技术总结
本发明涉及GaN HEMT芯片生产制造领域，特别是涉及一种用于GaN HEMT芯片生产中通孔的刻蚀方法，包括如下步骤：(1)在SiC衬底背面，溅射或者蒸发第一层易腐蚀金属；(2)在SiC衬底背面进行通孔图形光刻，采用腐蚀液浸泡晶圆，去除通孔中的第一层易腐蚀金属，随后去除晶圆表面的光刻胶；(3)在第一层易腐蚀金属的正面，电镀第二层易腐蚀金属，将整个金属层加厚；(4)使用等离子刻蚀通孔，直到刻蚀完SiC衬底，露出正面源电极；(5)使用腐蚀液将所述第一层易腐蚀金属和第二层易腐蚀金属腐蚀掉。本发明采用金属作为刻蚀的阻挡层，可以有效地阻挡等离子体的轰击刻蚀，为GaN HEMT器件结构设计提供更多可能性。
技术研发人员：孙丞;杨荣;李宝国;张达泉;张书敬;韩威;马京路
受保护的技术使用者：苏州本然微电子有限公司;河北远东通信系统工程有限公司
文档号码：201710075356
技术研发日：2017.02.13
技术公布日：2017.06.30