技术特征：
技术总结
本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。对于对晶片进行加热处理的单片装置而言，能够提高晶片表面内的膜特性。根据本发明的一个方式，提供一种装置，具有对衬底进行处理的处理容器；衬底载置部，具有将衬底加热至第一温度的第一加热部、且具有载置衬底的载置面；加热气体供给系统，具有加热非活性气体的第二加热部，对所述处理容器供给加热过的所述非活性气体；和控制部，其以使所述衬底的表面和背面成为规定的温度范围的方式，控制所述第一加热部和所述第二加热部。
技术研发人员：八幡橘;高野智;丰田一行;大桥直史;高崎唯史
受保护的技术使用者：株式会社日立国际电气
技术研发日：2017.03.03
技术公布日：2017.10.20