技术特征：
技术总结
本发明提供一种相变存储器单元及其制备方法，所述相变存储器单元包括相变材料层，所述相变材料层包括单层相变材料SbxTe1‑x层和单层化合物ScyTe1‑y层交替垂直堆叠生长而形成的相变超晶格薄膜结构，其中，0.4≤x≤0.8，0.4≤y≤0.8。本发明制备出的超晶格(SbxTe1‑x)‑(ScyTe1‑y)相变材料具有和传统Ge‑Sb‑Te相变材料相比，获得的相变存储器件具有更低功耗、更高的相变速、更高的保持力、更长寿命等优点。
技术研发人员：宋志棠;丁科元;成岩
受保护的技术使用者：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
技术研发日：2017.04.01
技术公布日：2018.10.16