技术总结
本发明公开了一种具有栅极内嵌二极管的沟槽栅IGBT的制备方法,包括:步骤1,在IGBT器件主体进行P‑base区和N型增强区注入;步骤2,对IGBT器件主体进行沟槽刻蚀并沉积栅氧化层;步骤3,对IGBT器件主体的沟槽进行N型掺杂的多晶硅层沉积并填充满沟槽;步骤4,刻蚀掉IGBT器件主体的沟槽外多余的N型掺杂的多晶硅;步骤5,对IGBT器件主体的表面进行多晶硅氧化层的沉积;步骤6,对完成多晶硅氧化层沉积的IGBT器件主体进行源极注入,形成源极区;步骤7,对IGBT器件主体的沟槽进行P型掺杂,在沟槽栅的顶部形成P型掺杂的多晶硅区。通过在栅极的沟槽内形成内嵌二极管,增大从阳极经栅极流出电流通道的电阻,遏制栅极寄生电容对开关速度的影响。
技术研发人员:刘国友;朱利恒;戴小平;覃荣震
受保护的技术使用者:株洲中车时代电气股份有限公司
文档号码:201710169410
技术研发日:2017.03.21
技术公布日:2017.05.31