技术总结
本发明公开一种半导体存储装置以及其制作方法。在具有多个主动区的半导体基底上形成多个存储节点接触，各存储节点接触与多个主动区中的至少一个接触，各存储节点接触具有一凹陷上表面，凹陷上表面的最高点与最低点之间于一垂直方向上具有一第一距离，凹陷上表面的最高点与存储节点接触的一底面于垂直方向上具有一第二距离，且第一距离与第二距离的比值介于30％至70％之间。通过具有凹陷上表面的存储节点接触，可降低形成于存储节点接触上的其他导电结构与存储节点接触之间的接触阻抗，由此改善半导体存储装置的电性操作状况。
技术研发人员：林哲平;王永铭;钟定邦;詹电鍼;詹书俨
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司
技术研发日：2017.01.26
技术公布日：2018.08.03