电能储存装置的制作方法与流程

文档序号:12679301阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种电能储存装置的制作方法,其特征在于,包括:

生成第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层的薄膜;

对所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第三导电磁性层及第四导电磁性层的薄膜的表面进行处理以设置磁极化方向;

依据电容器的结构依次对所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层进行层叠并压实以形成平板电容;

对所述平板电容进行切割,并设置导电装置,将所述导电装置焊接在所述平板电容所切割的位置;

对所述平板电容进行封装为单体电容,依据预设的电路将所述单体电容封装为电能储存装置。

2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述生成第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层的薄膜,包括:

将所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层均设置为薄层;

通过溅镀或化学沉淀或晶体生长的方式生成所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层的薄膜。

3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述对所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第三导电磁性层及第四导电磁性层的薄膜的表面进行处理以设置磁极化方向,包括:

将所述第一导电磁性层及所述第四导电磁性层的磁极化方向设置为第一方向;

将所述第二导电磁性层及所述第三导电磁性层的磁极化方向设置为第二方向;其中,所述第一方向与所述第二方向相互垂直。

4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述第一方向为水平方向,所述第二方向为垂直方向。

5.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,所述将所述第一导电磁性层及所述第四导电磁性层的磁极化方向设置为第一方向中,将所述第一导电磁性层的磁极化方向及所述第四导电磁性层的磁极化方向设置为相同或相反方向。

所述将所述第二导电磁性层及所述第三导电磁性层的磁极化方向设置为第二方向中,将所述第二导电磁性层的磁极化方向及所述第三导电磁性层的磁极化方向设置为相同或相反方向。

6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述依据电容器的结构依次对所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层进行层叠并压实以形成平板电容,包括:

依次层叠所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层;

将绝缘层设置于所述第一导电磁性层的上表面;

压实所述绝缘层、第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层以形成平板电容。

7.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,对所述平板电容进行切割,并设置导电装置,将所述导电装置焊接在所述平板电容所切割的位置,包括:

对所述平板电容进行切割以制作电容模块;

设置导电装置,所述导电装置包括第一导电层、第二导电层、第三导电层及第四导电层;

将所述导电装置焊接在所述平板电容所切割的位置;其中,将所述第一导电层及所述第三导电层分别设置于所述第一导电磁性层、第二导电磁性层及第一导电顺磁颗粒层的两侧;将所述第二导电层及所述第四导电层分别设置于所述第二导电顺磁颗粒层、第三导电磁性层及第四导电磁性层的两侧。

8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,所述对所述平板电容进行封装为单体电容,依据预设的电路将所述单体电容封装为电能储存装置,包括:

提供m个所述单体电容,m为大于或等于2的正整数;

当m等于2时,第1个单体电容的第三导电层与第2个单体电容的第一导电层连接,第1个单体电容的第四导电层与第2个单体电容的第二导电层连接;

当m大于2时,第1个单体电容的第三导电层与第2个单体电容的第一导电层连接,第1个单体电容的第四导电层与第2个单体电容的第二导电层连接;第i个单体电容的第三导电层与第i+1个单体电容的第一导电层连接,第i个单体电容的第四导电层与第i+1个单体电容的第二导电层连接,第i个单体电容的第一导电层与第i-1个单体电容的第三导电层连接,第i个单体电容的第二导电层与第i-1个单体电容的第四导电层连接;第m个单体电容的第一导电层与第m-1个单体电容的第三导电层连接,第m个单体电容的第二导电层与第m-1个单体电容的第四导电层连接;其中,i为大于1且小于m的正整数。

9.一种电能储存装置的制作方法,其特征在于,包括:

生成第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层及第三导电磁性层的薄膜;

对所述第一导电磁性层、第二导电磁性层及第三导电磁性层的薄膜的表面进行处理以设置磁极化方向;

依据电容器的结构依次对所述第一导电磁性层、第二导电磁性层、第一导电顺磁颗粒层、介电层、第二导电顺磁颗粒层及第三导电磁性层进行层叠并压实以形成平板电容;

对所述平板电容进行切割,并设置导电装置,将所述导电装置焊接在所述平板电容所切割的位置;

对所述平板电容进行封装为单体电容,依据预设的电路将所述单体电容封装为电能储存装置。

10.根据权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述对所述平板电容进行封装为单体电容,依据预设的电路将所述单体电容封装为单体电容,包括:

提供n个所述单体电容及第四导电磁性层,所述第四导电磁性层的磁极化方向与所述第一导电磁性层的磁极化方向平行,n为大于或等于2的正整数;所述导电装置包括第一导电层、第二导电层、第三导电层及第四导电层;所述第一导电层及所述第三导电层分别设置于所述第一导电磁性层、第二导电磁性层及第一导电顺磁颗粒层的两侧;所述第二导电层及所述第四导电层分别设置于所述第二导电顺磁颗粒层及第三导电磁性层的两侧;

当n等于2时,第1个单体电容的第二导电层与第2个单体电容的第一导电层连接,第1个单体电容的第四导电层与第2个单体电容的第三导电层连接,第2个单体电容的第三导电磁性层与所述第四导电磁性层连接;

当n大于2时,第1个单体电容的第二导电层与第2个单体电容的第一导电层连接,第1个单体电容的第四导电层与第2个单体电容的第三导电层连接;第j个单体电容的第二导电层与第j+1个单体电容的第一导电层连接,第j个单体电容的第四导电层与第j+1个单体电容的第三导电层连接,第j个单体电容的第一导电层与第j-1个单体电容的第二导电层连接,第j个单体电容的第三导电层与第j-1个单体电容的第四导电层连接;第n个单体电容的第一导电层与第n-1个单体电容的第二导电层连接,第n个单体电容的第三导电层与第n-1个单体电容的第四导电层连接,第n个单体电容的第三导电磁性层与所述第四导电磁性层连接;其中,j为大于1且小于n的正整数。

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