制作凸点封装结构的方法及凸点封装结构与流程

本发明涉及芯片封装技术领域，特别是涉及一种制作凸点封装结构的方法及凸点封装结构。

背景技术：

铜柱凸点将改变倒装芯片的市场和供应链。之所以这样说，是因为除了移动产品用处理器和内存外，其他互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)也需要在比现在更小的芯片面积上实现更多的I/O个数以及更高的带宽，并采取更好的散热措施。

一般的铜柱凸点封装的光敏有机材料在芯片上的边缘均在密封圈以内，因为一旦有机材料越过密封圈，会占用划片槽的位置，且易导致胶丝引起外观不良和可靠性问题。随着前道半导体工厂(Fab)的圆片工艺由28nm提升为16nm、14nm，甚至是10nm，芯片上的有效面积占整个芯片的面积比例越来越高，密封圈内都是芯片有效区域。

但是，现有技术中凸点封装的光敏有机材料不能满足新的圆片工艺的要求，无法有效保护芯片的有效区域。

技术实现要素：

本发明主要解决的技术问题是提供一种制作凸点封装结构的方法及凸点封装结构，能够既可以最大面积的保护芯片有效区域，又能起到强化密封件的保护作用，从而满足新的圆片工艺的要求，有效保护芯片的有效区域。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种制作凸点封装结构的方法，所述方法包括：在基板上形成芯片有效区域层以及密封件，其中，所述芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口，所述密封件靠近所述芯片有效区域层而形成，用于保护所述芯片有效区域层；在所述基板上的所述芯片有效区域层以及密封件上覆盖一层光敏有机材料；通过光罩对所述光敏有机材料进行曝光，进而进行显影，以形成光敏有机材料层，使得所述光敏有机材料层覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它所述芯片有效区域层上，其边缘延伸至所述密封件上端的一部分，以覆盖所述密封件上端的一部分；在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点。

其中，所述通过光罩对所述光敏有机材料进行曝光，进而进行显影，以形成光敏有机材料层的步骤之前，包括：预加热以将所述光敏有机材料中的溶剂蒸发掉，并冷却到室温。

其中，所述密封件为密封圈；所述密封圈包括第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈靠近所述芯片有效区域层而形成，所述第二密封圈靠近所述第一密封圈而形成。

其中，所述光敏有机材料层的边缘延伸至所述第一密封圈上端的一部分，以覆盖所述第一密封件上端的一部分。

其中，所述光敏有机材料层的边缘延伸至所述第一密封圈上端的距离为2-5微米。

其中，所述在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点的步骤包括：在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成铜柱；在所述铜柱上面形成焊锡。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种凸点封装结构，所述凸点封装结构包括：基板；芯片有效区域层，形成在所述基板上，其中，所述芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口；密封件，靠近所述芯片有效区域层而形成，用于保护所述芯片有效区域层；光敏有机材料层，覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它所述芯片有效区域层上，其边缘延伸至所述密封件上端的一部分，以覆盖所述密封件上端的一部分；凸点，形成在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面。

其中，所述密封件为密封圈；所述密封圈包括第一密封圈和第二密封圈，所述第一密封圈靠近所述芯片有效区域层而形成，所述第二密封圈靠近所述第一密封圈而形成。

其中，所述光敏有机材料层的边缘延伸至所述第一密封圈上端的一部分，以覆盖所述第一密封件上端的一部分。

其中，所述光敏有机材料层的边缘延伸至所述第一密封圈上端的距离为2-5微米。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明在基板上形成芯片有效区域层以及密封件，其中，所述芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口，所述密封件靠近所述芯片有效区域层而形成，用于保护所述芯片有效区域层；在所述基板上的所述芯片有效区域层以及密封件上覆盖一层光敏有机材料；通过光罩对所述光敏有机材料进行曝光，进而进行显影，以形成光敏有机材料层，使得所述光敏有机材料层覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它所述芯片有效区域层上，其边缘延伸至所述密封件上端的一部分，以覆盖所述密封件上端的一部分；在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点。由于光敏有机材料层覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它芯片有效区域层上，其边缘延伸至密封件上端的一部分，从而覆盖密封件上端的一部分，通过这种方式，能够既可以最大面积的保护芯片有效区域，又能起到强化密封件的保护作用，从而满足新的圆片工艺的要求，有效保护芯片的有效区域。

附图说明

图1是本发明制作凸点封装结构的方法一实施方式的流程图；

图2是本发明制作凸点封装结构的方法中步骤S101制作的示意图；

图3是本发明制作凸点封装结构的方法中步骤S102制作的示意图；

图4是本发明制作凸点封装结构的方法中步骤S103制作的一示意图；

图5是本发明制作凸点封装结构的方法中步骤S103制作的另一示意图；

图6是本发明制作凸点封装结构的方法中一实施方式中制作出来的最终芯片表面的形貌示意图；

图7是本发明凸点封装结构一实施方式的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施方式对本发明进行详细说明。

参阅图1，图1是本发明制作凸点封装结构的方法一实施方式的流程图，该方法包括：

步骤S101：在基板上形成芯片有效区域层以及密封件，其中，芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口，密封件靠近芯片有效区域层而形成，用于保护芯片有效区域层。

基板的材料根据实际应用确定，例如：可以是玻璃、或者硅晶片、或者其他普通的基板材料。

芯片有效区域层设置的是各种各样的芯片，芯片有效区域层上裸露的金属端子窗口是为了和外界实现电连接。密封件靠近芯片有效区域层而形成，密封件的作用是为了保护芯片有效区域层。

参见图2，在基板101上形成芯片有效区域层103以及密封件104、105(图中以两个密封件为例)，其中，芯片有效区域层103包括裸露的金属端子窗口102，密封件104、105靠近芯片有效区域层103而形成，用于保护芯片有效区域层103。

步骤S102：在基板上的芯片有效区域层以及密封件上覆盖一层光敏有机材料。

光敏有机物质是光毒反应和光敏反应的帮凶，它们能诱发或激发光反应。在基板上的芯片有效区域层以及密封件上覆盖一层光敏有机材料，通过光罩，进行后续曝光和显影，可以将不需要覆盖光敏有机材料的部分裸露出来，需要覆盖光敏有机材料的部分依然覆盖着光敏有机材料。

参见图3，在基板101上的芯片有效区域层103以及密封件104、105上覆盖一层光敏有机材料109。

步骤S103：通过光罩对光敏有机材料进行曝光，进而进行显影，以形成光敏有机材料层，使得光敏有机材料层覆盖在除了裸露的金属端子窗口之外的其它芯片有效区域层上，其边缘延伸至密封件上端的一部分，以覆盖密封件上端的一部分。

在通过光罩进行曝光的时候，首先需要将光罩对准标记。例如，应用于圆片工艺时，进行对准标记时，一般位于划片槽上，为蝴蝶形或者十字，进行预对准；套刻精度的调整，可以保证图形与硅片上已存在的图形之间的对准；然后通过汞灯曝光将特殊设计的光罩图形精确转移至光敏有机材料上。

显影的时候，可以通过显影液浸渍或者是旋转滴注将图形显现出来，使用浸渍的方法可以防止动态过程中造成光敏材料显影开口边缘的位移，确保光敏有机材料的位置骑在密封件上端的一部分上，这样既可以最大面积的保护芯片有效区域，又能起到强化密封件的保护作用。

参见图4和图5，图4是通过光罩对光敏有机材料进行曝光的示意图，图5是显影后的示意图。通过光罩110对光敏有机材料109进行曝光，进而进行显影，以形成光敏有机材料层106，使得光敏有机材料层106覆盖在除了裸露的金属端子窗口之外的其它芯片有效区域层103上，其边缘延伸至密封件105或104上端的一部分，以覆盖密封件105或104上端的一部分。

参见图6，图6是一实施方式中最终芯片表面的形貌示意图，包括：基板101、芯片有效区域层103、裸露的金属端子窗口102、密封件104和105以及光敏有机材料层106，其中，光敏有机材料层106覆盖在除了裸露的金属端子窗口102之外的其它芯片有效区域层103上，其边缘延伸至密封件104上端的一部分，以覆盖密封件104上端的一部分。

步骤S104：在裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点。

在裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点，通过凸点和裸露的金属端子窗口，芯片有效区域层的芯片与外界实现电连接。

本发明实施方式在基板上形成芯片有效区域层以及密封件，其中，所述芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口，所述密封件靠近所述芯片有效区域层而形成，用于保护所述芯片有效区域层；在所述基板上的所述芯片有效区域层以及密封件上覆盖一层光敏有机材料；通过光罩对所述光敏有机材料进行曝光，进而进行显影，以形成光敏有机材料层，使得所述光敏有机材料层覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它所述芯片有效区域层上，其边缘延伸至所述密封件上端的一部分，以覆盖所述密封件上端的一部分；在所述裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成凸点。由于光敏有机材料层覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它芯片有效区域层上，其边缘延伸至密封件上端的一部分，从而覆盖密封件上端的一部分，通过这种方式，能够既可以最大面积的保护芯片有效区域，又能起到强化密封件的保护作用，从而满足新的圆片工艺的要求，有效保护芯片的有效区域。

其中，步骤S103中，通过光罩对光敏有机材料进行曝光，进而进行显影，以形成光敏有机材料层的步骤之前，包括：预加热以将光敏有机材料中的溶剂蒸发掉，并冷却到室温。通过这种方式，能够减小光敏有机材料的溶胀率。

其中，密封件为密封圈；密封圈包括第一密封圈和第二密封圈，第一密封圈靠近芯片有效区域层而形成，第二密封圈靠近第一密封圈而形成。通过两个密封圈，可以更好地有效保护芯片的有效区域，且便于为后续光敏有机材料层的边缘进行定位。

其中，光敏有机材料层的边缘延伸至第一密封圈上端的一部分，以覆盖第一密封件上端的一部分。

进一步，光敏有机材料层的边缘延伸至第一密封圈上端的距离为2-5微米。

其中，步骤S104包括：在裸露的金属端子窗口所在位置的上面形成铜柱；在铜柱上面形成焊锡。

参见图7，图7是本发明凸点封装结构一实施方式的结构示意图，本实施方式的凸点封装结构与上述方法制作后形成的凸点封装结构一致，相关内容的详细说明请参见上述方法部分，在此不再赘叙。

该凸点封装结构包括：基板101、芯片有效区域层103、密封件、光敏有机材料层106以及凸点。

芯片有效区域层103形成在基板101上，其中，芯片有效区域层103包括裸露的金属端子窗口102；密封件靠近芯片有效区域层103而形成，用于保护芯片有效区域层103；光敏有机材料层106覆盖在除了裸露的金属端子窗口102之外的其它芯片有效区域层103上，其边缘延伸至密封件上端的一部分，以覆盖密封件上端的一部分；凸点形成在裸露的金属端子窗口102所在位置的上面。

其中，密封件为密封圈；密封圈包括第一密封圈104和第二密封圈105，第一密封圈104靠近芯片有效区域层103而形成，第二密封圈105靠近第一密封圈104而形成。

进一步，光敏有机材料层106的边缘延伸至第一密封圈104上端的一部分，以覆盖第一密封件104上端的一部分。

其中，光敏有机材料层106的边缘延伸至第一密封圈104上端的距离为2-5微米。

其中，凸点包括铜柱107和焊锡108。

本发明实施方式芯片有效区域层形成在基板上，其中，芯片有效区域层包括裸露的金属端子窗口；密封件靠近芯片有效区域层而形成，用于保护芯片有效区域层；光敏有机材料层覆盖在除了裸露的金属端子窗口之外的其它芯片有效区域层上，其边缘延伸至密封件上端的一部分，以覆盖密封件上端的一部分；凸点形成在裸露的金属端子窗口所在位置的上面。由于光敏有机材料层覆盖在除了所述裸露的金属端子窗口之外的其它芯片有效区域层上，其边缘延伸至密封件上端的一部分，从而覆盖密封件上端的一部分，通过这种方式，能够既可以最大面积的保护芯片有效区域，又能起到强化密封件的保护作用，从而满足新的圆片工艺的要求，有效保护芯片的有效区域。

以上所述仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。