技术特征：
技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括PMOS区，所述PMOS区的衬底上形成有第一鳍片结构；在所述第一鳍片结构的源/漏区域形成第一应力层；形成覆盖所述第一应力层的第一盖帽层；形成覆盖所述第一盖帽层的层间介电层；执行刻蚀，以在所述层间介电层和第一盖帽层内形成第一接触孔开口，所述第一接触孔开口露出所述第一应力层；在所述第一接触孔开口中形成与所述第一应力层接触的金属硅化物；在所述第一接触孔开口中填充导电层。本发明提供的半导体器件的制造方法，能够降低PMOS区中金属硅化物与源漏区之间的接触电阻，提高半导体器件的性能。
技术研发人员：李勇
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.02.16
技术公布日：2018.08.24