技术特征：
技术总结
本发明公开了一种发光二极管芯片的制备方法，属于半导体技术领域。包括：在衬底上生长外延层；沉积一层第一绝缘材料；在第一道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第一绝缘材料，形成电流阻挡层；去除光刻胶；沉积一层透明导电材料；在第二道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀透明导电材料，形成透明导电层；刻蚀外延层，形成凹槽；采用第一腐蚀溶液对透明导电层的边缘进行腐蚀，使透明导电层的边缘和凹槽的边缘的距离为1～2μm；采用第二腐蚀溶液对电流阻挡层进行腐蚀，形成通孔；去除光刻胶；沉积一层第二绝缘材料；在第三道光刻工艺形成的光刻胶的保护下刻蚀第二绝缘材料，形成钝化层；铺设电极材料；去除光刻胶。本发明降低成本，提高效率。
技术研发人员：黄龙杰;马双彪;陈骁;罗刚;顾小云
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
技术研发日：2017.02.16
技术公布日：2017.08.18