技术总结
本发明公开一种去除SiC外延晶片金属污染或残留的清洗方法，其包括以下步骤：a、将SiC外延晶片置于加热的由硫酸与双氧水混合形成的混合洗液中浸泡；b、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于丙酮中超声波清洗；c、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由氨水、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；d、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，然后置于加热的由盐酸、双氧水、去离子水混合形成的混合洗液中浸泡；e、依次用臭氧水、氨水、高纯氮加去离子水分别冲洗SiC外延晶片表面；f、依次用臭氧水、氢氟酸溶液、臭氧水分别冲洗SiC外延晶片表面；g、用去离子水冲洗SiC外延晶片表面，高速旋转甩干。
技术研发人员：刘丹;孙国胜;孔令沂;张新河;韩景瑞;李锡光;萧黎鑫
受保护的技术使用者：东莞市天域半导体科技有限公司
文档号码：201710120161
技术研发日：2017.03.02
技术公布日：2017.06.30