技术总结
本发明属于半导体制作工艺领域，涉及一种刻蚀掩模及采用刻蚀掩模制作LED的方法，该刻蚀掩模包括依次层叠并紧密粘合的第一柔性基板、第一粘附层和图形化结构层，将该刻蚀掩模置于外延片表面，采用干法刻蚀即可将图形化结构层的图形转移至外延片上，制作图形化外延片，方便快捷、节省成本；同时将第二粘附层和第二柔性基板粘附于干法刻蚀后的图形化结构层上，剥离图形化结构层以重新形成刻蚀掩模，实现其的可再利用性。
技术研发人员：蔡家豪;吴和兵;陈明皓;马建华;孙京京;魏峰;邱智中;张家宏
受保护的技术使用者：安徽三安光电有限公司
文档号码：201710054554
技术研发日：2017.01.24
技术公布日：2017.05.31