本发明涉及一种柔性半透明钙钛矿太阳能电池,属于半导体光电子器件领域。
背景技术:
太阳能作为一种新能源具备清洁、普遍、取之不尽用之不竭等优点。太阳能电池是利用太阳能的有效手段。太阳能电池中,钙钛矿太阳能电池具有制备工艺简单、成本低、效率高等优点。自从2012年PARK课题组首次报道寿命500小时以上、效率达到9.7%的全固态钙钛矿太阳能电池以来,钙钛矿太阳能电池受到了学界和产业界的极大关注,并被《Science》评选为2013年十大科学突破之一。钙钛矿太阳能电池在短短几年里发展迅速,目前报道的钙钛矿太阳能电池的效率已经突破了20%。
柔性太阳能电池作为太阳电池的一个新品种,近年来开始受到人们的重视,世界上许多公司竞相开发研究。柔性太阳电池最大的特点是重量轻,可折叠,不易破碎,能够安装在流线型汽车的顶部,房屋等建筑物的楼顶与外墙面,应用前景光明。另一方面半透明太阳能电池在发电的同时,可以保证屋内采光要求,适用于大厦窗户、外墙、天窗和屋顶等建筑结构。柔性半透明太阳能电池更是可以直接贴合在窗户玻璃上,实现发电和采光的双重功能。
目前,有报道的钙钛矿太阳能电池绝大多数是硬质玻璃基板、完全不透明的,易破碎,不可折叠,难以满足智能穿戴和窗户、顶棚等特殊场合的采光要求。因此,开发柔性半透明钙钛矿太阳能电池具备重要的实际意义。
技术实现要素:
针对现有技术的不足,本发明公开了一种柔性半透明钙钛矿太阳能的结构和制备方法,目的在于提供一种同时满足柔性、半透明的高效率钙钛矿太阳能电池及其制备方法。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案为:一种柔性半透明钙钛矿太阳能电池,其特征在于,器件结构由下到上依次包括柔性透明衬底、电子传输层、吸光层、空穴传输层、透明电极层和电极保护层组成。
更进一步的,所述的柔性透明衬底为生长有ITO或者FTO透明电极的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯塑料(PET)衬底。
更进一步的,所述电子传输层为TiO2,TiO2厚度在25-30 nm。
更进一步的,所述的吸光层为CH3NH3PbI3,厚度在100-200 nm。
更进一步的,所述的空穴传输层为60 nm 的TPD与3 nm HAT-CN的双层复合结构。
更进一步的,所述的后电极层为半透明的Ag电极或者Au电极,厚度为10-15 nm.
本发明还提供了上述柔性半透明钙钛矿太阳能电池的制方法,器件的制备包括以下步骤:
(1) 柔性透明衬底预处理:
透明衬底采用异丙醇和玻璃清洗剂反复擦洗,接着在异丙醇和去离子水中分别超声处理20分钟,然后用干燥的氮气吹干,最后紫外光照射10分钟后待用;
(2) TiO2电子传输层的低温制备:
将0.470ml的异丙醇钛加入到0.123 ml硝酸和2.5ml乙醇的混合溶液中,温和搅拌;搅拌2个小时后加入0.114 ml的去离子水,静置1个小时后使用丙醇稀释,获得0.127 M的TiO2分散液;取1 ml 的TiO2分散液,加入0.01 ml质量分数75%的双(乙酰丙酮基)二异丙基钛酸酯的乙醇溶液,获得TiO2前驱体溶液,使用匀胶机在柔性透明衬底上旋转涂覆TiO2前驱体溶液,转速 3000 -4000 rpm,时间 30秒,接着在空气中135℃加热板上退火处理10-90分钟,获得致密的TiO2电子传输层;
(3)双源共蒸法制备CH3NH3PbI3吸光层:
首先将CH3NH3I3和PbI2分别装入到真空镀膜机的坩埚蒸发源内,接着将制备完TiO2电子传输层的衬底装入真空镀膜机中,置于蒸发源正上方20cm处,当真空镀膜机的真空度下降到5×10-4Pa后开始通过CH3NH3I3和PbI2双源共蒸的方法生长CH3NH3PbI3;双源共蒸时,CH3NH3I3和PbI2的蒸发温度分别控制为70℃和250℃;通过设于PbI2上方的石英晶振片监控吸光层的膜厚;
(4)制备空穴传输层:
在CH3NH3PbI3吸光层上通过热蒸发的方法依次沉积60 nm 的TPD与3 nm HAT-CN作为空穴传输层,其中TPD的沉积速率为0.06 nm/s,HAT-CN沉积速率为0.01 nm/s;
(5)制备透明电极:
在空穴传输层上通过热蒸发或者溅射的方法沉积一层Ag或者Au作为透明电极,沉积速率为0.5 nm/s;
(6)制备电极保护层:
在透明电极沉积20 nm ZnSe作为电极保护层,并完成器件的制作。
本发明的一种柔性半透明钙钛矿太阳能电池,由长有ITO或者FTO的PET作为透明柔性基底、低温工艺制备的致密TiO2作为电子传输层,双源共蒸真空沉积的CH3NH3PbI3作为吸光层、TPD/ HAT-CN复合结构作为空穴传输层和Ag或者Au作为透明电极,热蒸发的一层ZnSe作为电极保护层所组成。本发明采用低温方法制备出致密的TiO2层作为电子传输层,避免了传统的高温工艺,与柔性基底兼容,所得TiO2层,平整,致密,电子传输性能良好。采用双源共蒸法制备钙钛矿太阳能电池,制备工艺极其简单,钙钛矿薄膜也具有很好的均匀性和透光性,可以获得性能优异且稳定的太阳能电池器件。本发明的太阳能电池结构简单、成本低、效率高。同时实现了太阳能电池的半透明和柔性,既可以应用于智能穿戴,也可以集成在窗户、屋顶、墙壁上,实现光伏建筑一体化。
附图说明
图1为本发明提供的一种柔性半透明钙钛矿太阳能电池结构示意图;
图2为本发明的太阳能电池的制备流程。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的说明。
实施例一
一种柔性半透明钙钛矿太阳能电池,器件结构示意图如图1所示,其特征在于,器件结构由下到上依次包括柔性透明衬底、电子传输层、吸光层、空穴传输层、透明电极层和电极保护层组成。
更进一步的,所述的柔性透明衬底为生长有ITO透明电极的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯塑料(PET)衬底,其中ITO的厚度200-300 nm,透光率大于80%。
更进一步的,所述电子传输层为TiO2,TiO2厚度在25 nm。
更进一步的,所述的吸光层为CH3NH3PbI3,厚度在100 nm。
更进一步的,所述的空穴传输层为60 nm 的TPD与3 nm HAT-CN的双层复合结构。
更进一步的,所述的后电极层为半透明的Au电极,厚度为10 nm。
本发明还提供了上述柔性半透明钙钛矿太阳能电池的制方法,器件的制备流程如图2所示,器件的制备包括以下步骤:
(1) 柔性透明衬底预处理:
透明衬底采用异丙醇和玻璃清洗剂反复擦洗,接着在异丙醇和去离子水中分别超声处理20分钟,然后用干燥的氮气吹干,最后紫外光照射10分钟后待用;
(2) TiO2电子传输层的低温制备:
将0.470ml的异丙醇钛加入到0.123 ml硝酸和2.5 ml乙醇的混合溶液中,温和搅拌;搅拌2个小时后加入0.114 ml的去离子水,静置1个小时后使用丙醇稀释,获得0.127 M的TiO2分散液;取1 ml 的TiO2分散液,加入0.01 ml质量分数75%的双(乙酰丙酮基)二异丙基钛酸酯的乙醇溶液,获得TiO2前驱体溶液,使用匀胶机在柔性透明衬底上旋转涂覆TiO2前驱体溶液,转速 4000 rpm,时间 30秒,接着在空气中135℃加热板上退火处理10分钟,获得致密的TiO2电子传输层;
(3)双源共蒸法制备CH3NH3PbI3吸光层:
首先将CH3NH3I3和PbI2分别装入到真空镀膜机的坩埚蒸发源内,接着将制备完TiO2电子传输层的衬底装入真空镀膜机中,置于蒸发源正上方20 cm处,当真空镀膜机的真空度下降到5×10-4Pa后开始通过CH3NH3I3和PbI2双源共蒸的方法生长CH3NH3PbI3;双源共蒸时,CH3NH3I3和PbI2的蒸发温度分别控制为70℃和250℃;通过设于PbI2上方的石英晶振片监控吸光层的膜厚;
(4)制备空穴传输层:
在CH3NH3PbI3吸光层上通过热蒸发的方法依次沉积60 nm 的TPD与3 nm HAT-CN作为空穴传输层,其中TPD的沉积速率为0.06 nm/s,HAT-CN沉积速率为0.01 nm/s;
(5)制备透明电极:
在空穴传输层上通过热蒸发方法沉积一层Au作为透明电极,沉积速率为0.5 nm/s;
(6)制备电极保护层:
在透明电极沉积20 nm ZnSe作为电极保护层,并完成器件的制作。
实施例2
一种柔性半透明钙钛矿太阳能电池,其特征在于,器件结构由下到上依次包括柔性透明衬底、电子传输层、吸光层、空穴传输层、透明电极层和电极保护层组成。
更进一步的,所述的柔性透明衬底为生长有FTO透明电极的柔性聚对苯二甲酸乙二醇酯塑料(PET)衬底。
更进一步的,所述电子传输层为TiO2,TiO2厚度在30 nm。
更进一步的,所述的吸光层为CH3NH3PbI3,厚度在200 nm。
更进一步的,所述的空穴传输层为60 nm 的TPD与3 nm HAT-CN的双层复合结构。
更进一步的,所述的后电极层为半透明的Ag电极,厚度为15 nm。
本发明还提供了上述柔性半透明钙钛矿太阳能电池的制方法,器件的制备包括以下步骤:
(1) 柔性透明衬底预处理:
透明衬底采用异丙醇和玻璃清洗剂反复擦洗,接着在异丙醇和去离子水中分别超声处理20分钟,然后用干燥的氮气吹干,最后紫外光照射10分钟后待用;
(2) TiO2电子传输层的低温制备:
将0.470ml的异丙醇钛加入到0.123 ml硝酸和2.5 ml乙醇的混合溶液中,温和搅拌;搅拌2个小时后加入0.114 ml的去离子水,静置1个小时后使用丙醇稀释,获得0.127 M的TiO2分散液;取1 ml 的TiO2分散液,加入0.01 ml质量分数75%的双(乙酰丙酮基)二异丙基钛酸酯的乙醇溶液,获得TiO2前驱体溶液,使用匀胶机在柔性透明衬底上旋转涂覆TiO2前驱体溶液,转速 4000 rpm,时间 30秒,接着在空气中135℃加热板上退火处理90分钟,获得致密的TiO2电子传输层;
(3)双源共蒸法制备CH3NH3PbI3吸光层:
首先将CH3NH3I3和PbI2分别装入到真空镀膜机的坩埚蒸发源内,接着将制备完TiO2电子传输层的衬底装入真空镀膜机中,置于蒸发源正上方20 cm处,当真空镀膜机的真空度下降到5×10-4Pa后开始通过CH3NH3I3和PbI2双源共蒸的方法生长CH3NH3PbI3;双源共蒸时,CH3NH3I3和PbI2的蒸发温度分别控制为70℃和250℃;通过设于PbI2上方的石英晶振片监控吸光层的膜厚;
(4)制备空穴传输层:
在CH3NH3PbI3吸光层上通过热蒸发的方法依次沉积60 nm 的TPD与3 nm HAT-CN作为空穴传输层,其中TPD的沉积速率为0.06 nm/s,HAT-CN沉积速率为0.01 nm/s;
(5)制备透明电极:
在空穴传输层上通过热蒸发或者溅射的方法沉积一层Ag作为透明电极,沉积速率为0.5 nm/s;
(6)制备电极保护层:
在透明电极沉积20 nm ZnSe作为电极保护层,并完成器件的制作。