技术特征：
技术总结
本发明提供一种即使在高的工作温度下工作也能够确保耐久性、在充分发挥半导体元件的性能方面有利的半导体装置。本发明的半导体装置包括将被基座(14)支撑的半导体元件(16)密封的密封层(20)而构成。密封层(20)由纳米复合物结构构成，所述纳米复合物结构由大量nm尺寸(1μm以下)的粒径的由SiO2构成的绝缘性纳米微粒(54)和将这些绝缘性纳米微粒(54)的周围没有间隙地填埋的非晶二氧化硅(56)构成。
技术研发人员：关根重信
受保护的技术使用者：纳普拉有限公司
技术研发日：2017.01.20
技术公布日：2017.08.22