一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器与流程

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器。

背景技术：

一般的，在液晶面板的生产过程中，金属导线的制备工艺包括沉积、光刻、湿法蚀刻以及光阻剥离等步骤，在这些步骤中湿法蚀刻直接影响金属导线制备完成之后的精度，而金属导线的精度又对显示面板的质量有很大影响，比如金属导线表面过于粗糙会容易造成与其他膜层的接触不良、电阻提升等问题而最终影响显示面板的指令。

现有技术中，为了提高金属导线的表面精度，会在湿法蚀刻这一步骤中降低蚀刻速度，但这种方法会导致生产时间过长，进而增加生产成本。

技术实现要素：

本发明主要提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器，旨在解决薄膜晶体管的制备过程中图案化金属层在蚀刻后表面精度不高的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制备方法，所述方法包括：在基板上沉积金属层；在所述金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；对所述金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对所述表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离所述图案化光阻层。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管通过上述的方法制备而成。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种显示器，所述显示器包括上述的薄膜晶体管。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明通过在基板上沉积金属层；在金属层上通过光刻工艺形成图案化光阻层；对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离图案化光阻层的方法，在形成表面粗糙的图案化金属层之后再进行一次蚀刻，形成表面光滑的图案化金属层，提高了图案化金属层的表面精度，且在第一次蚀刻时不需要降低蚀刻速度，缩短生产时间，降低生产成本。

附图说明

图1是本发明提供的薄膜晶体管实施例的流程示意图；

图2是图1中步骤S12的具体流程示意图；

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明所提供的一种薄膜晶体管及其制备方法、显示器做进一步详细描述。

参阅图1，本发明提供的薄膜晶体管的制备方法实施例包括：

S11：在基板上沉积金属层；

具体地，在沉积金属层之前，将基板清洗干净，然后可使用物理气相沉积法或等离子体气相沉积法在基板上沉积金属层。

其中，金属层可以是包括但不限于氧化铟锡的金属层；基板可以是包括但不限于硅片及玻璃的基板。

S12：在金属层上通过光刻工艺形成图案化的光阻层；

参阅图2，该步骤可具体包括：

S121：在金属层上进行光阻涂布以形成光阻层；

具体地，可使用光阻涂布设备通过旋转涂布法，利用旋转产生的离心力，将滴于金属层上的光阻剂甩开，在光阻剂表面张力以及旋转离心力的共同作用下，形成光阻膜。

其中，光阻剂是主要由树脂、感光剂及溶剂混合而成的感光材料。

在形成光阻膜之后，在一定温度下，对其进行烘烤，形成干燥的光阻膜，即光阻层。

S122：对光阻层进行曝光处理以在光阻层上形成图案；

具体地，在掩膜版的作用下，利用光源发射光透过掩膜版照射到光阻层的表面，其中，对于掩膜版上透明的部分，光透过该透明的部分照射到光阻层上，与相对应的部分光阻层发生反应，对于掩膜版上不透明的部分，光无法透过而相对应的部分光阻层不发生反应，从而使得掩膜版上的图案在光的照射下投影在光阻层上。

其中，光源的选择根据光阻层的材料而定，不同的光阻层对应不同波长的光源，在本实施例中，以UV光为例。

S123：对形成图案的光阻层进行显影处理以形成图案化光阻层。

在上述曝光处理后的光阻层上喷洒显影液，显影液将溶解掉上述中被光照射的部分光阻层，而未被光照射的部分则不会被溶解而保留下来，保留下来的部分就形成了图案化光阻层。

S13：对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；

可选的，通过湿法蚀刻使用蚀刻液对金属层进行第一次蚀刻，由于蚀刻液与金属层发生化学反应而不与光阻层反应，使得未被图案化光阻层覆盖的金属层与蚀刻液发生反应之后而被去除，被图案化光阻层覆盖的金属层则被保留下来形成与图案化光阻层同样图案的图案化金属层，但由于湿法蚀刻是化学蚀刻，在不降低蚀刻速度的前提下，蚀刻结束之后，图案化金属层被蚀刻的表面粗糙度会比较高，就形成了表面粗糙的图案化金属层。

其中，蚀刻液可以是硫酸与双氧水的混合溶液。

S14：对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；

可选的，使用微蚀刻液对步骤S13中形成的图案化金属层蚀刻处的粗糙表面进行微蚀刻，微蚀刻液与粗糙表面处的金属层发生化学反应以去除该表面比较粗糙的部分，形成表面光滑的图案化金属层，之后进行清洗、烘干即可。

其中，微蚀刻液可选用双氧水、氢氟酸和水的混合溶液。

S15：剥离图案化光阻层。

具体的，在图案化光阻层上滴入去光阻液，去光阻液与图案化光阻层发生反应之后再进行清洗即可去除图案化光阻层。

本发明还提供了薄膜晶体管，该薄膜晶体管采用上述方法制备而成。

本发明还提供了显示器，该显示器包括上述的薄膜晶体管。

区别于现有技术，本发明通过在基板上沉积金属层；在金属层上通过光刻工艺形成图案化的光阻层；对金属层进行第一次蚀刻，以形成表面粗糙的图案化金属层；对表面粗糙的图案化金属层进行第二次蚀刻，以形成表面光滑的图案化金属层；剥离所述图案化的光阻层的方法，在形成表面粗糙的图案化金属层之后再进行一次蚀刻，使得表面粗糙的图案化金属层形成表面光滑的图案化金属层，提高了图案化金属层的表面精度，且在第一次蚀刻时不需要降低蚀刻速度，缩短生产时间，降低生产成本。

以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。