻模块包括适于包含用于晶圆蚀刻的所述第一蚀刻腔室或所述第二蚀刻腔室的狭槽。

在上述半导体处理器件中，当所述第一蚀刻腔室和所述第二蚀刻腔室在所述蚀刻模块中将被互换时，所述传送模块适于包含所述第一蚀刻腔室和所述第二蚀刻腔室，并且将所述第一蚀刻腔室和所述第二蚀刻腔室中的一个与所述蚀刻模块的所述狭槽对准以将所述第一蚀刻腔室和所述第二蚀刻腔室中的一个移动至所述狭槽中。

上面概述了若干实施例的部件、使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围、并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。