技术特征：
技术总结
本发明提供一种用于检测氮浓度的结构及方法，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成氧化层；在所述氧化层表面形成氮化物层，且所述氮化物层中掺杂有氮；在所述氮化物层表面形成一多晶硅层；采用X射线衍射测量所述氮化物层中氮的浓度。本发明中，采用X射线衍射对氮化物层中的氮浓度进行检测时多晶硅层能够阻挡X射线的部分能量，防止X射线对氮化物层中的氮的化合键造成损伤，且多晶硅层并不会降低X射线的强度，保证氮浓度测量的准确性和可靠性。
技术研发人员：刘媛娜
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
技术研发日：2017.03.06
技术公布日：2018.09.14