技术特征：
技术总结
本发明提供了一种自对准晶种层及自对准薄膜的制备方法，在衬底上形成材质为无定型碳的掩膜层，图案化所述掩膜层暴露出部分所述衬底，然后在暴露出的所述衬底上依次形成第一晶种层与第二晶种层，无定型碳的偶极矩比较小，使得第一晶种层与无定型碳的吸附力比较小，从而容易去除掩膜层上的第一晶种层，由此提高了制备自对准晶种层的效率；同时，在自对准晶种层的第二晶种层上形成薄膜，能够提高薄膜的表面平整度，达到原子级平整表面，由此获得具有原子级平整表面的自对准薄膜。
技术研发人员：三重野文健
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2017.03.08
技术公布日：2018.09.25